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1,缩短高频元器件之间的连线,设法减少他们的分布参数和相互间的电磁干扰。6 M4 I6 H2 T: l) d% r9 G
2,易受干扰的元器件,如IC远离强磁场,如变压器
@% \" i0 c+ z$ R/ [# @" _; b3,某些元件或导线之间可能有较高的电位差,注意安规距离
, z/ N9 g. i* ?0 L0 L: n' T) @$ |4,对温度敏感的元件(如IC)远离发热元件。特别是电容。
! y1 W/ U% p y- @" Y0 p, Z5,元件离板边不少于2mm,至少1mm6 \1 q( F( F+ u7 F5 n2 Y' Z
6,模块化电路布局,尽量缩短各元件之间的走线
! B# F9 l" R7 ?7,输入输出电路比免相邻,平行0 f& w5 J& O1 e% Y- q k
8,注意电流大小来按排走线宽度1 Z3 }3 C) o( c$ Y3 a
9,尽量比免大面积灌铜; k$ l% E/ V! }" B
10,注意环路
" c6 W& i9 P! M: n3 ^6 v% p11,地线分开" y* p7 n8 n2 S" j, ]
12,接地加粗
+ r" t0 E( T) W+ i13,单点接地
6 x+ b0 t, D$ Y9 G4 j% N) A14,功率走线尽量最短化
0 ]9 p3 u$ y2 T. R15,采样线,驱动线,同步信号线,反馈线注意重点处理( L! R2 X, o. s, ]* T" f- Z @! A
16,注意磁场回路
* Z5 E- N+ x# w7 ]9 k0 f( U8 A17,电流环走线
* O! b+ j. r4 Q2 J7 i9 N0 u18,滤波电容的走线处理( ?. r6 q" t: J- p
19,RC吸引回路靠近开关管
7 ^, y7 n% w/ E: h) o: ^20,.../ S1 n* ?0 r& B) U, k
...0 e3 }/ T$ c: P/ h3 k
...
+ e% j; o' t2 j/ b, N, i3 `...
$ ^# c0 e$ Q q; P50,信号线不能从变压器,散热片,MOS管脚中穿过。 |
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