NOR Flash的烧写问题

baijin232911

最近项目开发遇到一个问题，需要更换NOR FLASH,但是连接正常，擦出正常，但是烧写不成功，总是在E0040000失败，请论坛的大神帮忙看一下。
原来的NOR flash型号：JS28F512M29EWLA
9 w3 u- o6 C) h; i' O新的NOR的型号： MT28EW01GABA1LJS-DSITfile:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg

file:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg

baijin232911

baijin232911 发表于 2018-5-6 14:44
( \( u5 e1 S! g6 f% S谢谢超级狗您的解答，板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的，后来烧写到40000的时候就不行了 ...

今天烧写成功了。首先非常感谢超级狗的解答。做一下简单的问题的总结与思考。
（1）烧写总是到40000失败，首先怀疑是硬件的连接。万用表测量电源电压，控制电压，结果都是正常；
$ ^; Q) L, [" k6 i（2）注意力转移到软件，是否是软件设置不当或者操作不正确导致，修改设置，问题依然存在；
! J5 z; `& q- }2 T$ M* [% k+ F2 k（3）软件给出的信息，连接设备正常，擦出正常，说明在基本的硬件连接上没有问题（感谢超级狗给出的准确定位，低地址没问题，但是高地址可能存在问题）
（4）焦点再次注意到硬件的连接，从高地址一根一根查处，从新焊接，今天烧写成功。
2 g8 e* w& a9 w- G/ x: D经验：问题定位很难，但是思考的逻辑顺序一定要有：先硬件，再软件，软硬件配合（相互验证），逐步采用排除法，缩小问题的范围。这些前提是必须对发生的问题有着深刻的理解和认识，否则定位就很难，一直处于乱猜的状态，效率很低。希望自己以后多多学习，提高技能。
1 S5 W  j! _  C# E4 o' }: D, D' c+ R% N

baijin232911

. ]2 O8 G/ [  s

超級狗 发表于 2018-5-6 00:35
- c9 L8 A: S' d9 I6 ^哈！如果只有一塊板子這樣，那極有可能是有高位址（High Address）銲接不良。
# `8 l  ^+ P/ d! p; M/ R
' |, L+ P, e1 S% |8 K  H1 Z! W因為讀取 CFI、下 Comma ...

  谢谢超级狗您的解答，板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的，后来烧写到40000的时候就不行了，出现了如上图所示的错误。  按照您的描述，16进制的40000约等于10进制的26K,算了一下，应该关注A18以后的地址线的焊接，这样理解不知道对不对。
0 h) }& P+ L$ o" T. l$ s6 ?  这几天我也看了手册，更换的NOR FLASH的型号应该比以前的速度要快，因为工艺的原因，如果排除硬件的原因，会不会要更改一些读写参数的时间设置满足要求。下周一再试一下
$ v( ~8 z0 ]% I0 W2 z. 不管怎样，搞清楚了VPP电压的意思和擦只要低位地址的信息，谢谢您的解答。

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38
超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电 ...

以前的閃存 Vpp 都要加 12V 高電壓才能做清除或寫入，現在的閃存 Vpp 可以加 Vcc 的電壓就能寫入，只不過有些閃存仍保留 Vpp 加高電壓能加速清除或寫入的功能。
& z6 G$ l- z6 O# }7 }
/ u+ o( G, I+ B外接萬用燒錄器通常會這樣設計，因為我沒有你的原理圖，不知到電路上是否有 Vpp 高壓的設計，所以做一下提醒（怕電壓過高把新型號的閃存弄壞了）。原則上 Vpp/WP# 有接 Vcc 就可以，清除及寫入會慢一些罷了。

另外請教一件事，0xE0040000 是系統中閃存起始的位址嗎？我只是要確認，是不是寫入第一個 Byte 或 Word 就發生問題了。

dqwuf2008

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超級狗

抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？

一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "program 1 over 0"，似乎意味著內容沒被清除乾淨。
& q) V7 H( n; _/ d2 f
/ J! V7 o4 [: _! _0 ~6 I0 I7 ~2 W1 C* \* ]
/ l8 p5 s. k* d: D- J

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-4 15:53
抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？

一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "pro ...

首先感谢超级狗的热心解答，软件给的信息如下，擦除是成功的，至于bank的检测，至少在软件操作步骤上好像我没有遇到（我用的是J-link烧写）
& D& }  u% K5 e* Z% f; U/ [. D

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-4 15:53
+ G  c1 S) M& U( f抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？

一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "pro ...

两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。
* c: l, t( ^0 D+ k, r

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:20
# F4 I& s; K0 K7 L, d/ u( `首先感谢超级狗的热心解答，软件给的信息如下，擦除是成功的，至于bank的检测，至少在软件操作步骤上好像 ...

. l6 x  j7 _1 G, W擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成，你最好執行 Black Check 確認。

+ Y! V3 ]; p/ k1 A
) s7 V4 h4 J9 B" j6 l

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 10:44
擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成，你最好執行 Black Check 確認。

/ I* ^/ V( T0 Q' x" m% w谢谢，资料很到位。我再看一下，把blank check 做一下。
) X$ G& w3 s" U) y: O4 ~8 d# s0 s3 t4 S

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23
& \0 Y9 ?4 [- ^1 B" U, Z两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。

0 e4 V( ~5 j! i  {7 }加速寫入及擦除電壓也不同！
% m- z& Z: f, [2 k1 T! q
3 k5 |1 J% P+ x1 u$ }# Y

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23
两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。

還有一個提醒︰
- i0 |. W% ^; f2 K$ @  E9 _& z容量從 512M bit 變成 1G bit，當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧？

超級狗

* e7 x$ C" u2 n
MT28EW VHH Recommendation
7 t; v' V8 m; v7 a7 w* c
6 R' q  \2 F. @4 B6 u呵～規矩還挺多的！

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 11:58
還有一個提醒︰
- F- J: p" f( c* i- q# o' m9 H0 O& ^容量從 512M bit 變成 1G bit，當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧？

这边都加了，用的0欧姆的电阻进行连接，超级狗，真心佩服你的细心和专业，向您学习。

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 11:21
加速寫入及擦除電壓也不同！

超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电压是从哪里来的呢？板子上没有这么高的电压。如果是这点导致的，怎么做相应的修改呢。准备再换一块试一下，先排除一下焊接的问题。
! V, Z' }% ^) y

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38
' N: E3 {' @2 k3 @6 N  Q超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电 ...

* @! `0 s8 |- N/ R! M+ j& B, E3 I哈！如果只有一塊板子這樣，那極有可能是有高位址（High Address）銲接不良。

2 `8 {, S: J5 R9 T$ D因為讀取 CFI、下 Commanad Erase ……都只要低位址（0x555 或 0xAAA），所以 Link 階段及 Erase 可以成功。低位址的 Sector 也都能寫入，但到高位址就失敗了。
9 F/ E  V6 z; Q
9 }2 I/ N! ?% K* A2 {$ W8 R

% X) w( z2 L' B2 M7 J: B
4 W8 z: z8 B" Q2 e

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