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你一定要看的NI射频芯片测试方案

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发表于 2018-8-31 15:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 青山绿水 于 2018-8-31 15:08 编辑 : H6 q" d/ ?7 X5 g. J
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你一定要看的NI射频芯片测试方案
- F6 G6 E9 A) \/ l1 J; G7 s4 }
       随着无线设备复杂性急剧增加,手机支持的频段数量也在不断增加。从最开始的2个GSM频段,到现在的4个GSM频段,3个CDMA频段,5个UMTS频段和10个LTE频段。未来,诸如5G New Radio等标准将继续增加无线设备的复杂性。今天,我们将为各位介绍6个使用NI PXIe、STS、VTS等NI的软硬件系统完成的测试方案。
       1、插入损耗Insertion Loss
       对于很多射频无源器件来说,插入损耗是其中一个关键的测试项目。在一个系统之中,由于某个器件的插入而发生的功率的损耗便是插入损耗,通常插入损耗由dB来表示。
一般来说,对于射频器件来说,如果在器件插入之前传输给负载的功率是 ,插入之后负载接收到的功率是,则以dB为单位的插入损耗由下式给出公式:
$ b5 F$ I  E8 s8 r9 t+ ~

6 g' A  n; d6 U' `' w
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发表于 2018-9-3 23:22 | 只看该作者
Thanks for sharing.

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发表于 2023-8-8 17:36 | 只看该作者
学习一下

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