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DDR3的这些NC的到底要不要?

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1#
发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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6 ~0 w9 q8 ^9 k2 e% K如图,参考的资料里面J1,J9,L1,L9,M7有两种不同的接法,问下这两种有什么区别?, e3 W* k4 C6 ?0 N, {4 Y/ ^( B

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2#
发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。0 ^  o. @; Z9 t" c& Y
比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就能用到了

点评

您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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3#
发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒,资料写的很清楚,不连,你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 4)

nc.jpg

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4#
发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1CS1N 是為了雙顆粒封裝DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多了一根地址線容量變大)。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的,因為 Pin K9 也是 CKE0,推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。3 K, ?5 u* v' Y, k- N- q4 K
+ ]3 u9 r+ N, m

) j1 {; i* A3 D+ [8 y6 T; c6 P. r, O- v

点评

谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16

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5#
发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过,顺便看下。

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
當心被流彈波及,有時候看熱鬧也會出事!^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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6#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51: O$ j' M  N" K! C0 ^  X8 s, s
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。% T# ~6 E! O( p' \+ z
比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就 ...

1 |$ p* }5 g) c9 F4 Q- h+ v您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分7 y2 Q( Y4 q# p( p$ \3 Z* t

- i  W6 m+ @' w3 \" s5 b Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 10) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 3)
. {) X, i, D# `# ]& a" t8 h- p$ h; ~% r0 k5 ]

3 }) F  n( o; `  T
3 M" t- G5 E1 p9 a4 L

点评

一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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7#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多 ...
  • ' _2 k4 D* x! p6 I6 P! x4 J
    谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    1 E- x6 y/ G9 D2 E$ Q- w

    点评

    多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝(SDP︰ Single Die Package)就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    9#
    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16* i! h, |% f' n: a( y
    谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    ! V  g7 o# ]( A0 w8 m
    多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝DDPDual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝SDP Single Die Package)就會取而代之。
    . \( N1 j) h; p6 A( K. C0 H- H+ M1 A9 P: V
    兩個 4Gb 的顆粒,等於一個 8Gb 顆粒,算法上是沒錯,但要注意封裝的方式。/ V, B# {5 O# L& N3 E5 s
    % P/ M& r; g) i; [# X+ S
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。(Data Bus 並接)
    • 有的則是共用同一個 CS,讓 Data Bus 增寬一倍。(CS 並接,例如 16 bit -> 32 bit)& O0 H& y% b' h( n$ A9 H6 p9 `
    6 |! q* `4 q. w' C; t

    3 c3 z9 }/ P$ o; q( h! Q- c

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    10#
    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致,学习了。

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    11#
    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11" v8 H/ H! ^5 a* K# A+ I
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需 ...

    ) K- B- g* r9 X7 i- u一般是兼容设计预留用0 i0 l  K* S' q; `0 U! G( [

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2019-11-14 17:57 | 只看该作者
    不错的解答,最近设计的3128也遇到这问题
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    发表于 2019-11-15 13:09 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    15#
    发表于 2019-11-15 17:48 | 只看该作者
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