NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01

; k# Y' l* y/ n2 a

' l, t' ~! j4 O& i" P如图所以，问题也描述在图上
1.去掉负载，问题依旧存在
1 K7 }- F4 s8 ^1 Y3 f& @, d2.更换PMOS，问题依旧
3.更换NPN，问题依旧
4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
" h0 ~3 ]. ^5 I6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

猜测原因
8 M, e3 a' f! q5 f1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
; R! y5 z- e5 |9 f2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象
% q' k9 q3 x. O: ?9 C! B
/ x6 P, {3 R  x7 n% f- u求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。
$ h4 F2 _: {7 F. p

Jujianjun

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。

大家伙好

这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
要给EDA365点赞了。
; S& L* ]8 j' p4 T2 _, m6 m
解决思路
1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
1 n; o/ u& u( D- q    那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
问题得以暂时解决！
1 w$ M+ X7 [1 t' |9 _留帖纪念

goodboy32

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0

支持一个

haoxia01

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
1 I7 b0 X+ H7 W& ~能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地
' V* r4 F8 W4 @) A1 F% B5 W

victor0123

学习了

lize314

学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008

学习了

hegx_2008

我也没碰到过

Joen0_0

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

多谢版主出手相助！