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哪位大侠知道DDR4中VPP是干嘛的?

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发表于 2016-9-12 15:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到DDR4多了一个VPP的电压,说是字位电压,看起来DDR3应该也需要这个电压,现在DDR4把它单拉出来有啥好处?) {* d. Y4 U1 A$ i2 h

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連 JDEC 規範都沒講得很清楚,看了好幾篇文檔才找到的。^_^  发表于 2016-9-13 08:32

该用户从未签到

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发表于 2016-9-12 18:42 | 只看该作者
節錄自 EE Times
: j) z- \  B. i: ?' d$ lThe DRAM word line requires higher voltages to activate the access transistor, ensuring fast access during the on state and ultra-low leakage during the off-state. The availability of the 2.5V VPP means that the word line voltage does not have to be inefficiently supplied (pumped up) from the 1.2V VDDQ supply, thereby improving energy/power efficiency.
9 X8 M5 \) @, Q/ G
' Q; H7 z3 I: }: }

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牛掰啊!  发表于 2016-9-12 19:00

该用户从未签到

4#
发表于 2016-12-22 18:08 | 只看该作者
路过,等高人指点。
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