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开关电源关键器件的热设计

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发表于 2018-12-27 09:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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开关电源关键器件的热设计
: ~, n9 l: |6 ^% t' q& X: _/ y: ]8 O

0 l' _6 h# j+ E0 B5 p电源模块发热问题会严重危害模块的可靠性,使产品的失效率将呈指数规律增加,电源模块发热严重怎么办?本文从模块的热设计角度出发,介绍各类低温升、高可靠性的电源设计及应用解决方案。& V/ o2 @; D" P! i4 f
( S% D5 T5 f0 M4 N  i
高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大,高温会导致电解电容的寿命降低、变压器漆包线的绝缘特性降低、晶体管损坏、材料热老化、低熔点焊缝开裂、焊点脱落、器件之间的机械应力增大等现象。有统计资料表明,电子元件温度每升高2℃,可靠性下降10%。
9 f( z. K" l7 ]! N) u# U
% {6 u  w2 C# g4 ~# h一、关键器件的损耗3 n. A7 q9 S* a) L2 r5 d' m" }3 a

4 o( C& J& s$ l' M% @表 1是开关电源关键器件的热损耗根源,了解器件发热原因,为散热设计提供理论基础,能快速定位设计方案。5 e. E4 I  C; Z" b. L5 W7 ?; e: O& [
8 b) g+ d, Z, e+ Q! ]& G7 k' f9 I. ^
表 1  主要元器件损耗根源
2 ?$ L" x5 P! A5 W! s' A$ z1 [: q- j1 U, V7 c3 c
4 h; ?: x% d2 k& D# A( s

  z' y$ q, s2 Y! v二、开关电源热设计
  D+ D( M6 z2 e: |8 H; j# r  ~; b! ^0 ?5 E
从上表了解关键发热器件和发热的原因后,可以从以下两方面入手:
' }) C- K  Z/ C0 X8 J2 Q, o4 W; }! q  X6 n% F1 q  _
1、从电路结构、器件上减少损耗。
* A' m5 w# v, `% s5 M" y, C* W
$ Z: L8 N  c( I9 b+ I  [. ?$ y如采用更优的控制方式和技术、高频软开关技术、移相控制技术、同步整流技术等,另外就是选用低功耗的器件,减少发热器件的数目,加大加粗印制线的宽度,提高电源的效率。$ F" G4 e- N2 ^! s1 v$ V  m* D0 g7 y

  x' U) O4 q: |& k5 t0 ka.方案选择优化热设计1 i1 k, d0 `: b

0 X2 @  {4 X; q1 I8 T8 o4 o图 1是同一个产品的热效果图,图 1 中的A图采用软驱动技术方案,图 1 中的B图采用直接驱动技术方案,输入输出条件一样,工作30分钟后测试两个产品的关键器件温度,如表 2所示, A图关键器件MOS的温度降幅是B图的32%,关键器件温度降低同时,提高了产品的可靠性,e所以采用高频软开关技术或者软驱动技术,能大幅度降低关键器件的表面温度。) [% s8 s  E2 x) t% l$ d

% n5 C7 m/ |1 K# U% C图 1  采用不同驱动方案后的热效果图
$ d/ W# n* ]; |% J! d+ M6 U+ L7 H
9 e3 G+ n6 j: G6 A
0 \3 ?' C$ b2 Y5 x  k# Z1 S
2 J& z0 m& v" I& \
表 2  主要元器件损耗根源
: G# F0 o, f( J9 d2 d0 v! j+ J7 C, W' y$ L
) `9 F7 v5 y  _" ~+ [9 f

, K" h! P  n  x) N* V$ O& Ab.器件选择优化热设计
! H1 |( ]; L- s' ]. K+ m; b$ y$ p* b# R% U. @
器件的选择不仅需要考虑电应力,还要考虑热应力,并留有一定降额余量。图2为一些元件降额曲线,随着表面温度增加,其额定功率会有所降低。7 B4 o0 Q! ^" t- v; D! Z; y

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7 B/ I4 c+ b  f8 F, B8 ]" ]- T
图2 降额曲线
( B3 X8 u% B. T' E. l
0 P4 A; m1 o8 G
元器件的封装对器件的温升有很大的影响。如由于工艺的差异,DFN封装的MOS管比DPAK(TO252)封装的MOS管更容易散热。前者在同样的损耗条件下,温升会比较小。一般封装越大的电 阻,其额定功率也会越大,在同样的损耗的条件下,表面温升会比较小。 , ~) @: S/ Y- t7 j9 @* T

