找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 4791|回复: 20
打印 上一主题 下一主题

USB 抗干扰问题

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2016-4-8 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
最近做一款产品,出来发现USB 抗干扰能力较差,各位道友给看看  哪里可以优化下$ o- v0 g8 _5 D9 E0 {2 S1 D  }

01.png (33.85 KB, 下载次数: 1)

01.png

02.png (24.2 KB, 下载次数: 0)

02.png

03.png (68 KB, 下载次数: 0)

03.png

该用户从未签到

推荐
发表于 2016-4-10 23:30 | 只看该作者
你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧.& b7 f1 U) j& N& C& f
个人建议:
5 o7 h( r6 q$ U* c6 Z+ g+ S1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地),保护地与交流电大地尽可能短的连接,将静电快速导出, 信号地与保护地用磁珠连接,不要用电阻或是电容,增大保护地与信号地的阻抗
% w2 W& D1 x# {! K9 \, D6 U- b' i2. USB布线要求并非那么严格,至于保护器件那部分没有差分走线,保护地和信号地距离较近,我感觉都不是主要问题,你这应该是打静电时,保护器件将静电直接导入到信号地了,从而引起系统异常.的确有些设计是将静电引入信号地,不过个人感觉此方法慎用.要测试这个问题,也挺简单, 你的保护器件接的是信号地,不是保护地,那你就直接在USB接口附近的信号地上打静电,如果不过,说明此方案是不可行的,只有将静电引入保护地
2 W) w! P! ]; Q/ f, w3. 与产品结构也有关系,有的结构有耦合等,你可以先测电路板,但电路板与交流电大地处理好.

点评

谢谢,您的建议,看完后感觉一下明白了好多,非常感谢  详情 回复 发表于 2016-4-11 08:33

评分

参与人数 1威望 +1 收起 理由
niliudehe + 1

查看全部评分

该用户从未签到

推荐
发表于 2016-4-11 19:55 | 只看该作者
niliudehe 发表于 2016-4-11 08:332 I  v# i" R: e+ Q/ n! P6 B+ b
谢谢,您的建议,看完后感觉一下明白了好多,非常感谢
7 M5 H/ g& I% R4 N: K1 g
对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地来说的,因为模拟的是人接触时的静电放电过程,而人是站在大地上的(长翅膀的鸟人不考虑). 如果用打火机打,一是这个电压是多少V不知道,二呢,这个电压应该不是对大地来说的,所以情况怎样不好说,建议还是用专门的静电测试仪器来试,按照标准布置,不然可能做的都是无用功.
4 A) x- J7 h0 G* Z0 [5 ]/ d. z

点评

大神你这太专业了  详情 回复 发表于 2016-4-12 08:41

评分

参与人数 1威望 +1 收起 理由
niliudehe + 1 很给力!

查看全部评分

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2016-4-8 10:54 | 只看该作者
风凌天下 发表于 2016-4-8 10:38" {8 `5 X1 R( T3 R) F
两个地之间的间距至少40mil,离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗?这里截图看不到。还有进来 ...

1 I) D" M$ Z( i2 u" R. p两个gnd直接确实没有到 40mil   现在 目前的情况是  25mil 左右  但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil  不知道这里 影响大不大
  W+ x. r* k  l7 B- Y" u/ w- i
% R0 i& v" a' U% _7 Z5 s另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd   / S; X7 N0 C0 _

. q& h' R% ]9 a2 J最后的伴随gnd孔  我在多加几个
( W! D" j8 _+ f1 _6 Z7 l
1 f1 F7 @" |) D. A+ ~0 q非常感谢- T- Y# m  u+ q7 u' A% p/ P

该用户从未签到

2#
 楼主| 发表于 2016-4-8 09:22 | 只看该作者
4   0 m4 s& I. _( p7 n$ g  C

04.png (59.15 KB, 下载次数: 0)

04.png

该用户从未签到

3#
发表于 2016-4-8 09:29 | 只看该作者
看起来没啥问题。问一句, 你那个CMC还是什么,离USB接口那么近,能焊接上去么?焊接不上的话,对抗干扰还是有影响的

点评

可以焊接上去在底层 USB 在表层  详情 回复 发表于 2016-4-8 09:40

该用户从未签到

4#
 楼主| 发表于 2016-4-8 09:40 | 只看该作者
partime 发表于 2016-4-8 09:29. k/ d  \" O" {3 E0 z6 h
看起来没啥问题。问一句, 你那个CMC还是什么,离USB接口那么近,能焊接上去么?焊接不上的话,对抗干扰还 ...
+ b" c+ g, N1 H& g, H  x. c
可以焊接上去在底层  USB  在表层0 h* C7 ]/ J8 _9 a

该用户从未签到

5#
发表于 2016-4-8 10:33 | 只看该作者
从usb接口到防护器件怎们没走差分呢?

