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I2C七宗罪之第三罪

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  • TA的每日心情
    开心
    2023-5-19 15:05
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    [LV.8]以坛为家I

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    1#
    发表于 2019-1-11 14:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 alexwang 于 2019-1-11 14:07 编辑
    6 o& ^! k" a: L# S. |1 D( F4 B# H- A1 F, i2 ]
    I2C七宗罪之第三罪
    EDA365原创 作者:John
    8 O1 g9 y. [$ M
    前面说过I2C第一罪(复位)I2C第二罪(电源),今天来看看:7 y5 D  o  W  |" e, }( ?6 p( t

    , p5 r- F; U. k1 {! ]  N+ }  q/ @
    I2C第三罪——时序

    我们都知道I2C是open drain的,不是普通的push-pull,我们也知道open drain的接口信号需要加上拉电阻,那么为什么要用open drain呢?上拉电阻的阻值是否需要计算考量呢? 我们先来说说为什么。

      Q! Z+ `. H# K4 }8 `4 ^4 U' A

    第一个问题, 为什么要用open drain?
    4 V# M9 i0 c: V+ A% e& W" g  E

    请看下图,I2C总线的拓扑往往是由于多个设备直接线与连接在一起的,最常用的就是一个master(一般是一个CPU)和多个slave设备(比如EEPROM, Thermal Sensor等等)。这样子的连接比较简单,容易理解,可是你知道吗?这也会有坑。


    . e' ^1 b/ X7 S) Y& x

    / r8 F$ H! v/ v! R5 u4 g

    我们先来谈谈为什么不能用普通的push-pull,而是一定要用open drain,一张图告诉你二者的区别,所谓的push-pull就是由一个PMOS和一个NMOS组成的。

    4 }- E/ `% C3 q

    1.当输出高电平时:PMOS打开NMOS关闭;
    2.当输出低电平时:PMOS关闭NMOS打开。

    / T& e6 T5 d& E
    " |- H9 S, \/ t3 E& i6 Q) W1 V

    如上面的图左,此PMOS和NMOS交替打开和关闭,分别输出方波的高低电平,但是图右的open drain buffer则只有下面的NMOS:


    , q% f% j8 u& q& t, h# \

    1.当输出高电平时NMOS关闭,输出处于floating的状态;
    2.当输出低电平时NMOS打开即可。

    ) n* ^" f6 x) h3 B

    如此我们看出,open drain的输出高一定要借助外力,这就是为什么我们检查I2C的设计时,一定要确保外部有上拉电阻才行。那么为什么呢? 如果我们用push-pull会产生什么样的情况?

    0 n7 y$ _6 {# S. J( }( K

    上面第一张图已经解释了,I2C是有很多设备线与连接而成,如果采用push-pull的output buffer的话,难免会出现下面的情况,一个设备输出高,另外设备输出低,也就是左边设备的PMOS打开而右边设备的NMOS打开,这样就在VCC和GND之间形成短路,此时大的电流会把设备烧毁,后果是灾难性的。这种现象还有专门的英文名字叫bus contention。

    0 ^/ B2 [! H6 _; h7 |4 @! P( c$ H

    为什么取了个这么奇怪的名字呢?

    % _% u* L; W  j! Q

    这还得从老的那些个公用总线说起,对于I2C来说,解决bus contention的方法很简单,那就是使用open drain,因为一共就两根信号线嘛。但是,老的产品很多并行的共用总线,比如一个32bit甚至64bit的总线,那就不能用open drain了,因为那么多的上拉电阻加在板子上,那PCB工程师可吃不消啊。


    6 Q' H3 X; J! V' [1 O& T

    所以人们就发明了三态门,这又是怎么回事呢 ? 我们知道64bit的数据总线是双向的,如下图所示:


    1 J" R' g5 M% S2 o  `$ H2 B

    . k4 b+ G8 f* R

    当系统在复位或者紊乱时,总线的所有设备都自动把自己的data buffer设为三态,那么什么叫三态门呢?顾名思义就是:


    4 X$ o! g, p: j. m6 I! \. w* h8 H3 U% Y

    1.输入、2.输出、3.三态
    : x2 u! P# B4 n

    接着上图,绿色为输出buffer,红色为输入buffer,当两个buffer都被disable时,就是所谓的第三态输出。

    4 V9 Z( I0 I0 c9 C0 _9 u; W7 Z

    故此,我们总结出一个规律:但凡多个设备直接相连并且双向输出的总线, 要么设计成open drain,要么设计成三态门。回到上面的bus contention,这个名称其实不是来自于I2C这种低速简单的总线,而是来自于高位宽的并行总线。看下图如果左边任意两个buffer同时为输出的话,那么就产生了bus contention,后果不堪设想。


    % q& t  Z  k& x/ @

    + O7 L1 o* j# a  p% ]% O" Y

    ; g- ?( U& `/ Q( ]4 a' a
    第二个问题,上拉电阻的阻值是否需要计算考量
    - a( T- }6 _! R1 S* ~# x

    现在我们明白了I2C为什么一定要用open drain加上拉电阻的方式,那再来说说上拉电阻的选择,曾经我在C公司的一块ASR路由器的板子上,有一颗I2C芯片在高温时,就访问不了,但是在常温和低温下就一切正常,其实现在我们根据结果来说这个问题,就没有啥意思了,因为说者有心,听着无意。

    我们刚刚开始压根没有怀疑上拉电阻的事情,各种调试手段都上了,比如更换不同的芯片,用协议分析仪找出高温失败时的读写波形,另外在高温温箱的情况下,捕捉并且定位这种问题也是非常困难的,最痛苦的是这种fail的问题很少能复现。


    6 L$ x! z/ _* l) a/ N7 h; Y% P! ]/ C

    这里我们先来思考一个问题,I2C是latch,不是flip-flop,再通俗一点说就是电平触发,不是边沿触发,所以通常情况下,我们是不关心上升沿和下降沿的,可是偏偏问题就出在这里,我们的芯片会对SCL和SDA的边沿提出要求,这又是为什么呢?

