EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
TTL——Transistor-Transistor Logic & D" ?/ t3 w9 v" i" L0 O. N6 _
HTTL——High-speed TTL $ v: D8 N4 I* O2 T; H1 U9 \, z
LTTL——Low-power TTL ( W: A7 B9 f& x; j5 a w* [
STTL——Schottky TTL 0 K0 m- s4 Y3 C7 H( F( x/ B6 E
LSTTL——Low-power Schottky TTL ' F% g8 h- s4 E- L/ m# \0 j
ASTTL——Advanced Schottky TTL 4 T! J* G( f0 _- E0 j( t
ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL 6 z7 P6 V: }* _7 F8 H# {0 c
FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL 5 m6 l# e% {* l! x4 m( N
CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor
2 V3 Y9 r: A! I% y2 a7 a4 }HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容) 0 |. J$ T/ P0 ^: ]* f6 L. m
AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)(亦称ACL) 6 w8 G1 c8 d3 _0 m c
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容)
/ m/ Y( j. J6 F$ `6 ~FCT——FACT扩展系列,与TTL电平兼容 & i3 R# e$ O. K! f! [: p2 a
FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology 1,TTL电平:
" k$ M- m1 X2 [$ ?, k# t输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平6 O/ d4 w8 y" G3 Z% w0 N a, r0 v
是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是. f3 ~$ z. [4 p% `1 Z/ |. s% s) H3 Z
0.4V。 ; t* y$ f# g& s6 R6 j7 T, @. f* s
2,CMOS电平: 8 F$ |9 X" V) v2 _. H% X, L j* F/ W
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
( h' j% N1 \) i6 h' J$ S) q) S9 ?0 N9 E% B6 C( z7 [4 N
3,电平转换电路: _5 e7 l# K. X& r+ r
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需
$ x# s0 n* A6 k# ~5 u7 C要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈
' w7 u% _2 S( g! U$ T+ w \- x3 v
4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
$ a3 q3 U) t; n5 |0 U; z, m将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱/ g+ a0 r% D" Y
动门电路。 0 ^6 }* ]1 B3 p( d8 [( S& b
/ j3 `0 x5 D3 B. V; L
5,TTL和COMS电路比较:
$ u$ h T2 O o# g; M5 w) b% x1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 4 ]' ?7 L, N; d6 R+ g2 Z8 Y
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 0 i' z8 ?" A- H) [3 A* O
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
7 b% ~& K- t+ x; [' f% Y COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
c) Y: U/ \7 z3 }6 w1 H6 p `3 U3 ~现象。 & z6 D, J8 N: {6 ^9 O- W7 `7 g0 X
3)COMS电路的锁定效应:
) \- N2 ~( ^5 A% u COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大9 G' k3 P& q. U! r
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易
) K; C' s( `, W9 f' B; Z烧毁芯片。
; e' E1 M+ c$ _* s2 [! V5 ]防御措施:
& O, x2 r; b8 z- B6 F( W 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。
0 `; o& b8 y: R# I 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 i4 t d) t8 A# W( c4 Z% O- B9 A
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 & T- ~( @/ y' h/ v* p1 a
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电
0 N& h8 ]+ X; R( U1 E源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS
9 m9 A) e' G; a4 l) M* l, u' P电路的电源。 7 n: i% }/ T2 _8 T9 `+ ^7 K
% J% \' \- \0 W% j" h1 Q d
6,COMS电路的使用注意事项
0 Q) Y+ D3 D" Y; C 1)COMS电路是电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以6 n2 x/ U/ r2 U3 r' v. @
,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
: Z2 R F3 r9 i* P4 d 2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的
2 \: ~) @6 @1 |: g电流限制在1mA之内。
- s7 H- ~$ Q' U$ R 3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
- I0 D- q* G9 S" n0 x7 b% Z 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是
4 b# k- @4 _4 _* ^' U' D# {外界电容上的电压。
' V4 P+ a7 Z( j( A Q6 v0 [ K" F 5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 . v" z7 v' m$ g- _
: D3 r1 C0 X8 r) \7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):
0 ^1 D" ~! Q; n2 F/ ~% F; _ 1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
; p" L1 w8 G& I" \4 n4 f/ O8 ^# E; \3 C- _$ ~+ m
2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。! l. a" v6 f' f) |! J6 q
2 u# Y! b* b A5 o
. f3 \3 N8 x+ P) Y' c8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。
u8 u$ q0 Y/ c( ` OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截
9 @) _, r3 k' f8 c+ {止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也 J) T* v. X& u- U! h4 O
就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD; T2 ` f+ ^* o( {: ?" _3 g% u
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了; [( O0 R. j- \6 L; B
能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱
; }1 ] z. ?0 T3 z动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
- S: z. Z/ E5 J( Q) P9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?
2 X$ ~% ~1 D$ J TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为
6 b" v% ~& v c/ Q4 @* o uTTL就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。 |