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敷铜连接方式疑和晶体电容位置的疑问

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  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
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    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2017-8-18 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    1.敷铜连接方式疑问. 哪种更好些?: g% d0 Y+ r( G9 d* T
      十字型连接或者直接相连.如下图所示这两种。
    3 e, P1 g& Y7 {$ E8 U$ @   哪种更好,对于贴片是否有影响?我只知道第二种手工焊接的话GND焊盘很难上锡。
    1 n4 s$ k& U; A; W$ r, k  Q& n   
    9 Y+ F9 g- ?) m; G: D2.就是上图中晶体的电容放置的位置,是放置在如图所示电容末端,还是放置在电容前端更好? 谢谢指教。' R; ]+ }# \9 V6 `2 O; z3 S- S

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2017-8-18 12:18 | 只看该作者
    1、电流不大的前提下,还是十字连接好些。不然散热太快,不好焊接1 N! Q0 V. s% k
    2、电容最好放在晶体前端,以防stub

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2017-8-18 13:11 | 只看该作者
    本帖最后由 yihafewu 于 2017-8-18 13:12 编辑
    $ J! I8 B( R1 j3 s+ P
    ( \7 [. q3 d3 j同意楼上
    6 L: p* C& p/ ~" T, ?1、手工焊不好焊,回流焊易立碑/ W6 T% \: U. W4 z* T4 G
    2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割,只在IC地脚相连。晶振底下不要走信号线,我说的是上面那几条。

    点评

    同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。 [attachimg]130601[/attachimg]  详情 回复 发表于 2017-9-12 14:18
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
     楼主| 发表于 2017-8-18 14:38 | 只看该作者
    谢谢!
    ! l3 V- ?- M4 C! g3 V. b1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...! `2 A1 i+ Q3 l9 a; ?7 o" K% K
    2.这个是PIC单片机,8MHz. 量产的就是这么设计,我之前看过评审建议电容放前端,因此有疑问,那么下一版如果是我负责就改过来

    点评

    就是该放前面,而且焊盘必须放在走线上  详情 回复 发表于 2017-8-18 18:41

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2017-8-18 18:41 来自手机 | 只看该作者
    本帖最后由 WattleHua 于 2017-8-18 18:44 编辑
    - i& D! ]% C6 P/ q/ Y. @
    lize314 发表于 2017-8-18 14:385 C! g7 ~8 U, x" m3 M( t! T
    谢谢!
    1 l- N; F5 |5 ^9 x% w& e1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...
    3 M. ?: b: S' z, w8 L2.这个是PIC单片机,8MHz.  ...
    $ m' b) ~- f) v
    我目前只要没有特殊要求,6层以板子全部都是直接连的,不用十字。
    $ H4 p0 f2 c2 K电容应该放在晶振和单片机之间,而且焊盘必须放在走线上。不然你就放背面,和晶振管腿只隔一个阻焊桥。

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2017-9-12 14:18 | 只看该作者
    yihafewu 发表于 2017-8-18 13:11
    $ o2 X; q3 C, y* R0 g7 T同意楼上3 z' B( W7 u9 [% b1 ?% ^
    1、手工焊不好焊,回流焊易立碑
    % A) b" G* ^; M% f( D1 J) y; w1 @  O2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割, ...

    0 N8 o0 l7 r8 N* E( b  K( _9 q* D同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。$ b5 N7 d3 {% p$ r  o: @
    8 ]' z" W; d6 k2 l! U) S& V& ]) w1 w

    点评

    我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没  详情 回复 发表于 2017-9-13 09:41

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2017-9-13 09:41 | 只看该作者
    疾风飘流 发表于 2017-9-12 14:187 i, B/ x" \! Y6 Z8 x& v. l! Z
    同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。

    + |: Z- s! Y' |我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没错的,条件允许的情况下越短越好。
    5 k4 I0 Y' F1 u3 |+ d第二个问题是,避免出现stub,对于高速信号来说(即上升沿下降沿很陡的信号),会导致信号反射。第三个问题,各自信号到负载电容的走线要尽量一样,至少误差不能太大。针对这两个问题,将电容放内侧,并使信号线直接走到电容焊盘再到晶振,即避免了stub的出现,又使各自信号到负载电容的走线一样长。* |5 U5 I- M2 g
    ' }% C, E& b1 g+ Q
    : d* {) i% g* T
    其实我也是根据厂家推荐的方式来布局晶振,也没有太多的理论知识,因此上述看法仅供参考。) T  x$ v. u, h! H- x9 M
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