使用带有双组闪存的MCU优点

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mcu(微控制器)在过去几十年里在CPU性能、通信接口、模数和数模外设、内存大小及读写次数等方面呈指数发展。我们专注于带有非易失性嵌入式存储器的MCU(我们在USB闪存驱动器、存储器等内拥有闪存)，从首批带有一次性编程(OTP)的器件到EPROM(电可编程只读存储器)，再到EEPROM (在方程中增加了“可擦”一词，能够在不需要紫外线灯的情况下擦除它)，到现在的嵌入式闪存(在某些情况下称为FlashEEPROM)，这是目前最常用的闪存。

　　EEPROM和Flash在概念上类似，两者都是可电擦除和写入的存储器，但是它们之间也存在某些差异。最初Flash只能在大数据块上写入，但是现在两者比较接近了，一个单字节、词或双词都可以写入，取决于架构是支持8位、16位还是32位写入操作，是否需要与偶数地址对齐，因此主要的区别是擦除过程。EEPROM的擦除大小很小(在大多数情况下，只能擦除一个单字节)，而Flash需要在大扇区中(在某些情况下为数据块或页面)擦除，而且还取决于所使用的器件，扇区可以是几个字节或是几千个字节。

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