电源适配器开关选用MOS管10N60，MOS管比三极管常用原因所在

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MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的

9 w( S1 u; E' g/ r; m, w7 u开关三极管（Switch transistor）的外形与普通三极管外形相同，它工作于截止区和饱和区，相当于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用，被广泛应用于各种开关电路中，如常用的开关电源电路、驱动电路、高频振荡电路、模数转换电路、脉冲电路及输出电路等
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- S) f' Y8 u) l( W; r* k. u; W/ t, {在开关电源的开关管中常用的是MOS管，那是因为
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& V8 ^4 c9 V% I  A0 r# k7 K7 L/ Y1、MOS管比三极管来说损耗更低，

1 o  G" P( q; W2 |4 q/ c/ j2、MOS管为电压驱动型，有电压就能够导通
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3 z$ F# ^% E5 Q, b6 m, K& _4 k* C3、MOS管的温度控制特性（导热、发热）比三极管好
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, O. [2 P3 A6 k2 M7 @2 H4、MOS管驱需要的动率小一个驱动信号可以控制大电源电流，方便。三极管需要需要几级推动电路，将控制电流逐步加大，也就是多级放大，常见的方式是达林顿电路，这样在设计电路时就很繁琐了，调试也费劲。

3 v1 Y  D$ t2 v* h0 E5、MOS管是电压控制器件，栅极电流极小，MOS管饱和导通时产生的压降低，耗散功率小，效率也更高
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0 v) r5 p  R- a& I' R6、MOS管开关静态时漏电小，功耗小

7 W  S6 g# g$ }而飞虹设计的适配器方案中开关Q采用的是高压MOS，如2N60、4N60、7N60、8N60、10N60等。其中10N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。ID（A）= 10A,BVdss（V）= 600V, RDS(on) = 0.85Ω(max) @VGS = 10 V，低电荷、低反向传输电容开关速度快。广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

" m: S+ ?) F: s6 W/ U* [以上内容为开关电源开关管MOS特性针对三极管来对比的，在众多开关电源开关管应用中，由于MOS特点比较好，因此普遍被应用。更多MOS型号详细信息可咨询飞虹。

广州飞虹主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，专注大功率MOS管制造15年。咨询热线：400-831-6077