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i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

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  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
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    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛,我们用的是1个DDR3芯片,就是跑不起来,哪位大神用过请指教一下啊8 f7 \8 z3 l  m3 N" }- X$ O

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    支持!: 5
    總有錯誤訊息吧?>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48

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    2#
    发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
    生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗?是否有参考的开发板?

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    填的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的,PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10
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    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
    天的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的,PCB由4层变成6层的
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    [LV.3]偶尔看看II

    4#
     楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者
    ) s4 `# _2 j# y0 u" S
    DDR Freq: 396 MHz
    3 F% s& _: W1 k
    # C$ [1 G+ \1 H0 |2 T  C0 Iddr_mr1=0x00000000
    ; E( j- g7 w; _9 Z: u# DStart write leveling calibration...3 o: i* D  h5 Y+ l9 G7 [
    running Write level HW calibration/ C& ?/ `3 g# ?& R
    Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script% H  Y6 b' {5 e2 a
        MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007' }4 E' C# A9 c  w8 o
        MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
    ( C, _+ O( V% Z* ^) KWrite DQS delay result:
    9 S0 p1 p% N0 b   Write DQS0 delay: 7/256 CK
    ! Z+ [5 y. h2 ?1 |2 {/ p9 L   Write DQS1 delay: 3/256 CK
    , h2 i: j( }, t! g2 \1 R5 Z& k
    7 J0 u2 r% y/ E. M7 S' b9 fStarting DQS gating calibration* G6 G  K& ?% Y5 Q. q- o
    . HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x000000116 F9 ^! R& I5 z' W. l# {
    . HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011( s+ p* f4 e( A0 `, B5 i3 d# G& T
    . HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
    0 q3 f3 F0 U& t% @3 f. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011  V& a) ^; u9 C- t  N" y% V
    . HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011* L3 g* e- Z2 |/ S) h
    . HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
    ) s) S6 P8 s: m. |/ |. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011# @" Q% v/ u- Z
    . HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011% ?3 B2 ]" u' Q; Z' U/ i0 d
    . HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
    " X9 o) _7 A" K1 b. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
    4 b. m* d% h- F& Y" |& ?4 _1 K. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
    1 @0 S1 @; y( L; E. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011# p( a; L; w) R
    . HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
    . p: W- Q7 }" j: L. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
    9 R+ ~; K' [( y2 ^0 s* \: NERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
    6 |. I6 {8 X# T# U6 `dram test fails for all values.
    7 n) u. n  Y1 O& _( r( {8 R2 T
    & ~- g! v3 ^. O& `8 U" SError: failed during ddr calibration4 z& U9 k% F! G. S) G! I& X
    % f$ m; X& u3 B0 O; d

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    5#
    发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
    4层改6层DDR阻抗控制做了吗?DDR尝试把频率降低再校准下

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    6#
    发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
    可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration,一般ODT可以尝试60/120ohm。

    点评

    试过,也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10
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    7#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
    kele1983 发表于 2017-8-21 10:417 K& S1 [$ S# h" a$ S. f7 A5 ?
    可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration,一般ODT可以尝试60/120ohm。
    8 V: P4 H+ |' |5 A
    试过,也不行
    : n. P$ r. l: }# u

    点评

    我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定,有时能启动,有时不能启,是因为DDR容量比原来翻倍之后,没有更改内存刷新时间,自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37
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    2021-8-6 15:10
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    8#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01( n3 e6 @! `8 p# L
    生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗?是否有参考的开发板?
    6 z5 a5 d4 J* U8 i* E
    填的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的,PCB由4层变成6层的8 \1 }' z: ?0 r5 o: Q

    点评

    走線不變、但層數變了,銅皮夾層的厚度也會跟這改變,阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言,可以嘗試調整驅動能力(Driving Strength)看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28
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    9#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
    DDR Freq: 396 MHz
    - F4 D6 ?  C2 M6 k# ?& Y6 C% V8 R) V! E4 A3 p; b7 ^
    ddr_mr1=0x00000000
    ( `8 O' n' {! [3 `' Z0 `, O7 dStart write leveling calibration...
    5 ?8 R: ]" s! k; B1 j  B- Prunning Write level HW calibration) f$ V& B4 {0 ]. x& M/ p& Z
    Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script6 |7 n% Y+ ~! n$ M, M; X
        MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    % f0 V( ^# {$ h    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
    + O7 t' ~1 E6 ]3 k8 |4 R; o  ]/ WWrite DQS delay result:
    ' P: A# H2 F; u, N- C5 R2 M% L3 ?   Write DQS0 delay: 7/256 CK
    4 C; G& D; B  i( \* l7 s% q   Write DQS1 delay: 3/256 CK! T4 R8 W+ }4 T4 s; z

