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本帖最后由 huanhuaneda 于 2018-9-30 23:21 编辑
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- N. C, q( F3 H- \# f9 F8 e, e' k DDR3有三类电源,它们是VDD(1.5V)、VTT(0.75V)、VREF(0.75V,包括VREFCA和VREFDQ)。
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8 g7 e" a; E, \% V7 D2 f% O 1. VDD是DDR3的核心电源,其引脚分布比较散,电流相对比较大,引脚分布比较散,需要在平面层或信号层铺铜处理。 2. VTT电源,其集中在终端的上拉电阻,有很大的瞬态电流;可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配;一般是在表层铺铜连接,铜皮要有一定宽度。且两三个上下拉对应一个去耦电容。
$ s1 c6 D# o/ t& R* P 3. VREF电源 。 VREF承载的电流比较小。它不需要非常宽的走线,DDR3的VE RF电源已经分为VREFCA和VREFDQ两部分,且每个DDR3颗粒都有单独的VREFCA和VREFDQ,因其相对比较独立,电流也不大,布线 时建议直接连线,且线宽20,或25mil以上。无须在电源平面层为其分配电源。走线时要先经过电容滤波再接到芯片的电源引脚,不要从分压电阻那里直接接到芯片的电源引脚。 有的 硬件工程师再给网络命名的时候可能不分VREFCA和VREFDQ, 直接都命名为vref,所以布线是时候就需要layout 工程师注意单独分开连线。
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