MOS管开关的问题

超級狗

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……
+ k+ U( L% ~) R' Y8 v3 n* ~( r, a" G
2 Q8 C" g1 x& s3 c- N3 h; F* L

7 s% \8 S+ n+ b& Q- t不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。
# w( \2 ]& X5 J
) B1 e: ~( K0 SR74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。
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不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。
1 p6 h" }: I. O% b+ E
' ^: n& M/ Q; V, O( M1 {7 b
. U' R/ c1 K+ c  l$ {- q- U

超級狗

USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定
  H; J9 V" Z( u/ {2 E9 i3 \6 V
順便給這份文件好了！
3 V7 Q' R% i+ V/ L$ n
: U: Y) ~* D& ~. Z, K5 u" x* P. ~  }

付官星

如果是因为R47改为100K造成的，那就是T8的控制斜率太大造成的，办法：1、减小R47;2、增大C67

松哥无敌

超級狗 发表于 2017-7-8 15:39
* W  @& D& D3 e- @2 b$ _, @* |USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定

順便給這份文件好了！

+ b" n+ B% l2 n4 M9 n( M3 v5 Y狗大叔我对的你崇拜又加深了一分。。。

fashaoyou

T8打开太快了啊，加soft start试试

kobeismygod

超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

0 r$ Q: U: k8 H4 r) n5 B7 L) Q% s% Z超人表示不服！
C68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了
9 F: T% t) x. v4 c+ ?

mirage_huang

非常感谢各位的回复，后续还会验证这个问题，谢谢！

lizudong

100K时 电流小，三极管放电能力更快，也许可以这么理解

zrqiu1314

学习了