i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
- K+ b, x6 j/ `( c9 P/ f$ E7 q

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

' Y1 J; Y$ h6 `$ |/ k# |5 I/ jDDR Freq: 396 MHz

- z& f$ _) B0 Y* n5 rddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
) V" K$ d4 T9 L8 }* K    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
/ b9 g* @( X, g/ x    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
7 y' s9 x+ Z; b; h" w* n
" s, p% l( M, a9 f$ E) {Starting DQS gating calibration
9 ?( O6 `& Q: W" }  }$ }. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
: z+ k. p/ P9 F. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
* |( i  S( G0 w/ D# `6 [. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
( N- f5 a0 S; B4 u& r. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
% |+ E5 I3 ~9 P: t' |! H. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
! Z* f) z+ R8 |1 P  L8 \1 B& ?7 C- z. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
; W: H  B. P% A+ I& C. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
: x" a6 {) Y6 l# G% p& Z% p. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
4 h% @& a) S$ K7 L$ j0 i' \. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
; p" P5 x  P' W6 Q% I. y! z. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
* o" L9 }. I8 `/ j: N6 k, O4 v+ aERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
8 E- z- T( @3 `6 m6 w) {% k  edram test fails for all values.
% Q7 J) b4 k  T! q5 _
. v: U: k( O* z, `Error: failed during ddr calibration
9 j1 A  ^" l. }( S6 J& h5 \* m

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
: S" `4 O* t  W5 }可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
5 e/ [) v9 x; v# n7 h; w: V( q
ddr_mr1=0x00000000
' J; L0 n8 |  [! C; X3 g0 k; gStart write leveling calibration...
) C2 ~' K. A8 v1 j7 m5 V" ~# S% d. Nrunning Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
) H0 b- d; v: r2 F* p    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
) ~/ a8 M) ]" o2 O   Write DQS0 delay: 7/256 CK
# f& r0 x. m. N; @' b   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
: e9 l; ~  K0 U& {& K. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
) |, _% {9 Z7 c/ D) B. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
* |7 B# m2 L3 M8 M* X  o9 w. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. \) X8 ~: m0 V* }3 d. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
' h: a; p- _7 ~' Y- v5 \. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
; O0 |# i" m# M! V. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
$ x  V, r# t+ \* p+ F& |& K3 |0 A. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
$ K' B) [3 q- M# s+ |- ?. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
8 ]; y1 _" G7 R" C2 l/ m' Q0 H. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
0 r0 v4 s3 m. O* v8 ]. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
2 r. d9 b9 L) ?/ V, o. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
7 u* v( J2 M9 D: V% B! Edram test fails for all values.
  }, }/ a/ }6 U+ v7 |) _* f
6 m6 R: W/ V6 R( M+ uError: failed during ddr calibration
% T" o" Q3 e# }( v" Z% r

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
, {5 x0 x6 a5 {( O: k& H8 G+ h+ z2 A试过，也不行

/ j, {8 n" A7 T" J我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
9 T3 [8 w; R1 q7 p: S$ a1 I& {还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。

https://community.nxp.com/thread/365106
' o3 C, Z5 \! |  w
: I0 a/ P! N4 Z* T" X; t
4 m( n6 n. W& I3 v1 F* q2 @+ z5 s  r

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  . a$ F5 l1 [) J3 P* G, ]% j# [10 : LPDDR2
  . Q2 l' ~  ^9 v' R: x" R& _11 : DDR3
  0 i  @) e$ }8 {9 G' t

  V) S, u$ m/ Q- ]# v
' ]6 V  b" u2 y  @# L) Z

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
$ r  K, s0 ?2 B; I! |! V6 n填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
" e3 `4 N) y; ]
# C' M$ h* r% e' V1 i如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。


9 R( Y, N: g4 g0 |

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark