NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01

4 k8 ^) Q" E) N5 o

如图所以，问题也描述在图上
1.去掉负载，问题依旧存在
2.更换PMOS，问题依旧
3.更换NPN，问题依旧
4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
0 w. ]0 d: m( R7 O. E8 B5 n2 S5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
: a  x* T! n8 L' B5 Q: R* p; H6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

猜测原因
, Q$ @# }/ B$ {5 A5 B5 Q1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象
: A7 i# O/ M! M+ n5 p( o
求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。
& {  J8 N( M" R) F4 n, r. y
9 Q* C1 k! P( i' X+ L4 o
& j: @9 b6 w2 W( r3 J4 W0 D! ^. U

Jujianjun

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。
& \# y2 l4 o* w: A$ d9 R8 q

大家伙好

这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
+ Z" a/ F2 a( a! K要给EDA365点赞了。

- p6 q0 i3 I* U: _8 q4 p" [; g解决思路
& S2 H8 Y( N. u# f. n6 k$ L* B: J8 O1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
6 g" e* m! r6 m' G  D, C3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
! S, W7 t7 _" l. O5 @. W5 I    那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
. q/ _+ x3 s3 @& [! L$ t% g* k问题得以暂时解决！
2 F5 k, Y4 Z- D0 P留帖纪念

goodboy32

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0

支持一个

haoxia01

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
. ]! [. l. o, @. m  G: p3 @能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地
; {! d6 t% a/ Q2 m8 F1 L

victor0123

学习了

lize314

学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008

学习了

hegx_2008

我也没碰到过

Joen0_0

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

多谢版主出手相助！
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