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本帖最后由 huanhuaneda 于 2018-9-30 23:21 编辑
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7 h: m/ x# [& K$ x- r. \ DDR3有三类电源，它们是VDD（1.5V）、VTT（0.75V）、VREF（0.75V，包括VREFCA和VREFDQ）。
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% Z8 S& E3 a( T) P 1. VDD是DDR3的核心电源，其引脚分布比较散，电流相对比较大，引脚分布比较散，需要在平面层或信号层铺铜处理。 2. VTT电源，其集中在终端的上拉电阻，有很大的瞬态电流；可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配；一般是在表层铺铜连接，铜皮要有一定宽度。且两三个上下拉对应一个去耦电容。
- s1 l; j& N G& W9 x 3. VREF电源 。 VREF承载的电流比较小。它不需要非常宽的走线，DDR3的VE RF电源已经分为VREFCA和VREFDQ两部分，且每个DDR3颗粒都有单独的VREFCA和VREFDQ，因其相对比较独立，电流也不大，布线 时建议直接连线，且线宽20，或25mil以上。无须在电源平面层为其分配电源。走线时要先经过电容滤波再接到芯片的电源引脚，不要从分压电阻那里直接接到芯片的电源引脚。 有的 硬件工程师再给网络命名的时候可能不分VREFCA和VREFDQ， 直接都命名为vref，所以布线是时候就需要layout 工程师注意单独分开连线。
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发表于 2018-9-30 22:44
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