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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › DDR3的这些NC的到底要不要？
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DDR3的这些NC的到底要不要？

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Aubrey

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1#
发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
7 \: K$ t; N: b& Z6 W! ?" R7 _
如图，参考的资料里面J1，J9，L1，L9，M7有两种不同的接法，问下这两种有什么区别？  _5 r) q9 a3 [" f

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myiccdream

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2#
发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。, d1 C) d. O5 s$ x; E
比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就能用到了

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Aubrey
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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WYL_GW

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3#
发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒，资料写的很清楚，不连，你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 8)

nc.jpg

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超級狗

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4#
发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多了一根地址線容量變大）。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的，因為 Pin K9 也是 CKE0，推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。
    6 S: ?4 l/ \$ X1 B1 ~* X7 l8 M) g
+ y/ x. W& ]& {1 J# o

1 _* i; j: r0 m. j' ^
! D8 i: x" ~- r) k* m) D6 R- I

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Aubrey
谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16

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clp783

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5#
发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过，顺便看下。

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超級狗
支持！: 5
當心被流彈波及，有時候看熱鬧也會出事！^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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Aubrey

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6#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:510 Y2 y8 J8 B0 C1 w$ l
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
" z) P/ b$ [# [% u2 Q比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就 ...
# o+ M. S6 h$ F4 D; P
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分
& \% v. P, J4 {7 ]  _# {) F4 S* I5 o2 W/ t, f# J
Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 10) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 3)
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. M9 x5 v, J4 ]3 z# k3 X0 s1 U9 T! c8 G2 I
  Z: d  E% j  a7 ~; B( p% D; a  C3 C

点评

bingshuihuo
一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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Aubrey

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7#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多 ...

    • / `4 ?: J! s- ^谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧 1 W7 D+ m, n8 W2 Z' A; E

    点评

    超級狗
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    风的缘故

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    8#
    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    超級狗

    该用户从未签到
    9#
    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16
      s+ }5 E# o! r: u7 S: j5 F4 ]$ g谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    9 X/ Z# f' [' N% S- }
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代之。
    - L, x) z6 D1 E" l8 j) J4 f" q% z' H' ~( f4 X; D  q
    兩個 4Gb 的顆粒，等於一個 8Gb 顆粒，算法上是沒錯，但要注意封裝的方式。" C1 {- M" T4 p

    ! \; M; V$ s! l# l2 [0 p2 G, [# s
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。（Data Bus 並接）
    • 有的則是共用同一個 CS，讓 Data Bus 增寬一倍。（CS 並接，例如 16 bit -> 32 bit）
      ; G' f! k1 y/ z

    9 ~! J; j: E$ n0 T. H9 @6 }  P1 g+ G5 m+ i! u' y' ?

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    WYL_GW

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    10#
    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致，学习了。

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    bingshuihuo

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    11#
    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11( b/ E$ G$ ^" a  J, m/ g. |$ A# v
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需 ...

    ; a" Q) [) ^0 D: K# S, e一般是兼容设计预留用) C+ P/ a% c$ e! \" ~

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    yhg-cad

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    13#
    发表于 2019-11-14 17:57 | 只看该作者
    不错的解答，最近设计的3128也遇到这问题

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    anguchou
  • TA的每日心情
    怒
    2025-12-7 15:07

    • 签到天数: 2168 天

    [LV.Master]伴坛终老
    14#
    发表于 2019-11-15 13:09 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    无聊搞飞机

    该用户从未签到
    15#
    发表于 2019-11-15 17:48 | 只看该作者
    学习了

    “来自电巢APP”

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