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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › DDR3的这些NC的到底要不要？
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DDR3的这些NC的到底要不要？

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Aubrey

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1#
发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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3 j$ \; }5 `3 z/ O/ l如图，参考的资料里面J1，J9，L1，L9，M7有两种不同的接法，问下这两种有什么区别？6 ^* K9 N. j( D. T3 r- Q. s! h

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myiccdream

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2#
发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
& |) o3 g% O2 p3 M/ V  M/ v: T) ?比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就能用到了

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Aubrey
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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WYL_GW

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3#
发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒，资料写的很清楚，不连，你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 2)

nc.jpg

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超級狗

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4#
发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多了一根地址線容量變大）。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的，因為 Pin K9 也是 CKE0，推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。  Y$ n( ]# W9 {: H- }
' h! y! a: s# `. U; O- ]; H! D

3 i. l0 d. E* }4 P$ [6 P8 l0 p1 j( r; E

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Aubrey
谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16

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clp783

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5#
发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过，顺便看下。

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超級狗
支持！: 5
當心被流彈波及，有時候看熱鬧也會出事！^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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Aubrey

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6#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51% o% E5 P/ J) g: k6 z
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。* H2 i5 n3 w5 W( D& V9 m2 B! w
比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就 ...

0 `+ Y$ |/ w) y+ L您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分
3 q. O( U# X) r$ e% {( q& o9 m( Y8 c2 ?$ n' S
Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 10) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 3) 2 i' G+ w  ]3 {7 C, S
" U. S6 c2 r/ ?0 @$ S4 K; H

& A/ v5 G) Z" r" e. Y9 T% E& f) M/ r/ a2 l

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bingshuihuo
一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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Aubrey

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7#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多 ...
    • & A) R) ?/ v4 ?, H
    谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧 ! M/ m4 A1 X0 i" d; [6 b

    点评

    超級狗
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    风的缘故

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    8#
    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    超級狗

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    9#
    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:163 k% n( r) d# |- ~+ q  ]
    谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    3 ]& C, Y& j: ?" Y" v5 w* m
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代之。
    6 Q$ B, t: P, ~0 q3 S4 a% X1 h. h2 w: ?: }
    兩個 4Gb 的顆粒，等於一個 8Gb 顆粒，算法上是沒錯，但要注意封裝的方式。9 X8 t/ G7 D3 q5 c+ d
    ) C9 ?) v( g7 p+ X, ~1 v5 R# ^
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。（Data Bus 並接）
    • 有的則是共用同一個 CS，讓 Data Bus 增寬一倍。（CS 並接，例如 16 bit -> 32 bit）% T/ a/ Z8 Q& Y* T4 k4 O5 I
      u- n* e! C4 L2 d, ]8 @/ C
    1 |" S" ^" u/ X- R( u& R4 U5 T

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    WYL_GW

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    10#
    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致，学习了。

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    bingshuihuo

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    11#
    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11
    2 f# p4 z$ v! u您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需 ...
    ( w& O5 d- z* \, c0 M
    一般是兼容设计预留用
    $ q; }  y$ j, M' t( t

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    yhg-cad

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    13#
    发表于 2019-11-14 17:57 | 只看该作者
    不错的解答，最近设计的3128也遇到这问题

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    anguchou
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    2025-7-16 15:00

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    [LV.Master]伴坛终老
    14#
    发表于 2019-11-15 13:09 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    无聊搞飞机

    该用户从未签到
    15#
    发表于 2019-11-15 17:48 | 只看该作者
    学习了

    “来自电巢APP”

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