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为什么微波辅助磁记录(MAMR)硬盘能够比热辅助磁记录(HAMR)硬盘更迅速地提升企业能力?从大数据和其他大型数据生成应用领域获得的价值和情报,既为企业开创了扩大硬盘容量的战略机遇,也激化了我们在若干年前就已经开始着手应对的挑战。在成功开发第四代氦气硬盘后,我们即意识到,现有的垂直磁记录(PMR)技术可能无法获得更多的硬盘容量提升,于是我们很早就投入了多种的技术研发,以期能够扩大硬盘容量。现在看来,我们的这一决定非常明智并为未来发展铺平了道路,我们可以将大马士革磁头制造技术和能量辅助磁记录技术相结合,用来增加PMR硬盘的容量。
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由于磁头组件会影响硬盘扩容,因此,如果写入磁头过大,则很难产增加面密度(即沿磁道的每英寸位数(BPI)乘以每英寸磁道数(TPI)所得结果)所需的较小磁道。每英寸磁道数越多,面密度就越大,磁盘表面可用的每平方英寸容量就越大。由于尺寸缩放受到磁道长度写入性能的限制,为了扩大容量,需要引入一个窄小可靠且间距更小的写入磁头,以容纳较小的磁道。
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! e q, H2 g( E( X9 Q6 G我们将采用大马士革工艺生产的写入磁头与微驱动设计相结合,获得了优于以往干式磁极头工艺的每英寸磁道数,提升了写入性能,可以更好地控制磁头几何形状和制造工艺公差,改善了磁头尺寸的缩放,并大幅减少了相邻磁道干扰(ATI)。由此,我们不仅可以大幅提升可利用磁道密度,而且提升了磁头质量和相关产量。借助大马士革制造工艺将多层材料沉积并镀在磁头部位,可以更好地控制磁头形状和尺寸,还可使用极薄的多层材料来制成复杂的磁头结构,无论何种形状都可制作。
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