NOR Flash的烧写问题

baijin232911

最近项目开发遇到一个问题，需要更换NOR FLASH,但是连接正常，擦出正常，但是烧写不成功，总是在E0040000失败，请论坛的大神帮忙看一下。
原来的NOR flash型号：JS28F512M29EWLA
' L3 s$ |  h' F# E9 U* F( C新的NOR的型号： MT28EW01GABA1LJS-DSITfile:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg

1 ^7 z! N% G) L/ mfile:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg
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baijin232911

baijin232911 发表于 2018-5-6 14:44
+ h; ]- |: k. U" C: {) ~谢谢超级狗您的解答，板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的，后来烧写到40000的时候就不行了 ...

8 }9 C+ b; s, T; Y( _- N今天烧写成功了。首先非常感谢超级狗的解答。做一下简单的问题的总结与思考。
3 m  J" ~& ~, |5 ^; x. {+ d, q（1）烧写总是到40000失败，首先怀疑是硬件的连接。万用表测量电源电压，控制电压，结果都是正常；
3 p) d. H- V0 H7 u! {' Z. t（2）注意力转移到软件，是否是软件设置不当或者操作不正确导致，修改设置，问题依然存在；
3 X% p. u9 r% Z（3）软件给出的信息，连接设备正常，擦出正常，说明在基本的硬件连接上没有问题（感谢超级狗给出的准确定位，低地址没问题，但是高地址可能存在问题）
（4）焦点再次注意到硬件的连接，从高地址一根一根查处，从新焊接，今天烧写成功。
+ k, U$ b, h; f5 p) ^& n* ?. _6 a4 t经验：问题定位很难，但是思考的逻辑顺序一定要有：先硬件，再软件，软硬件配合（相互验证），逐步采用排除法，缩小问题的范围。这些前提是必须对发生的问题有着深刻的理解和认识，否则定位就很难，一直处于乱猜的状态，效率很低。希望自己以后多多学习，提高技能。
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baijin232911

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超級狗 发表于 2018-5-6 00:35
1 o2 y" V, i3 H7 P哈！如果只有一塊板子這樣，那極有可能是有高位址（High Address）銲接不良。

因為讀取 CFI、下 Comma ...

; C+ i! C4 ?( ?8 V+ `; P  谢谢超级狗您的解答，板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的，后来烧写到40000的时候就不行了，出现了如上图所示的错误。  按照您的描述，16进制的40000约等于10进制的26K,算了一下，应该关注A18以后的地址线的焊接，这样理解不知道对不对。
/ m! K- n; }4 f* A8 G  这几天我也看了手册，更换的NOR FLASH的型号应该比以前的速度要快，因为工艺的原因，如果排除硬件的原因，会不会要更改一些读写参数的时间设置满足要求。下周一再试一下
$ Q3 _8 N0 v, |% P. 不管怎样，搞清楚了VPP电压的意思和擦只要低位地址的信息，谢谢您的解答。

超級狗

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baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38
* Y+ s, d- |5 U( ]2 B  i9 f超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电 ...

$ V5 L7 {( v9 G& F以前的閃存 Vpp 都要加 12V 高電壓才能做清除或寫入，現在的閃存 Vpp 可以加 Vcc 的電壓就能寫入，只不過有些閃存仍保留 Vpp 加高電壓能加速清除或寫入的功能。

外接萬用燒錄器通常會這樣設計，因為我沒有你的原理圖，不知到電路上是否有 Vpp 高壓的設計，所以做一下提醒（怕電壓過高把新型號的閃存弄壞了）。原則上 Vpp/WP# 有接 Vcc 就可以，清除及寫入會慢一些罷了。
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另外請教一件事，0xE0040000 是系統中閃存起始的位址嗎？我只是要確認，是不是寫入第一個 Byte 或 Word 就發生問題了。

dqwuf2008

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超級狗

抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？

一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "program 1 over 0"，似乎意味著內容沒被清除乾淨。

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baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-4 15:53
% ]+ f2 H' I5 w: t抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？
0 {1 @" a  p2 E! }
  l! C7 u9 r$ R& x* P6 \一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "pro ...

2 A* h$ ~8 z& H; ^8 C% R* v首先感谢超级狗的热心解答，软件给的信息如下，擦除是成功的，至于bank的检测，至少在软件操作步骤上好像我没有遇到（我用的是J-link烧写）
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baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-4 15:53
- Z8 s) O0 u( e6 H! W$ c抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？

8 t' a8 |/ j4 W9 Y一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "pro ...

两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。
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超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:20
首先感谢超级狗的热心解答，软件给的信息如下，擦除是成功的，至于bank的检测，至少在软件操作步骤上好像 ...

& A+ h  K, }0 T/ m擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成，你最好執行 Black Check 確認。

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6 U7 j* Z+ }) z- k: e' P' {* ]

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 10:44
擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成，你最好執行 Black Check 確認。

谢谢，资料很到位。我再看一下，把blank check 做一下。
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超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23
/ T& W( |  Q# r/ |两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。

+ I! o% A9 e% l+ \; Q加速寫入及擦除電壓也不同！
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& h$ r/ A: @) s2 l' e) G

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23
两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。

還有一個提醒︰
' S1 N7 |1 A6 t9 v$ F7 B! D容量從 512M bit 變成 1G bit，當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧？
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超級狗

/ }: i2 R, E: G3 N6 ?
# G8 J0 h2 f+ r# |' ]8 E' l& TMT28EW VHH Recommendation

* t* T$ W% C. m3 M+ G5 u) v1 e呵～規矩還挺多的！
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4 m6 ?$ k7 x, ]2 n! W$ d' C

) C+ i3 {8 Q3 j8 F- j- M

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 11:58
還有一個提醒︰
容量從 512M bit 變成 1G bit，當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧？

这边都加了，用的0欧姆的电阻进行连接，超级狗，真心佩服你的细心和专业，向您学习。

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 11:21
9 m4 x$ _6 [" J! C' B7 k加速寫入及擦除電壓也不同！

( N) T# X) F0 @超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电压是从哪里来的呢？板子上没有这么高的电压。如果是这点导致的，怎么做相应的修改呢。准备再换一块试一下，先排除一下焊接的问题。
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超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38
& v! _  W# w; X& c9 T超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电 ...

  w. Q1 c. q3 I! _' o哈！如果只有一塊板子這樣，那極有可能是有高位址（High Address）銲接不良。

2 x: U: b9 g- j- C因為讀取 CFI、下 Commanad Erase ……都只要低位址（0x555 或 0xAAA），所以 Link 階段及 Erase 可以成功。低位址的 Sector 也都能寫入，但到高位址就失敗了。
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