如图所示， 0.1uf 电容，何用？

Quantum_

/ p7 _: Y% y- k* f7 k: n4 D' k
1. 如下图， 在一个P型mos 管的G,S 角位， 接一个.1uf的电容，是何用意？
% o' Z0 z% B7 U) Q% T, s" Y2 b2. 自举？ RC？似乎都不是！

中臣

有一本書叫做 ：加速電容； 上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉，否則G電壓稍低于S，導致MOS輕微導通；

kobeismygod

) t' P" l; E1 K5 v

Quantum_ 发表于 2016-11-4 18:51
8 k; h1 t% G* j0 G1 e1. 谢谢Koby

* y# ~% `. S3 z/ G6 x* q2. 稳压?

* U: b' B# D& L0 }' i8 }( \如果这个管子是充电回路里面的，为了让流过管子的电流稳定，一般会在GS之间加这样的一点电容来稳定VGS电压。如果这个管子只是用来做loadswitch的话，那么这个电容还能起到soft start的作用，也就是缓启，防止出现inrush，原理就是当输入电压也就是S端电压上点瞬间，电容相当于短路，那么GS电压在那一瞬间基本是为0的，随着RC时间的推移，电容两端也就是VGS电压会逐步建立，管子逐步导通，从而达到SS的目的。

kobeismygod

稳定VGS电压，和自举没一毛钱关系。

HengliangYau

中臣 发表于 2016-11-4 07:53
3 T8 M2 E% j0 I1 @有一本書叫做 ：加速電容； 上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉，否則G電壓稍低于S，導致MOS輕微導通；

& e+ V! x8 A! v: e8 F) Abingo

djadfas

好像没啥用

lize314

学习学习

Quantum_

中臣 发表于 2016-11-4 07:53
有一本書叫做 ：加速電容； 上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉，否則G電壓稍低于S，導致MOS輕微導通；

1. 谢谢中臣。

2. “上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉”。
----这个结论似乎有道理。

1 H9 t2 V2 P5 u: Y  k2 z( {0 J3. 否則G電壓稍低于S
----只是为何G的电压会低于S呢？

" Q9 H5 c! s( j# B; z4 F

Quantum_

kobeismygod 发表于 2016-11-3 20:08
稳定VGS电压，和自举没一毛钱关系。

8 C% ]0 _9 W9 S1. 谢谢Koby

6 m! T8 Q: X! l+ l& y2. 稳压?
) k- |9 ?- K% T. w# ~----工作机理类似By Pass 电容吗？

中臣

Quantum_ 发表于 2016-11-4 18:45
9 G3 \2 v- `! @1. 谢谢中臣。

" ^6 p9 U4 m: h: E2. “上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉”。

上電瞬間S的電壓就建立， 而G的電壓要RC delay 后才會建立，即330K電阻和GD極間電容和一些其他的雜散電容；所以G相對S會有延時電壓差；
7 p' g* v; l, }# N9 Q4 W

松哥无敌

中臣 发表于 2016-11-5 07:52
- g7 o4 b5 c1 Z' ]: p& ~1 R. d: }上電瞬間S的電壓就建立， 而G的電壓要RC delay 后才會建立，即330K電阻和GD極間電容和一些其他的雜散電容 ...

完美回答！

arod13

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i265

根本用处没多大   需要看你用在上面电路 什么场合上面  

winboy755

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东山郡谢

1、防止上电瞬间MOS管漏电或瞬间浪涌产生高的VGS;
1 s# ~* W& U) ?6 O3 H3 x5 X2、与R142组成RC延迟放电电路让MOS管延迟开关，以针对MOS开关前级电源负载响应差的对策或针对MOS管开关后级某些有上电时序要求的电路；此做法需先确定负载电流大小再考虑RC时间和MOS管的功耗。