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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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1#
发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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RT
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2#
发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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3#
发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表
; K- v9 m5 d4 U& B; G7 p/ Y论点就错了,还讨论什么啊

! u1 ]  N1 u* q2 E  G: z; u' ]/ M. X' S; J9 W
tianya说的太对了,论点就有问题。
. ?% k: m- P+ h+ A1 e7 Q# _" c; g并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了

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5#
发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;
6 |( w# \) `: Q, q0 e对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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6#
 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。
+ R8 e5 X0 F3 M& H$ e6 ~5 ^% @- e好久没关注IBIS forum了 9 Z6 n" z; s6 z( i+ h
看来得过去学习下了1 T4 L! D' ]" h0 h; j
感谢tianya

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7#
发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
崇拜!!!

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8#
发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。( X, F' M# S( O! \1 E
但是Overshoot就不好了。
) f. Z1 S# ^& G2 L) o0 t5 x0 ?4 C# O& }1 f+ JIBIS对于数字电路的一般就够了。
4 f4 @* q" I9 e不用太去关心 适用频段。
$ A! j0 W, T' @# F9 W呵呵

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9#
发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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10#
发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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11#
 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 2 k  A+ S0 v! U
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的
0 p6 m! S( F5 F% j, K  D! y

/ e7 Q% U% O9 v! U+ v烦劳详细解释
6 H$ J$ ?0 g- [9 z; U6 s, [- J- c0 U' C
表格形式和带宽应该没有直接关系吧
! E# Q( ~- @- ]+ H9 ^. C% u  X/ P. N' G0 \- i' }
倒是netlist会牵涉到带宽的问题

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12#
发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。   i  O4 Y4 W4 i3 C6 m3 r1 ]

& F8 H; p9 `8 o* B$ I由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作: & u- S/ J9 T/ f2 r
  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
. R6 L2 c* c, o  N8 h, w1 z4 M  2.器件没有有源预加重电路 $ P  |# e4 j# l9 n! g
  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果)
* t! @$ Z/ B0 F  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。
. e' p: P: Y" n2 i9 P7 M3 w; m4 A  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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Allen + 10 谢谢参与

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13#
发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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14#
 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表
8 t  |# E3 o0 B3 F) |IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。
; o8 t% C+ x3 e5 H" Z! X& O) \
% A- n7 p. `1 }0 [& Z$ H1 t
IBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。

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15#
发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。7 T' n' K1 ?( v, J% E
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;
# V1 D" J$ T5 q) b1 T而对于发送端模型,
3 \+ G7 }- X" ?2 b/ Y3 b% p1 v0 x3 B2 K一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。) ?; t$ ]! w; A& @. p1 U: n' n
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。
7 P1 M9 }- y0 S7 ?
* P9 `, Y" F2 |  f4 m. e但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。
5 {6 k* f+ Q" S0 e8 s+ ^  y( Q& E5 x! x) S; i/ E
说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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