i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
6 Q) h, i: ]; ^1 M3 s4 w

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

2 C2 l% e7 G) A  b$ s+ o( P9 c2 eDDR Freq: 396 MHz
8 l/ f& K# z1 G# E; \9 q- x& S
ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
* h! v' `! W$ w1 [9 T. z" Srunning Write level HW calibration
  [2 F! {* o+ B' H: |Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
% M& }9 a" s# q    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
4 `- W( e/ Y" S& Q   Write DQS1 delay: 3/256 CK
9 d) `0 B. A3 E# u0 R
& I4 @. C/ r; G. RStarting DQS gating calibration
5 o# f' g. d2 O5 Z8 A. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
5 W% E) w( G: \' I. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
  h) H3 ^& a' B: W* `9 o( ]  ]+ l8 _. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. I9 ?  C; U4 o6 o- I* v% J. ~  e  _. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
; w7 }2 |+ ?  U+ C! V. \. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. I/ H! S# }" O. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
# Z  a/ H5 N1 P$ w8 `8 e. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
2 m( q: f) i0 Y" r# a  d4 O& Tdram test fails for all values.

: e4 B% y$ g8 X6 KError: failed during ddr calibration
& F4 t+ c7 H  o2 g/ j% j" d: h
" @' R" ~1 I+ ?) u" r

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

$ Y1 {0 }  b& E2 }填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
" F* L9 a7 n8 n2 o3 A: P

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
8 j9 N. L" i' Y( c    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK

4 L3 W& b; \4 N# x# Z1 ^Starting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
9 L+ s0 h; R8 L( ]% Q$ `# A$ S. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
# z1 C4 M$ D; I- y% z6 }$ ^. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
+ {$ H: B4 S; P, N+ N1 m. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
3 K) L8 L5 ?! D! k. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
/ ^2 p0 Z* K5 ]5 Y4 q: q7 d* G
3 y! g6 F& o! X  FError: failed during ddr calibration
) K! V: ?- z& r7 w) Y- U; e

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
/ f" Q: [& I2 b4 |/ x/ C试过，也不行

, H/ ^  A* O% [7 l% @我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
1 b1 S! w: C+ T7 |: |# Y还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
/ i' V- |9 U" I. {6 G  D

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
( Z/ I2 T' C8 s2 i5 ?3 Q
https://community.nxp.com/thread/365106
9 K4 u  G% Q2 r
! [: ?6 v  t: l; J8 ]/ A

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  ; M9 N  p3 d" @$ K& V, Z! B7 D11 : DDR3
  

: a; B( \$ m5 E

超級狗

. J1 c( ~* t  ^5 ]: S$ ~. ]

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
  W+ N, v: d3 i6 R! b: {填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
2 h$ b7 u7 f" L2 ]
如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
+ \1 ~5 i. T# `* _7 T3 w
+ Y" R, x1 s: W- d9 H5 p3 M
/ N! d  {* c$ ^4 Z2 z% f

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark