秀秀DDR4颗粒芯片封装电磁仿真--欢迎高手来灌水！！

pjh02032121 · 发表于 2017-3-24 17:02

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DDR4速度高到哪了？哪位大神来科普一下。
以前DR123都没有提过这么离谱的要求，因为封装基本对SI没有多少影响，忽略即可。
DDR4就不行，芯片原厂要求OSAT在加工前必须提供电性仿真报告，否则出了问题----退货！！！

看看要求吧（如此变态

）：

建模仿真：

仿真结果就不秀了。按照以前的DDR123的粗旷设计，DDR4一做一个准，退货

！仿真真的是必须的。

另外，也提醒板级SI仿真的大师们，DDR4有时候做出了问题，不一定是你的错。不过你有理不一定说的清！

欢迎讨论！
欢迎讨论！！欢迎讨论！！！

平流层 · 发表于 2017-3-24 17:32

现在做设计用的最多的还是ddr3,DDR4用的还比较少

blackcrows · 发表于 2017-3-27 10:42

版主好牛

pjh02032121 · 发表于 2017-3-27 11:52

平流层发表于 2017-3-24 17:328 I$ |7 r4 o* Y* V$ i4 C* y
现在做设计用的最多的还是ddr3,DDR4用的还比较少

是的 DDR3还能满足目前的需求没有必要用更好的这个迭代还需要时间

cool001 · 发表于 2017-3-27 16:12

对SI信号仿真工程师来说春天又要来了，

pjh02032121 · 发表于 2017-3-27 16:14

cool001 发表于 2017-3-27 16:12
/ M. N. c: E8 A; P& ^" }对SI信号仿真工程师来说春天又要来了，

是冬天来了

cool001 · 发表于 2017-3-27 16:27

这怎么说呢，不是必仿项目马吗，

cool001 · 发表于 2017-3-27 16:29

谁上个完整版的DDr4 datasheet 过来，

只看该作者 · 发表于 2017-3-27 17:21

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仁爱 · 发表于 2017-3-28 09:14

有人设计过陶瓷封装吗

pjh02032121 · 发表于 2017-3-31 20:48

ray 发表于 2017-3-27 17:21
) f6 o( M1 P3 H* p! N* D: V你去镁光网站随便下个不就有了

这就是镁光的案子，他们网站上的模型参数有可能就是从这里来的

denny_9 · 发表于 2017-4-21 15:42

封装就是要求你成为一个全能型

neon · 发表于 2017-5-11 10:20

顶版主一个

neon · 发表于 2017-5-11 10:45

各种信息看来，DDR4都是速率更高，设计更好做啊

eda-chen · 发表于 2018-7-25 16:28

原来就是说一下这个事，没有过程，没有结果

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