DDR4计算Zpkg和Tdpkg

tencome

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. i$ P4 m1 B2 z9 l8 uDDR4单颗芯片仿真数量的计算
9 U5 ~: v, W3 F  Y" u0 q# W) ?
客户给了一组DDR产品的仿真数据参数供参考使用，以数据线DQ0为例。按照客户的要求需要计算的4组参数(Zio Tdio Lio Cio)。
. a( O1 P4 y8 h- h1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？
2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感来计算？或者需要其它的数据或者计算方式？
9 a& T+ ?, |  O* W/ ^: T有没有大神帮忙算该数据线的Zpkg和Tdpkg是多少？
$ w* u; _; ?$ y- I: W2 {2 W

* o0 p* @8 f9 H: \% f- M: b$ c3 h" INet i    Net j Rij (mOhm) 自感Lij (nH)     自容Cij (pF)         Kij            Mutual L max (nH)    感Mutual L total(nH)   Mutual C max (pF)     互容Mutual C total(pF)
& _1 a/ |6 u$ KDQ0 DQ0   176.507      3.00985         0.521093                                    0.587372                  2.00264                 0.0546876                     0.12612

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( |: m' _/ P5 p& J+ g6 d9 g

honejing

1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容

) E& y" H# g. w" d3 H. ?0 r% x$ y8 z2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感来计算？
( I* n; Y7 D2 N* f答：自感及自容
Zpkg = (3.00 nH /0.521 pF)^1/2 = 75.88 Ohm
Tdio = (3.00 nH * 0.521 pF )^1/2 = 39.5 ps

不過客戶給的仿真数据有可能與規格書描述的方法不同，它做的可能是 maxwell 矩陣電容，規格要的是 SPICE 矩陣電容。
3 i* y8 W% `1 _4 u

tencome

honejing 发表于 2016-9-28 16:42
, K/ w5 ?' ^3 B& [2 X6 P- ?, c2 _1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
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1 F4 D" l# ]0 w2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感 ...

# b2 o5 d; k( y/ }& D" r. C, `5 K$ t多谢大神，本人新手，以后多多支持。

tencome

: f" l; c) j* J4 z* h+ g  Z& z

honejing 发表于 2016-9-28 16:42
4 Y( [8 g! V7 X" n, B. e" S7 B' ^: C7 M1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
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! b7 K4 L0 w- G$ f3 B5 L  A- W2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感 ...

/ [4 B& \) D: f# B7 d. q1 K再问一个问题，
; S0 K: V3 @! ~9 J; R4 @, W: `, ]- `
1. DDR4是VDD/VDDQ/VPP都有输入电压，做RCL参数仿真时需要不需要输入这几个参数的电压值？

2. DDR4单颗unit设计时，像DQ信号线的要求是等长的，这个等长允许的上下限一般设定为多少？
     DQ信号线是DQ0~DQ7，是要求全部DQ等长
      还是 “DQ1与DQ2等长, DQ3与DQ4等长”之类的？

honejing

1. VDDQ.
2. 全部DQ等长，自己再找資料學習。

bidinghong

学习学习，谢谢大神

zhuhj

飘过

fangfalun

新知识需要学习，多谢了

boxster0330

路過，看看
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