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请教下大家,MOS管的ID和IDSM区别

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1#
发表于 2018-6-27 00:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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有些芯片资料里没有IDSM这项,有些有。而且字面上看这两个是同样的意思,但数值差别很大。具体IDSM有什么意义?跟ID的区别是什么?请教各位高手。谢谢!!!
7 I( \, r8 w: k9 m# P% x

无标题.jpg (157.79 KB, 下载次数: 1)

无标题.jpg

该用户从未签到

2#
发表于 2018-6-27 00:33 | 只看该作者
ID(on)---通态漏极电流 ;
& Q8 x, C# c4 \" S- @IDSM---最大漏源电流

点评

感谢大神。多问一句,在管子D和S导通状态下,考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧?望赐教。多谢  详情 回复 发表于 2018-6-27 10:53

该用户从未签到

3#
 楼主| 发表于 2018-6-27 10:53 | 只看该作者
MaxEnding 发表于 2018-6-27 00:337 S% E+ Z9 v1 p. r4 T
ID(on)---通态漏极电流 ;
6 l" R' \  h' M7 I2 s+ u" |0 `IDSM---最大漏源电流
$ A9 V+ t* i/ W4 g0 D8 S  Y
感谢大神。多问一句,在管子D和S导通状态下,考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧?望赐教。多谢. q% q* O/ W& D) q4 ]. g
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