$ V7 B4 [% n* c( y有时电路参数和性能看似正常,但实际上隐藏很大的问题。如图3所示,某电路基本性能没有问题,但在常温下,用红外热成像仪一测, MOS管的驱动电阻表面温度居然达到95.2℃。长期工作或高温环境下,极易出现电阻烧坏、模块损坏的问题。通过调整电路参数,降低电阻的欧姆热损耗,且将电阻封装由0603改成0805,大大降低了表面温度。
! m4 j( V! X4 [. l5 H' Q
7 `$ I" p+ p( H* [. {0 f

2 v" Q+ \5 b+ X. e5 l: z
图3驱动电阻表面温度

5 l9 t4 b+ h4 W( K0 `. N& n0 r- N. p- Q7 _7 \/ e
c.PCB设计优化热设计% J+ P1 {" z0 P4 _( M6 |( |

6 z% @) g: f8 `7 @3 ^PCB的铜皮面积、铜皮厚度、板材材质、PCB层数都影响到模块散热。常用板材FR4(环氧树脂)是很好的导热材料,PCB上元器件的热量可以通过PCB散热。特殊应用情况下,也有采用铝基板或陶瓷基板等热阻更小的板材。8 d1 A8 S4 _" Y+ i# I5 H
2 F6 L  ~  v- U$ X8 H1 l# b8 j; L
PCB的布局布线也要考虑到模块的散热:a).发热量大的元件要避免扎堆布局,尽量保持板面热量均匀分布;b).热敏感的元件尤其应该远离热量源;c).必要时采用多层PCB;d).功率元件背面敷铜平面散热,并用“热孔”将热量从PCB的一面传到另一面。
# D. I! t* \% E# w: `
) m6 k1 `) q8 s
* l, o' c' ^6 T如图4所示,上面两图为没有采用此方法时,MOS管表面温度和背面PCB的温度;下面两图为采用“背面敷铜平面加热孔”方法后,MOS管表面温度和背面铜平面的温度,可以看出:
: S/ m8 C" @3 G' R3 N
1 b, r- B* ]: ~; a: H& HMOS管表面温度由98.0℃降低了22.5℃;  `8 n1 T7 Y$ ~4 G, v

0 l6 D  g# e4 m0 QMOS管与背面的铜平面的温差大大减小,热孔的传热性能良好。
. u* o9 N4 z- k; |; t" O2 p2 }6 I
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图4 背面敷铜加热孔的散热效果
; y& K& Y3 C: l/ b

3 R  ^4 j0 i7 O7 @# _: }9 }1 s2、运用更有效的散热技术。( {# {2 u3 G( g! G* p

' V" A( P7 ~: ?% G% @3 G$ a' W. I% p利用传导、辐射、对流技术将热量转移,这包括采用散热器、风冷(自然对流和强迫风冷)、液冷(水、油)、热电致冷、热管等方法。) p- j! B( [; N
" d/ M; d$ Z# Z9 L; R7 v
热设计时,还须注意:1 ]4 |0 @: ^$ W. n7 C7 h* |6 w) n) s

1 u/ [5 y+ i5 F0 J" [a.对于宽压输入的电源模块,高压输入和低压输入的发热点和热量分布完全不同,需全面评估。短路保护时的发热点和热量分布也要评估;, i' E8 W1 Q, I! Q4 ^" r4 \

/ l' a* b( n8 ^4 ?) s, v/ Z' Y' y$ p0 Eb.在灌封类电源模块中,灌封胶是一种良好的导热的材料。模块内部元件的表面温升会进一步降低。' k, S5 j$ _! G

% Z- S  ]2 o( y9 F除了上述提及的电源热设计技巧之外,还可以直接选用高性能的隔离DC-DC电源模块,可快速为系统提供高靠性的供电隔离解决方案。致远电子基于近二十年的电源设计经验积累,自主研发设计自主电源IC,打造全工况优选定压DC-DC电源P系列,满足所有工况需求,为用户提供稳定、优质的供电解决方案。致远电子自主电源IC相较于传统方案,内部集成短路保护、过温保护等保护功能,具备更高的集成度与可靠性,保证全工况高效、稳定供电,能够为用户I/O及通信隔离等应用提供标准、可靠的供电解决方案。3 p' k9 |. {' n6 _

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