MOS管开关的问题

超級狗

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
  P1 V: w* B9 a; q) ~2 R! z电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

9 X3 ]! ?( M5 ^我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……



不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。
, ^" M! J0 _! i% ~7 v% q
R74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。

不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。

+ l: Z" W# o/ d2 q

超級狗

USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定

+ H! f( h. _1 x8 D( e# @順便給這份文件好了！

9 v4 s! R4 x/ h) S

付官星

如果是因为R47改为100K造成的，那就是T8的控制斜率太大造成的，办法：1、减小R47;2、增大C67

松哥无敌

超級狗 发表于 2017-7-8 15:39
USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定
6 R# \; j: i" G' Q( K& j8 ]
5 M9 M2 j/ ?9 B& |) |' q  _0 h0 @8 U順便給這份文件好了！

狗大叔我对的你崇拜又加深了一分。。。

fashaoyou

T8打开太快了啊，加soft start试试

kobeismygod

超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

- q" H7 L9 C' O; s, G  K超人表示不服！
( |: H6 d- o  H/ A3 i$ Q* Q% mC68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了

mirage_huang

非常感谢各位的回复，后续还会验证这个问题，谢谢！

lizudong

100K时 电流小，三极管放电能力更快，也许可以这么理解

zrqiu1314

学习了