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[Cadence Sigrity] DDRx的端接电压VTT为什么是VDD/2而不是VDD?

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1#
发表于 2018-3-23 13:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,DDRx的VTT为什么是VDD/2而不是VDD,这样做有什么好处?期待高手帮忙解答~~& e0 d( v  j& `% a- G8 w* N

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2#
发表于 2018-3-23 14:21 | 只看该作者
高低电平是有要求的,如果拉到vdd那么没办法判断01,而且功耗太大

点评

xyh
SSTL规定是高于VDD/2为1,低于为0,但是仅仅在阀值位置能起到作用吗?  详情 回复 发表于 2018-3-23 14:34

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3#
 楼主| 发表于 2018-3-23 14:34 | 只看该作者
diff 发表于 2018-3-23 14:21
5 V! @! M$ M6 W, P9 a. q/ \( i高低电平是有要求的,如果拉到vdd那么没办法判断01,而且功耗太大

- |6 b6 u# J% P4 p" mSSTL规定是高于VDD/2为1,低于为0,但是仅仅在阀值位置能起到作用吗?
5 y" e; x, `$ |3 O7 G

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功耗打了一倍  详情 回复 发表于 2018-3-23 16:08

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4#
发表于 2018-3-23 16:08 | 只看该作者
xyh 发表于 2018-3-23 14:34
/ J2 c1 {2 V6 k5 d! _1 QSSTL规定是高于VDD/2为1,低于为0,但是仅仅在阀值位置能起到作用吗?

; ?/ ^2 m6 A# h7 y$ m6 C1 n功耗打了一倍) X- c  U6 a2 T0 c  p

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5#
 楼主| 发表于 2018-11-16 09:23 | 只看该作者
这个问题目前理解到以下阶段了:实际在DDR1-3使用的都是SSTL电平,其终端电压为VDD/2,其好处就是可以降低寄生引脚电容和I/O终端功耗,并且即使在VDD电压降低的情况下也能稳定工作。DDR4使用的是POD(Pseudo Open Drain,伪开漏)电平标准,其终端电压使用的是VDD,有资料显示器功耗更低(高电平时电流较小或几乎没有),既然使用VDD功耗更低,为什么不一开始就使用?

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6#
发表于 2018-11-16 17:11 | 只看该作者
DDR4就是拉到VDD

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xyh
是的,我的疑问时“既然使用VDD功耗更低,为什么不一开始从DDR1就使用?”  详情 回复 发表于 2018-11-19 08:59

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7#
 楼主| 发表于 2018-11-19 08:59 | 只看该作者
攻城拔寨 发表于 2018-11-16 17:11; ~6 ^  A0 X) N& {5 m/ s
DDR4就是拉到VDD
6 X2 z$ L: E# _. n6 U
是的,我的疑问时“既然使用VDD功耗更低,为什么不一开始从DDR1就使用?”

点评

我猜想与芯片的制程工艺有关。你用DDR1上拉到VDD,片子还能工作吗?功耗会不会变小?有没有条件实验一把  详情 回复 发表于 2018-11-20 11:56

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8#
发表于 2018-11-20 11:56 | 只看该作者
xyh 发表于 2018-11-19 08:593 K3 g7 ?( j1 J5 x6 g7 [
是的,我的疑问时“既然使用VDD功耗更低,为什么不一开始从DDR1就使用?”
: b' u$ y% d0 |  k! G- N
我猜想与芯片的制程工艺有关。你用DDR1上拉到VDD,片子还能工作吗?功耗会不会变小?有没有条件实验一把& S( S6 [( K, _* W1 E1 P

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9#
发表于 2019-1-4 13:05 | 只看该作者
DDR3 把VDD 分为VTT 和Vref
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