MOSFET导通时g极电流问题

zhouweitf

MOSFET是电压控制型器件，大家一般都关注其导通时的门槛电压，不知道有没有大侠关注过MOSFET在导通的瞬间g极的电流的大小多少才合适？个人认为这个电流的大小应该对MOSFET的使用性能和寿命有所影响。哪位大侠进来指教指教啊！

zhouweitf

大家来发表自己的看法呀！

zhouweitf

没有人知道吗？

liqiangln

3# zhouweitf
这个电流是比较小的，一般10mA以内，MOS管主要是电压控制型的，所以通常这个G还会穿个电阻，来防止ESD。

zhouweitf

3# zhouweitf  
这个电流是比较小的，一般10mA以内，MOS管主要是电压控制型的，所以通常这个G还会穿个电阻，来防止ESD。
liqiangln 发表于 2009-2-20 12:13

我看大家一般都是串个100欧姆的电阻，这个电阻的大小是怎么选定的呢？

zhouweitf

谢谢liqiangln 版主，再进来指教指教吧！

gs_mold

3# zhouweitf  
这个电流是比较小的，一般10mA以内，MOS管主要是电压控制型的，所以通常这个G还会穿个电阻，来防止ESD。
liqiangln 发表于 2009-2-20 12:13

要不了10MA。几个UA就可以了。

zhouweitf

一般推荐多大的电流呢？或者说一般推荐的限流电阻多大呢？有什么依据？

kxw102

那得根据Datasheet上的Cgs这个电容来决定。

guyun236

理论上是这样的，但是前段时间我给2N7002 gate用4.7k电阻上拉，只能拉到2.6v左右，后来没办法，只能用fpga的io来拉到3.3电源上，一直想不明白？！

liqiangln

电压驱动，就是说MOSFET的输入阻抗很大，才能得到更多的输入电压，你上拉4.7K，并且MOSFET的输入内阻也是K级的，说明你的4.7K得到很多电压，这就是你只能得到2.6V左右的原因。
) a. g- o- t& ZFPGA的输出阻抗很低，一班就是20欧姆，说以G级可以到3.3V，一半窜10欧姆的就可以了。有的时候还会对地下拉一个10K的电组，是用来泄放电流的，在G级从高变低的时候（PWM是占空比）。

newone

确实是这样的

shuhen

我一帮用MCU隔离后放大驱动MOSFET

maxwellping

理论上是这样的，但是前段时间我给2N7002 gate用4.7k电阻上拉，只能拉到2.6v左右，后来没办法，只能用fpga的io来拉到3.3电源上，一直想不明白？！
guyun236 发表于 2009-2-26 12:31

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1 B, R) t' P% e) R# F$ J. I1 u' I" T没看明白。4.7k拉到2.6V是什么意思？ 2n7002的Vgs(th)电压较高3V左右。

maxwellping

电压驱动，就是说MOSFET的输入阻抗很大，才能得到更多的输入电压，你上拉4.7K，并且MOSFET的输入内阻也是K级的，说明你的4.7K得到很多电压，这就是你只能得到2.6V左右的原因。
% G7 D3 f0 D" S1 rFPGA的输出阻抗很低，一班就是20欧姆， ...
liqiangln 发表于 2009-2-26 20:29

" K: O( F/ i- Z: y# }% f+ }& F
. }  _# ^. m7 P8 n; uMOS的GS电阻肯定不是K级的，如下Vishay 2n7002k 的GS端带TVS功能的 Igss电流才只有10uA，要是4.7K电阻分压较大，那么说明这个MOS的GS已经击穿坏掉了，2N7002是我碰到的ESD良率最低的MOS了
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