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RF电路中LDO电源抑制比和噪声的选择
引言
便携产品电源设计需要系统级思维，在开发由电池供电的设备时，诸如手机、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗产品，如果电源系统设计不合理，将影响到整个系统的架构、产品的特性组合、元件的选择、软件的设计和功率分配。同样，在系统设计中，也要从节省电池能量的角度出发多加考虑。带有使能控制的低压差线性稳压器(LDO)是不错的选择。 大多数蜂窝电话基带芯片组射频电路需要三组电源：以满足数字电路、模拟电路和外设接口电路的需要。基带处理器的数字电路供电电压的典型值为1.8V至2.6V，一般情况下，Li离子电池电压降至3.2V-3.3V时电话将被关闭，LDO至少有500至600mV的压差，对压差要求不高。另外，数字电路本身对LDO的输出噪声和PSRR(电源抑制比)的要求也不高，只要求在轻载条件下具有极低的静态电流。 基带处理器内部模拟电路供电电压典型值是2.4V至3.0V，压差在200mV至600mV。要求LDO具有较高的低频(GSM电话为217Hz)纹波抑制能力，消除由RF功率放大器产生的电池电压纹波，同样需要较低的静态电流指标。 RF电路的接收和发送两部分的供电电压典型值为2.6V至3.0V，其中低噪声放大器(LNA)、混频器、锁相环(PLL)、压控振荡器(VCO)和中频(IF)电路需要低噪声、高PSRR的LDO。实际应用中，VCO、PLL电路的性能直接影响射频电路指标，如发射频谱的纯度、接收器的选择性、模拟收发器的噪声、数字电路的相位误差等。噪声会改变振荡器的相频和幅频特性，同时振荡器环路也会进一步放大噪声，可能对载波产生调制。
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发表于 2018-12-24 13:18
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