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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路,又遇到类似的现象吗,PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些?
2 L) R4 n- |) H" J% @ 目前考虑的可能疑点和解决的办法:
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1.负载过大,热累计,瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏;7 }, v7 Q9 d) w# E% u% T6 K
2.PCB设计,旁路电容, 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS;* F' A5 y/ m+ J4 i/ l
3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护,但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生,此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。# r3 l2 I9 h/ u; N3 c$ a$ \
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不知道哪位大侠有更高的解决办法,不胜感激1 j$ V. n( C' h' s, U3 V
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