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转——射频工程师能靠直觉“猜”出什么?

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发表于 2018-11-20 10:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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转——射频工程师能靠直觉“猜”出什么?

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       多年前曾有一次在国外出差,遇到一群工程师在讨论一个MCM(multi-chip-module)热耗问题,两家供应商的MCM,RF工程师在上头贴了热电偶测温度,测出来的温度差距挺大,完全无法用效率差异来解释。6 A% a! t7 L' G- c, K- D

7 z; G7 U$ b; i+ ~3 c* G       我瞄了一眼,插了一句:“里面的RF PA是不是有一个是倒装(flip chip)的,另一个不是?”
3 |% N: [3 ^! S3 E; U  v! [6 B* i! |! e& y; |4 @6 n" ]+ M
       一群人愣了一下,然后为头的那位老哥很兴奋的说:“I like this theory!”
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       十年前我在公司里做基站功放,那时候系统部专门招了一位博士来做热仿真,我记得刚开始打交道的时候,她就让我问供应商要他们的热仿真模型,不给的话就要各层材料的热阻和尺寸,然后自己建模做仿真。
  p/ U4 _, x: {* }& a9 O) h- V, d
8 l1 K% Q" H5 `* W8 x       其实之前我们估结温都很粗糙,在法兰盘(那时候PA module法兰安装的还是主流)上贴一个热电偶,测完温度拿厂商给的热阻一算拉倒。直到这位博士来了,我们才开始精细的计算热分布。2 D+ b' |7 u* @( L' M8 r7 y# N
, [. ~6 ^. t: j' j
       那时候RF工程师很多也是不懂热设计的,所以一开始闹了很多笑话:
- N1 B% h7 r- r( ?       问:“为啥不在芯片上面贴个散热片?(我脑海中忽然出现了Intel P4红泥小火炉)”8 P; d% G  P3 X* d9 S/ t
       答:“瓷封里面是抽真空或者充惰性气体,加上瓷封本身也是热的不良导体,一级一级的串联热阻巨大,上面再贴散热片效果不佳。”" P$ U& Q3 d6 ]& T  j' }, `$ P& B% c
       问:“那为啥FPGA上贴着好多?”! c8 ~! e7 q4 I2 i1 i
       答:“FPGA的molding材料导热性相比真空、惰性气体或者陶瓷要好得多。”
+ G  K; o4 J/ i  `! }2 M- P       问:“为啥非要我把PA竖着摆?我走线都不好走!”
! u3 Q7 Z# Y7 m9 J+ m( o       答:“PA竖过来之后,从外面看可以跨三道(散热)齿,横着摆只能跨一道。”
& V. j. y4 j1 v+ a       再往后五年,又回到基站行业的时候,已经不是当年的菜鸟了,终于能坐下来跟热工程师一起讨论问题了。/ Z# w8 v/ G* _! v& O$ U$ b
0 _6 c' J) d% _% a2 R9 S
       回到最开始的那个问题,为什么我猜那个MCM里面的IC是倒装的?因为倒装芯片会有更多的热耗通过焊球直接向PCB方向扩散(对于通常没有散热片更没有水冷风冷的RF设计来说这是最合理的),相比传统的bonding wire模式(朝向PCB方向)热阻更低、散热效率更高。如果MCM的molding工艺差不多,那么在MCM上表面测到的温度显然不同。; W8 M/ J2 {( F" v8 R; k6 Z
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       我刚到Nokia的时候,还不怎么懂手机设计,有一次大家在一起讨论刚遇到的一个GSM modulation spectrum问题,大概是说在低温下调制谱在正负100多kHz左右的地方出现了鼓包,而且只有低温下会出现。
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       我的第一反应是:PA偏置电路自激。4 B4 r9 k9 A" I1 s% J
# z/ Z. A3 p# Z- ?
       当然,那时候没人理会我这个手机菜鸟的看法。还是按照正常处理流程,一级级查过来,最终还是确认问题在PA上,于是大家把出问题的PA切下来送回厂商分析去了。
! ^6 ?1 w9 E. V& ]- H) l. \
& J' |+ N% z/ L5 a2 C+ \7 X% \% y  D       过了两个星期,报告回来了:偏置电路上的运放自激。& D8 A, _, t7 I: @

  @7 T$ E% m( b  y/ D6 _4 ]: h       我得说当时的同事们中间没有谁能比我见过更多的自激案例。做PA的天然就要与自激作斗争——我师傅经常笑话我两天之内烧掉五个管子的“光荣事迹”。1 F& b$ ]# H- R# u
+ x) h" r$ @$ ^# ~3 i
       但是一般的PA自激,往往是出现不正常的输出功率甚至烧掉管子,如果要在正负100多kHz的地方造成稳定的频谱再生,这多半是有个100kHz左右的信号混到了PA里面产生了交调。' r1 u* E7 u  m1 T

1 ^4 U! I. @8 p, E# F       那么100kHz左右的信号,说明这个器件大概率是个普通模拟器件而不是RF元件,工作带宽或者频率阈值最多也就这么高。这种元件什么最多呢?运放类或者电压比较器,而在PA的偏置和控制电路里是比较常见的。
  v1 r: t+ z3 C% R
" L! y% T- m' P6 x9 v/ s4 J0 i. o- N       再加上最重要的一点:低温。低温下器件的增益会变高而稳定性降低,如果这个问题仅仅在低温下可见,那么就有可能是低温下的自激。
( T9 d. l( b) n1 J$ \( L! g& I
; n6 i" ]4 I5 }1 V       某次在工厂里有块板子坏了,工程师怀疑是FEM(front-end module)出了问题,就用万用表去量FEM的输出,果然是对地短路了,他认为是PA被击穿了,然后报告就这么写了出去。
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" g( f" p) s/ p       我问了一下电流,他们回答电流偏大一点,但是并没有大的离谱,FEM表面也不是很烫。当时我就觉得那工程师量错了——不是说他测量结果有问题,而是说测量结果根本不说明问题。
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       有很多FEM在设计的时候,为了ESD的考虑,都会在输出口上放一个对地的电感;这个电感的好处是对射频相当于高阻,但是对静电放电可以成为泄放通路。那么用万用表直接量输出口,肯定会因为这个电感的存在而测量到对地短路。
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$ S% b2 l" ?: y       对于PA来说,最糟糕的情况是发射极到集电极之间或者是源极到漏极之间被打穿,这时候量到的一定是对地短路。然而这种情况下第一是会出现大电流(GSM PA的VCC一般是通过一个MOS管直接接到电池供电上的),第二是PA会明显发烫;如果两者都没有出现,一般不是PA击穿。. {9 b; s& T2 T! s# j) T1 K$ @

: @; h" x4 y1 t6 z; f       这三个例子,有一个共同点:猜。
7 z) d0 ?" Q& V
# c; a! M# f' E; g/ ~* e: M       工程师在很多时候是找不到直接证据的,或者说获取直接证据有可能需要破坏现场。这时候就要靠猜,先猜一个或者几个合理的方向,再继续深入。8 x4 k; W; @7 X; Q9 b, }% Q- m0 b

8 R9 ~4 |2 t# z$ b! N: t! |, C9 t       对于RF工程师而言,我们的专业领域是很狭窄的,所以在实际工程问题中,光凭RF知识解决问题往往困难重重。所以很多RF工程师都是杂家——沾边的、有关联的甚至是个人感兴趣的都去钻一钻,钻的多了,懂得(不管是皮毛还是深入)多了,猜对的准确率也就水涨船高。
& `( K# z7 W+ L

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发表于 2018-12-28 22:56 | 只看该作者
非常不错的经验!
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