采用标准CMOS工艺设计RF集成电路的策略

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　　采用标准CMOS工艺设计RF集成电路的策略

       近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准的CMOS工艺开发出高性能的下变频器、低相位噪声压控振荡器（VCO）和双模数预分频器（prescaler）。这些研究表明，在无须增加额外器件或进行调整的条件下，可以设计出完全集成的接收器和VCO电路。低噪声放大器、上行转换器、合成器和功率放大器的深入研究，将可能设计出电信应用的完全集成收发器CMOS 射频电路。

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