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电源模块过孔很多很密对性能会不会有什么不好的影响?

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1#
发表于 2009-3-19 09:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教:电源模块过孔很多很密对性能会不会有什么不好的影响?
' V) i' o6 i3 Z" [0 p0 H谢谢

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2#
发表于 2009-3-19 09:19 | 只看该作者
这个不一定,过孔多可以,但是最好还是不要太密,很容易对别的信号的回流产生影响,一定要保证参考平面的连续性,最好孔径大些,但是密度不要太高,满足载流要求就可以了,过犹不及!

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3#
发表于 2009-3-19 11:12 | 只看该作者
这个不一定,过孔多可以,但是最好还是不要太密,很容易对别的信号的回流产生影响,一定要保证参考平面的连续性,最好孔径大些,但是密度不要太高,满足载流要求就可以了,过犹不及!4 k0 N" p& j, Y! S) |- {
yxx19852001 发表于 2009-3-19 09:19

, m9 h0 @* G. J4 N2 r& X2 c+ w4 v5 a
( l, C8 ^3 [7 _3 B% d) \6 u2 F对于电源模块,分区域灌铜的话,充分的过孔连接应该是有好处的。当然前提是清楚信号流向。

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4#
 楼主| 发表于 2009-3-19 11:49 | 只看该作者
谢谢两位的回答。. ?2 P2 }# d% a7 C1 ?
我记得原来看一篇文章说是过孔过多的话会有什么压降的问题,具体怎样不记得了。

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5#
发表于 2009-3-21 01:01 | 只看该作者
谢谢两位的回答。  L: X* g' t. D# V5 M& }  i7 L+ J
我记得原来看一篇文章说是过孔过多的话会有什么压降的问题,具体怎样不记得了。
9 B& V* ^+ s$ r* |+ R! @yingjuan 发表于 2009-3-19 11:49
- C$ C3 e9 ~- P  j. V
关于过孔对压降的影响不是很好估计,从总体模型上来看,过孔始终是LC电路,总会对PDN的整体阻抗稳定性产生影响,从而产生电压波动,就是你说的系统压降。所以过孔数量和位置都不能随意。要想定量预估,最好就是SIWAVE仿真了。
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