P-MOS损坏求救

tdjfnwxf

小弟请教知位大神
原理图如图所示。
电路使用情况是这样，板子有俩路工作电源。一路是12V，另一路是100V，在测试的时候发现，如果在没有加截12V电源的时候，另外100V电源在供电，D703会有漏电到Q701.有时Q701会损坏，板子工作的时候Q702控制为高电平已导通。
4 H$ x* C  v6 ^8 b+ K" d& R: \4 b请教各位大神，如果将R711  1K电阻改为0欧是否会好点。方法二，将P-MOS管Q701  D  S极并一个10K左右电阻。
麻烦大家看看是怎么回事。
% T- T5 L" o7 P1 X8 ]# b( g

ksvhxd

本人拙见，没有12V的情况下，100V漏过来的电压会使Q701的SG电压大大超过20V极限电压而损坏，你可试试在R710上并一支12V的稳压二极管。

tdjfnwxf

MOS SG电压超过20V极限的可能性比较小，
请看D703的规格书
另外还有一个问题没有说，刚开始设计的时候R710是100K, MOS管，Q701一上电100V就烧坏，现在改为R710改为10K已经好很多了，但长时间工作还是有损坏的现像。

超級狗

二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？

' c4 l: L- I7 y- v是什麼樣的 100V？AC 還是 DC？
8 B) R  m7 U6 c7 X
如果是 AC  整流成 DC，是怎麼做的？

hagelee

说一下的我的看法,如果有不对的地方,请大家指正.
1 r& g6 C0 a3 q+ U6 W9 R) z二极管在12V断电的时候是反向的，由于阳极处于悬空状态，没有嵌位，所以100V可以传到MOS管的D端；MOS管的资料上有个指标 VDS最大100V，开机瞬间100V如果有个毛刺或者过充很容易导致MOS管子烧坏。
! F* ?  N; [  z

tdjfnwxf

超級狗 发表于 2017-2-24 11:19
0 X+ C9 h. O4 m, I二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？

是什麼樣的 100V？AC 還是 DC ...

3 n9 z! e2 w) O1 a; |' w100V供电，实际使用电源只有90V。这个12V,及100V供电都是指的是直流

bbw2131489

tdjfnwxf 发表于 2017-2-24 10:08
  s5 g5 S7 Z$ ?  cMOS SG电压超过20V极限的可能性比较小，
7 E, D0 H* I( t$ ~请看D703的规格书
另外还有一个问题没有说，刚开始设计的时候R71 ...

8 h! x9 k! g8 E! B" d( B5 }从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬间的波形。另外R701可以并一颗小电容看看有没有效果

djadfas

至少得说说用法 12V没用如果悬空 并没啥关系啊

tdjfnwxf

bbw2131489 发表于 2017-2-27 09:29
- w* H0 r6 E# ]' C/ J- P: X2 ]从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬 ...

感谢回复，我试试

ksvhxd

mos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对MOS管造成影响。但12V悬空，100V电源由二极管漏过来的电流在R710得到一个较高的电压。如果超过20V就有可能损坏P-MOS。改变R710的阻值，也可改变R710上的电压，有一定的效果，但解决不了根本问题。所以常规办法一是在源栅加稳压二极管限压，二是在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流。

tdjfnwxf

ksvhxd 发表于 2017-2-27 11:22
mos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对M ...

你好，请问一下，如果在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流，这个电阻选多大比较合适，电阻选的太小会导致机器12V供电时机器工作电流增加，如果电阻值选大会不会又起不到很大工作呢。