NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01

- V$ G- X& C% p. J; I! k7 s9 ]
: |0 ?; x6 r! L5 y. M如图所以，问题也描述在图上
2 H2 W1 }4 p; I, y1.去掉负载，问题依旧存在
2.更换PMOS，问题依旧
3.更换NPN，问题依旧
4 `* W6 R+ P+ G% b( i4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
' b8 ~4 N) U* [$ [5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
) X- T$ H, ]% K& \, A6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

猜测原因
* a7 @# f5 l+ x. L+ v4 @1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
, t: F& o$ p' A1 U2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象
' E. C) {- K5 g7 d0 B0 c
求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。

Jujianjun

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。

大家伙好

这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
) D- R3 Z0 X/ x+ _: b$ T7 s" P要给EDA365点赞了。
( f3 V6 w: F: U' n9 C2 ^
解决思路
1 A" b9 ?: g/ M3 [1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
: l! F" }  b! Q/ o8 h9 u2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
6 I2 ]) T3 b3 L# S0 b3 B3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
    那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
问题得以暂时解决！
留帖纪念

goodboy32

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0

支持一个

haoxia01

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
* R6 t2 s9 O9 H; c4 m) @( `能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

, M# f6 u+ f0 ?  s& `- L" d- V4 ^在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地
0 o/ |3 G) C' X4 c

victor0123

学习了
2 s8 d2 Z9 i) {" S$ f* C( i6 a

lize314

学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008

学习了

hegx_2008

我也没碰到过

Joen0_0

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

5 R, P$ v: S6 I; I3 i多谢版主出手相助！
1 n% w9 o% F3 A8 e& c& K. K