点评

USB到 防护器件的线较短,就走了个类差分线,这样走下来正好等长要不也是得人工绕等长 从USB到下面的串接电阻 线长为437mil  详情 回复 发表于 2016-4-8 10:50

该用户从未签到

6#
发表于 2016-4-8 10:38 | 只看该作者
两个地之间的间距至少40mil,离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗?这里截图看不到。还有进来的那个芯片是防护芯片吗?感觉处理的不是很到位,走线。接到cpu处的那些匹配电阻,接地过孔太少了,那么多个共用3.4个过孔。

点评

两个gnd直接确实没有到 40mil 现在 目前的情况是 25mil 左右 但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil 不知道这里 影响大不大 另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd 最后的伴随gnd孔  详情 回复 发表于 2016-4-8 10:54

该用户从未签到

7#
 楼主| 发表于 2016-4-8 10:50 | 只看该作者
woniufeiyu_go 发表于 2016-4-8 10:33
1 U( P' d0 j9 a7 I从usb接口到防护器件怎们没走差分呢?
0 O) R8 q, o' E
USB到 防护器件的线较短,就走了个类差分线,这样走下来正好等长要不也是得人工绕等长  从USB到下面的串接电阻  线长为437mil
1 o# M0 Q. b: J( e! ~" l/ e% i1 L6 e5 w8 y; [" \" x

该用户从未签到

9#
 楼主| 发表于 2016-4-8 11:01 | 只看该作者
我感觉是不是我们公司测试的方法不对,他们拿了个打火机里面那个按下可以放电的东西,去打机壳。来模拟,USB受到的干扰。各位大神,你们的产品是怎么测试这方面的,求指导下

该用户从未签到

10#
发表于 2016-4-8 11:06 | 只看该作者
还可以这样啊?不是做SI吗?

该用户从未签到

11#
发表于 2016-4-8 13:49 | 只看该作者
个人愚见:
4 d! \+ Y; `! @5 I* Q' y6 I7 q1、保护地和电源电的距离如6楼所说,加大;& j+ l  A# E+ `" [/ o' e
2、USB的保护器件的接地问题,是否接保护地更为合适?

点评

您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd 那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?  详情 回复 发表于 2016-4-8 16:04

该用户从未签到

12#
 楼主| 发表于 2016-4-8 16:04 | 只看该作者
chenzhouyu 发表于 2016-4-8 13:498 Y+ `1 f! p5 b9 d$ |' I# ], \0 _* n
个人愚见:
1 T, K/ V/ ]0 Z) l1、保护地和电源电的距离如6楼所说,加大;
' s( ~6 N9 d6 J& \+ t% K% M3 f2、USB的保护器件的接地问题,是否接保护地更为合 ...
0 E. ^8 ]5 R. R+ I& R
您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?

点评

我是这么理解的,保护器件接到保护地,共模电路直接流向保护地,尽量使共模干扰不流经工作地。  详情 回复 发表于 2016-4-9 08:18

该用户从未签到

13#
发表于 2016-4-9 07:35 | 只看该作者
个人愚解 ,USB走线多粗?加粗到12MIL试试。另共模电感要用90欧的品牌货。

该用户从未签到

14#
发表于 2016-4-9 08:18 | 只看该作者
niliudehe 发表于 2016-4-8 16:04
) M# x* m9 z) Y( }2 e/ C您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?
4 D7 r6 S% n' g" ]7 _
我是这么理解的,保护器件接到保护地,共模电路直接流向保护地,尽量使共模干扰不流经工作地。$ F+ q! i' m: L, ]) W& z. [
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-7-8 16:48 , Processed in 0.156250 second(s), 38 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表