    + g6 m+ N1 s( [* R8 d- y# @/ eStarting DQS gating calibration5 m* f2 s) U! m' D% b8 Q
    . HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011- s! M0 ~$ o# u* u% J3 ~% i; ~) X
    . HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
    2 \, Z. c( I( q" f. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011, C9 N& F( Y; n2 W: z' L
    . HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
    6 a. h8 }# R% F4 T! T: M$ \3 L. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011( w: s& [2 k+ r5 V& y
    . HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
    6 Q4 ~1 N% Q  w. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
    & R: r6 }, Y0 D7 X. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011% F- J+ d4 J" ~. J9 a# K% R( \* ?
    . HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011/ D$ u- r- q* d$ y% n
    . HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
    # t4 V4 M  G' w. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011! p# f1 H/ z2 v. Y
    . HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011* I+ y7 x& ]% t! v& K7 O, S
    . HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
    ! a' W. g4 W% C- v2 S. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011' R- V! }1 K4 E: B# W7 A( Y4 e: Q0 i
    ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!/ T* Q! U1 {  t! x
    dram test fails for all values.
    - f, Z' I. `; u- h% A8 _& b9 R2 y+ A9 [
    Error: failed during ddr calibration; M% ^$ ?. W( N/ Q  }9 n+ m6 R6 R

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    10#
    发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
    gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
    $ J! h4 |' E( a. b  {试过,也不行
    8 L3 ^% a+ y  P! M; W; [  ]7 k6 V
    我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
    - B: y( \- \, R. J+ s  @( Q还遇到过一次板子不稳定,有时能启动,有时不能启,是因为DDR容量比原来翻倍之后,没有更改内存刷新时间,自刷新时间太短造成的不稳定。/ z5 `$ V  v: r' U- U, d; @: A1 e
    我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确,你可以参考一下。
    / L5 p2 |- S+ |3 G/ l2 ?& C- @0 \) _0 c* Y

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    参与人数 1威望 +3 收起 理由
    超級狗 + 3 很给力!

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    该用户从未签到

    11#
    发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
    挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人,有人做如下的建議。
    + L+ V$ y9 Y- x4 r1 B4 _  A5 R6 o4 r5 ?8 C& E8 X1 n& l% X# f& E
    https://community.nxp.com/thread/365106
    5 O% v" E' p! j) B3 U7 U8 f
    ; O2 a. K2 ?; a/ T9 D& O4 _, `  L% F! \: [, u' U* Z
    • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx": C+ j, Q& f8 A+ g
      https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
    • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
    • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
      * K: g& j7 W2 \/ g; |" K7 D5 k10 : LPDDR2
      ; d6 c8 X, @4 G11 : DDR3
      $ X0 H1 W% j% A3 C6 U1 U
    3 M3 I0 c+ r5 r; i. Z* l

    6 r, E9 Y+ E' g- H

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    12#
    发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 8 a* s0 P& ^: r
    gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:107 c/ J2 `+ w5 E, @- ?7 K) Y
    填的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

    9 a. i' u" O8 j' P 走線不變、但層數變了,銅皮夾層的厚度也會跟著改變,阻抗有可能會受到影響。5 ~/ u$ H8 i/ ^
    ) Y: Z+ `) k& v: E5 C, X9 I
    如 10 樓所言,可以嘗試調整驅動能力Driving Strength)看看。
    2 }' v& g6 t. H) a& b) r6 m) y0 {! v0 o; A( D& d
    + o0 k% \7 I, U, [* }

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
    狗版主,这么翻译飞卡要气死

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    肥死卡好!>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

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    14#
     楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
    已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的;我们从新焊接了新的1Gb的ddr3,就可以通过校正了

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
    路过,学习一下 mark
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