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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › 不同的多层板层数为什么阻抗可以不一样？
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不同的多层板层数为什么阻抗可以不一样？

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we167527
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-22 15:00

    • 签到天数: 1286 天

    [LV.10]以坛为家III
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2018-7-13 09:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    拿PCI 标准来说
    % Y! I, ?6 P& a9 @ + v+ B1 _. \; a  E
    6层差分100ohm。8/10层就减少到85欧姆了？这怎么计算？有什么规律吗？还是那100ohm还做也没关系吧？; c: m" F6 I9 f+ r9 I

    ( D( p1 e) p& x' J# {4 f

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    EDA365微信号及QQ群号！
    V-zhong

    该用户从未签到
    2#
    发表于 2018-7-13 15:19 | 只看该作者
    阻抗跟层厚有关哦

    点评

    we167527
    请问具体是为什么？该如何计算呢？ 一般不都是规定单根50欧姆。差分100欧姆吗？  详情 回复 发表于 2018-7-16 08:14

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    Aubrey

    该用户从未签到
    3#
    发表于 2018-7-13 19:14 | 只看该作者
    先把这篇看懂( _2 i6 ^2 a. m
    https://www.eda365.com/forum.php? ... amp;highlight=POLAR
    ! J& S* \4 w" {

    点评

    we167527
    谢谢！这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢？ 单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的吗？  详情 回复 发表于 2018-7-16 08:15

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    we167527
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-22 15:00

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    [LV.10]以坛为家III
    4#
     楼主| 发表于 2018-7-16 08:14 | 只看该作者
    V-zhong 发表于 2018-7-13 15:19, D, o: z( s( Y' m( a
    阻抗跟层厚有关哦
    8 g( {- [# F$ X* v+ B
    请问具体是为什么？该如何计算呢？/ I3 V3 O8 e0 m* h
    一般不都是规定单根50欧姆。差分100欧姆吗？4 s! n* ?& Y/ X
    + D" u) O1 _$ j* ]

      d$ K! p3 u+ ~" v5 I

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    we167527
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-22 15:00

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    [LV.10]以坛为家III
    5#
     楼主| 发表于 2018-7-16 08:15 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2018-7-13 19:14
    ; Y" P' n4 @7 z" D先把这篇看懂2 b4 j9 T/ p. s# N# E
    https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=55684&highlight=POLAR
    ! _* V+ f* {, j4 p) i
    谢谢！这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢？! [7 P; U, [% ~' U& ]
    单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的吗？- F" M1 w% K; \6 ?1 ]$ g
    ' g( z5 h  e3 T5 E

    . k( D( D) V. ^# N1 z% Z$ f

    点评

    Aubrey
    这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样，有专门的说明就按要求来协议规定确实是这样：  详情 回复 发表于 2018-7-19 10:58

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    Aubrey

    该用户从未签到
    7#
    发表于 2018-7-19 10:58 | 只看该作者
    we167527 发表于 2018-7-16 08:15, J3 |) `$ d, I9 T% D, U4 c8 H
    谢谢！这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢？
    . N2 j6 b% h5 M1 P% q% {% J; Q; o& ~单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的 ...
    ) y& u& o+ k, h! s" j
    这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样，有专门的说明就按要求来协议规定确实是这样：
    . x5 V# v: U9 v, o8 g
    + n. `( X# S0 i0 p6 m4 B# { PCI Express layout guide.pdf (491.08 KB, 下载次数: 1) 7 A# Q8 [* D  q& Z
    6 s+ D% T- l1 i1 N0 b* w
    / P0 I9 E. [5 T. T$ y4 m# R

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    we167527
    我想问这是为什么？ 为什么要怎么做阻抗？  详情 回复 发表于 2018-7-19 12:01

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    we167527
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-22 15:00

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    [LV.10]以坛为家III
    8#
     楼主| 发表于 2018-7-19 12:01 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2018-7-19 10:58
    4 b. y8 L0 G/ Z1 Q- p. o* {) G这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样，有专门的说明就按要求来协议规定确实是这 ...

    8 h8 c2 O# k* n2 f& Z( A# B. y我想问这是为什么？
    3 A+ m) }2 ~( b为什么要怎么做阻抗？
    1 S( a9 H, c- r  g/ v
    - }1 {' ^" H  u% }% Q; C7 z4 {& F. h2 p* ^& l8 X

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    ykwym

    该用户从未签到
    9#
    发表于 2018-7-23 09:54 | 只看该作者
    当然可以100OHM，不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

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    we167527
    是不是可以理解为是为了妥协！ 100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。 但是100Ohm信号比85差不了多少。但是会比85Ohm好？  详情 回复 发表于 2018-7-24 19:31

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    we167527
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-22 15:00

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    10#
     楼主| 发表于 2018-7-24 19:31 | 只看该作者
    ykwym 发表于 2018-7-23 09:54
    , k: w# A% F+ ]0 `, r. y+ ]0 T当然可以100OHM，不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

    / h. ], Y) I) \* Y" q# G% r是不是可以理解为是为了妥协！
    1 _4 \6 Z  W+ [4 `) F$ z100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。
    - ]8 ]: N. D' b( s" y( ?但是100Ohm信号比85差不了多少。但是会比85Ohm好？
      s5 {  G7 W; g# D

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    ykwym
    那个差异几乎可以忽略不计。  详情 回复 发表于 2018-7-25 09:22

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    ykwym

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    11#
    发表于 2018-7-25 09:22 | 只看该作者
    we167527 发表于 2018-7-24 19:31
    " N+ J$ B- M3 a3 u1 V+ o是不是可以理解为是为了妥协！; V4 D7 c9 B. a0 |
    100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。
    ; H: t6 c! n. {) C! Y但是100Ohm信号比85差不了多少。 ...
    5 Q$ S! e9 Z  c$ H0 u
    那个差异几乎可以忽略不计。
    . O9 N" J* V' `" W$ y

    点评

    we167527
    噢~  详情 回复 发表于 2018-7-25 20:59

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    we167527
  • TA的每日心情
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    2025-11-22 15:00

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    [LV.10]以坛为家III
    12#
     楼主| 发表于 2018-7-25 20:59 | 只看该作者
    ykwym 发表于 2018-7-25 09:22) }$ _; D  y: |: M& h9 a
    那个差异几乎可以忽略不计。

    / z! o/ v) x1 h" ^! D' _! Y噢~

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