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1,缩短高频元器件之间的连线,设法减少他们的分布参数和相互间的电磁干扰。
5 V# j% u5 A m( f; o* q( h( G8 v2,易受干扰的元器件,如IC远离强磁场,如变压器 B- R, \' W8 _ Q8 R/ u' b) F. _& x
3,某些元件或导线之间可能有较高的电位差,注意安规距离
5 _& b Y3 o! a, T M3 @ n4,对温度敏感的元件(如IC)远离发热元件。特别是电容。* P! Y" G" G( z+ Z9 y
5,元件离板边不少于2mm,至少1mm4 l, |3 y6 y2 S/ X1 a. a) t8 @
6,模块化电路布局,尽量缩短各元件之间的走线
% U [5 @" T m, S u7,输入输出电路比免相邻,平行$ f! \5 [% ]/ k& p
8,注意电流大小来按排走线宽度& A( G: e: Z3 i" H- D; D. A
9,尽量比免大面积灌铜% x5 Q; {. k+ j
10,注意环路; i) J; \3 V) Q5 X0 m' s: T
11,地线分开
/ |' O; t1 f& `. Y3 N& V; g& ?" O0 y12,接地加粗
+ r6 w: S$ C7 [& S7 D13,单点接地8 B; w/ Y3 v$ j8 d- i
14,功率走线尽量最短化
' C; I. A6 a3 B4 `15,采样线,驱动线,同步信号线,反馈线注意重点处理5 W9 D; _; w; C Y
16,注意磁场回路( t) I* \( V1 X% K9 N* T# Q2 J
17,电流环走线
6 J! m* P+ I) T8 E M3 U c3 d18,滤波电容的走线处理% z( o7 q3 O1 d) e9 c0 ]
19,RC吸引回路靠近开关管
& B% S# ?. `: w20,...
# o* `8 I, r% y...* p' S, u4 X+ N. a1 }1 T6 Q# C2 M$ u
... D# x5 w. y' \
...% }8 \ J3 ]4 t$ F! a/ s/ G7 R& V6 [* I$ w# I
50,信号线不能从变压器,散热片,MOS管脚中穿过。 |
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