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开关电源电路板EMI解决方案 一、变压器的EMI问题 B2 E8 H; E$ f# z1 J, h: K
1、带高频电流的线圈会形成发射强磁场的天线。
( S6 y1 H$ w, Q# x 2、由于部分绕组上有摆动电压，因此它们也可能成为高效电场天线。
& t! E5 m* U# n# @% q [ ~ D 3、噪声会经过一次和二次绕组之间的寄生电容进入绝缘层。: L) D, s1 \7 {$ j$ \. i
二、防止问题产生的一些规范技术
4 M9 D% o9 O Y2 i 1、法拉第屏蔽（电磁屏蔽）
9 a. e" T; z" H0 h. n" P 2、磁通带（磁屏蔽）0 Z) j5 S4 N) s& r, o
3、一次侧通常会有一个辅助绕组来提供控制芯片及相关电路所需的低电压，该绕组有一端与一次地相连，因此，若满足以下两点，它可勉强作为法拉第屏蔽：1）均匀地绕 ；2）通过22pF~100pF的小电容交流耦合到与二极管相连的一端，以接收并转移噪声。
- D0 v6 O; H" I& F3 N. Y 4、由于MOSFET的漏极会摆动，因此将与之相连的端子绕作骨架上的第一层，这样外层可屏蔽内层发出的电磁场。6 U& A( x- ~. J$ [* P
三、二极管的EMI问题
5 V# G& X$ B; D( c( \ 1、二极管能成为低频到高频噪声的发生源。
/ l* |2 n2 L6 Y O 2、为了最小化EMI，应选用超快速二极管；对于中等功率和大功率变换器，这些二极管还要有RC缓冲电路。小功率通常使用肖特基二极管，RC缓冲电路对肖特基二极管也是有用的。' P* [5 U' b, J; i& O
3、MOSFET比续流二极管的反向恢复时间慢2~3倍是明智的，可避免产生贯通电流，该电流会产生很强的磁场。因此，常有人通过外加一个与栅极串联的电阻（10Ω~100Ω）来故意降低MOSFET的开关速度。
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发表于 2018-9-27 11:58
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