光宇开关电源反激变压器绕法对EMI的影响程度

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光宇开关电源反激变压器绕法对EMI的影响程度

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        三明治绕法是一种经典的绕法，这其中也分初级包次级、次级包初级还有其它不同的工艺等。关于你说的三明治绕法漏感小、分布电容大，其实这个也是相对，看你的期望值是多少了。三明治绕法这到底是对传导好，还是对辐射好，这个主要还是看个人仁者见仁智者见智了，因为每个工程师的经验与方案都会或多或少偏向某一面了，其实这样去分析问题，会给你带来比较大的误导。
      测试传导与辐射从电磁兼容三要素骚扰源头、路径、敏感源（这部分要是考量EMS电磁抗饶度），就EMI来说就考虑EMI骚扰源、EMI骚扰路径这两个方面就好。
- v, D+ R7 r4 a3 s      传导与辐射测试的核心机理的差异，辐射主要是测试电场场强，你的开关电源的骚扰信号（如mos、transformer、D）经过相关路径，让后到发射天线（AC线、PCB trace、load 线缆 ）等，向外发射，必须要有这两方面的条件，才会导致辐射。相反传导测试的时候必须有PCB上的trace路径、较大的PCB上的高频寄生参数、并且只能通过AC线向外发射，与后端的负载线缆、其它的天线是没有关系的。
' f% s2 h6 U7 \$ d6 y! ^- g      所以，单纯的看一个变压器的漏感、分布电容去判定辐射与传导哪个更好一些，有些武断。最后，以你说的从漏感来讲一般会导致PCB内部的近场耦合，相关的器件相互串扰会导致传导或辐射都会有些影响，如果硬要说出哪个多与少，那就辐射差些吧。分布电容同样会影响辐射与传导，如果还是硬要我选择一个那我选择传导会差一些吧，传导里面的transformer初次级的分布电容产生的电动势是你在变压器边跨接那颗Y电容的根源。
% Z/ b, w3 l; r6 y' O在设计高频变压器时必须把漏感减至最小。因为漏感愈大，产生的尖峰电压幅度愈高，漏极钳位电路的损耗就愈大，这必然导致电源效率降低。对于一个符合绝缘及安全性标准的高频变压器，其漏感量应为次级开路时初级电感量的1％～3％。要想达到1％以下的指标，在制造工艺上将难于实现。减小漏感时可采取以下措施：
1、减小初级绕组的匝数NP(尽量减少绕组的匝数，选用高饱和磁感应强度、低损耗的磁性材料)；
3 {: i- Y9 V% k2 I) b' \) K2、增大绕组的宽度（例如选EE型磁芯，以增加骨架宽度）；
( H2 ~2 T5 G, K2 c3、增加绕组的高、宽比(减少绕组的厚度，增加绕组的高度)，如空间有余，可考虑加长型的骨架，尽量减少厚度；
. L' P# q! ?! T4、减小各绕组之间的绝缘层，满足耐压要求即可；
5、增加绕组之间的耦合程度。
6﹑减少气隙(如果不能减少的,可以改用大一号的磁心，尽量减小初、次匝比)，对改善漏感比较明显。
% L) C6 W; [, _9 U) }! R7﹑次级对应初级的中间,起码不要偏离,对漏感也比较明显。
* o+ b# {5 l1 M8﹑每一组绕组都要绕紧，并且要分布平均。
6 T, S3 E- r0 ~$ a9﹑引出线的地方要中规中矩，尽量成直角，紧贴骨架壁。
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