    $ u. I; q5 F: w  K1 r8 W9 l

    3 K1 o5 Z) v" ^  V2 ]* E

    先把这和个问题留着,看下面这张图,当SDA输出高电平时,是蓝色的箭头,有VCC通过上拉电阻和电容充电,而当SDA输出低电平时,是红色的箭头

    ( \) D$ f% X8 r* l$ s4 t0 r$ u

    6 c8 R5 t, s/ L- k

    我们很容易就能看出,输出高比较慢,因为有电阻和电容的阻挡,需要通过RC进行指数充电,而输出低电平就比较快,因为从电容放电到地全程无遮挡啊,所以下面我们之研究上升沿。

    4 d$ g+ u: N$ k7 d. v" d+ B7 `


    : p# F4 x8 _/ I8 E

    这里有人会问,这里的电容是从哪里来的,问得好。我们知道复杂的大板子上面芯片之间的距离比较远,走线的杂散电容比较大,另外板子的I2C接的芯片数量比较多,每个芯片的输入pin的电容加起来,就形成了这里的一个总的电容,为了描述方便,我们就用一个电容代替。


    5 O; h& Y: J) j- W

    现在我们来回答为什么I2C会Rise time提出要求呢? 太慢了会有什么问题呢?我们先看下面的表格,I2C其实也有fast mode的形式,据说I2C的频率也会有到5Mhz的,图表中我只看到400Kbit/s,我们在表格的最右面已经看到对上升时间的要求随着频率(或者叫速率)的提高,也越来越苛刻。

    我们来用一张图来表达,当上升时间太慢会产生什么样的问题,图中SCL信号如果Tr够快的话,就是红色的信号,而Tr不达标太慢的话,那么就会是蓝色的信号。
    3 N8 x  A% H/ V" p$ N: ^
    4 _% @+ y  i& t/ v! E2 @
    不难看出,蓝色线越过绿色的threshold的时间太短,导致接收端不能正确识别出高电平,当然接收端也就不能正确latch SDA的数据了。

    ' @) V$ C) ^2 G: D, f* r" R' `8 n# k

    好的,现在我们明白了I2C信号的上升沿是有要求,尽管只是Latch,但是对边沿仍然有要求,而且只对上升沿,下降沿因为很快,所以无需担心。下面我们来讨论什么情况下会让I2C的Tr太慢导致问题呢?请参考上面有一张RC充电的公式以及下面这张图, 我们看到t=RC, 也就是两个因素:


    ! i+ a# Z2 w! h! I: {

    1.电阻值、2.电容值

    , w$ d; g5 v( }  n6 H, E

    3 A- ?- ^+ d1 {


    2 t7 N3 H9 Z/ C$ e0 S, [

    首先来说电容值,这个是我们改变不了的,如前面所说大板子面积大,总线上的设备多,走线非常复杂,导致各种芯片的输入电容相加,再加上又长又复杂的走线带来的杂散电容,我们是无法改变的,除非重新设计板子,加双向buffer,但是打工的工程师都知道,老板不允许啊。


    $ [( L- A8 u# n- W" U9 n

    我们能改变的其实就是电阻了,我们先来看下面示意图,通过适当调整电阻值,我们可以获得比较合理的上升时间,满足接收芯片的要求并有一定的margin就可以了。

    & I* A( [. A9 f& C( c; |


    " A' X2 u0 r/ t- a$ \/ Q. W

    但是电阻值的改变是需要精心计算的,不能太小也不能太大,而是要合理,我个人建议分为两步走:


    ) E2 o( b) k& w. g; }3 e

    1.先确定最大值:取值太大的话,会导致两个后果,一是芯片接收端驱动能力不足,而是上升时间不够,下面的两个公式分别对应这两个现象,我们去其中更加小的值。
    & i% Q/ O. W1 Y* m6 s
    3 e6 H1 P" N( l# ]
    2.再确定最小值:电阻取值太小的话,会导致Vol太大,芯片低电平下不来,我们举个极端的例子,就是上拉电阻为0时,不能产生低电平,下面的两个公式都是一个意思,一个精确考虑了电流,一个精确考虑电压,思路都是一样的。
    ) c! u  c9 K4 J2 x4 ]* r
    1 w5 W- d8 T( d1 R/ x# T

    最后揭晓一下前面我在C公司遇到的问题,经过很多实验,我们证明了I2C设备确实对信号的上升时间有要求,尽管只是电平触发的Latch。很多事情当你遇到了,历经苦难地解决了,才能记得清楚牢靠,也最能理解。希望工程师们在解决一个问题后,不要忙着开心欢喜,而是要多做总结,这样才能真正变成自己的经验。

    ; i; L. X& a/ Q* m1 g* U

    注:本文为EDA365电子论坛原创文章,未经允许,不得转载。

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    发表于 2019-11-19 18:18 | 只看该作者
    各位,有john大神的联系方式吗,很想认识一下,我邮箱2929219135@qq.com

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    谢谢资料分享
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    很好,写的好????????

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