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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › DDR3的这些NC的到底要不要？
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DDR3的这些NC的到底要不要？

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Aubrey

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1#
发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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- r" B' }- H8 F" e0 F2 a如图，参考的资料里面J1，J9，L1，L9，M7有两种不同的接法，问下这两种有什么区别？2 i; G3 c) [/ F8 V+ |1 U9 r- [7 p: W

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myiccdream

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2#
发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。5 N$ l7 w1 N- n* ?! v/ p* C3 [
比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就能用到了

点评

Aubrey
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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WYL_GW

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3#
发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒，资料写的很清楚，不连，你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 2)

nc.jpg

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超級狗

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4#
发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多了一根地址線容量變大）。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的，因為 Pin K9 也是 CKE0，推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。4 I$ g3 E5 i3 g  m) ~. l5 Z
" _9 p7 l4 D( U$ M; D( ~  o% o2 a% w
4 @4 Q2 P. g" K) h- _  }

' x+ J' p8 Y5 M  A: _6 c* k- a

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Aubrey
谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16

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clp783

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5#
发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过，顺便看下。

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支持！: 5.0
超級狗
支持！: 5
當心被流彈波及，有時候看熱鬧也會出事！^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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Aubrey

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6#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51
$ R( v0 S9 v( U, B7 C5 n兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
: Q% X$ Z4 v6 s+ S比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就 ...
% w) L! `# t6 v8 @9 D; X: E
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分
+ n# J8 |" Z8 f9 ^
9 d( w8 y4 h3 t6 Z4 e7 O& D Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 10) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 3) * z& ^5 S  A3 z9 F, H

# }9 w. @4 N* c/ E& |2 }1 K) o! v+ Q8 r" {, h: r9 C
$ e7 {8 c; `* Z& K5 L% Y1 r

点评

bingshuihuo
一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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Aubrey

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7#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多 ...

    • ( v: F! q8 h! ?4 [1 w谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    ' P' |! \( o, r9 P$ K" r9 y

    点评

    超級狗
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    风的缘故

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    8#
    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    超級狗

    该用户从未签到
    9#
    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16
    9 ~: L5 D6 R6 g" w/ I. ~谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧

    : V2 j( p5 Z" T. d5 `4 G/ ]多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代之。
    " V3 a5 D8 k) W% w. Q0 `9 r' l# ~+ `0 c; P9 B# z6 Z
    兩個 4Gb 的顆粒，等於一個 8Gb 顆粒，算法上是沒錯，但要注意封裝的方式。
    . ~" f0 d% h) M2 m8 b* b% [7 i. j- @# X5 E# i% L
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。（Data Bus 並接）
    • 有的則是共用同一個 CS，讓 Data Bus 增寬一倍。（CS 並接，例如 16 bit -> 32 bit）
      " t; s- B0 h( z% k
    ' X/ K2 S( Y% i$ r

    - l% \$ y' W7 k9 |: @1 r9 l

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    WYL_GW

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    10#
    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致，学习了。

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    bingshuihuo

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    11#
    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11' P8 z, F" a3 s9 Q# ?. B2 e# H& O6 z
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需 ...

    - g4 K6 B  G* P5 d一般是兼容设计预留用
    5 {6 t$ f0 d  i" f4 S& U

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    yhg-cad

    该用户从未签到
    13#
    发表于 2019-11-14 17:57 | 只看该作者
    不错的解答，最近设计的3128也遇到这问题

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    anguchou
  • TA的每日心情
    开心
    2025-5-28 15:00

    • 签到天数: 1989 天

    [LV.Master]伴坛终老
    14#
    发表于 2019-11-15 13:09 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    无聊搞飞机

    该用户从未签到
    15#
    发表于 2019-11-15 17:48 | 只看该作者
    学习了

    “来自电巢APP”

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