NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01

* y  _* U5 L* l# }+ s6 @- Q' ~

/ \/ ]7 q" T  v, L$ k' G2 \2 K如图所以，问题也描述在图上
* {5 b% N& w* Y$ s7 k1.去掉负载，问题依旧存在
4 C' e/ r+ O1 B# O2.更换PMOS，问题依旧
3.更换NPN，问题依旧
4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
2 e. Q1 \& v6 Q* f6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

8 S7 M/ F2 N* J! ]9 s* s/ y! J3 G猜测原因
; o9 g& H% |" F7 u: g  R1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
; C$ R; X( l; q5 [2 r1 r8 C8 B1 @2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象
9 q# {$ x7 ?0 P' d" R1 V; T* R
求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。


) K# \" Q0 t3 Q8 k

Jujianjun

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。

大家伙好

! z2 c" f9 F" c) B
/ x$ E1 ~& \! P" {这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
0 R' ?9 O# v: P9 l) w' z要给EDA365点赞了。
$ z# b4 x" ?  |( n/ R
$ \' l" k1 Q' ^1 u# [" `$ L" M解决思路
# W$ z/ s2 ^2 S4 o1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
+ r5 I; t+ e: e: {! D2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
    那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
7 Q3 P8 }( j* B* b问题得以暂时解决！
% s1 }- D  _5 U' v. P留帖纪念

goodboy32

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0

支持一个

haoxia01

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地
, K9 m  O) O3 A( j5 m) H

victor0123

学习了
" j8 J; u1 _, c  H2 n

lize314

学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008

学习了

hegx_2008

我也没碰到过

Joen0_0

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

; M" ^( _+ `7 D: O/ W3 H; x( ?/ y) I多谢版主出手相助！
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