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【已结束】NAND FLASH 无法读写(金额:2000~5000 元)

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发表于 2016-3-11 17:59 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 EDA365_PCB 于 2017-11-17 16:17 编辑 7 G% q' n9 ]( V/ |
, S: e5 z& h( {% v; v
1.问题描述:
设计的数据采集器主控STM32F407,使用spansion公司的nand flash S34ML01G200存储数据,使用Keil MDK自带RL-FlashFS文件系统。20台机子有3台在使用半个月之后出现nand flash无法读写的问题。片选CE为高电平,无法拉低,判定为物理损坏。
/ f* Z" }* f  Q9 _% T! u. H9 c7 N7 E0 V1 O
2.原理图、PCB
6 O0 `! |- D$ _# p, f- E) _( ^
3.要求
找到该问题所在。

5 e8 R; r$ w; d$ J/ y
4.时间
一个月

& x( z* x  A7 K+ f  }: c! A
5.预算
2K~5K

/ Z  o# N& Y& s: c/ j; r联系版主:: a/ N. L0 c7 `! O$ Q& X; }
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NAND FLASH 无法读写.pdf

167.04 KB, 下载次数: 108, 下载积分: 威望 -50

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发表于 2016-3-26 17:46 | 只看该作者
以下三点流程:
# T% M8 p6 Q3 J* \' Q; y1.如果有同样的片子在其他板子上使用,那就更换对比操作,鉴定是不是片子本身问题(如果是片子问题,再怎么折腾浪费时间);' a; N3 t2 K1 }+ `% v/ ]
2.在确定没有焊接问题的情况下来先确定和nand之间的各个信号是否确认互通ok,否则你浪费时间在对的软件里面看错误;
8 x+ y6 A+ I9 F3 V, E" U; ~3.上述没什么问题,软件找原因。
$ ~) c: w1 D2 R$ T# r个人意见~

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发表于 2016-3-14 18:12 | 只看该作者
按照“每1分钟采集两次数据存储在flash中” 。
- u9 q! h: c0 E8 V$ g按照30秒写一次Flash ? 然后在假设楼主的程序在反复的擦写flash的同一页:
1 b7 d! w4 P2 P& s1 w5 o, g( `30天*24小时*60分钟*2=8.64万。 这个Flash就差不多报废了。6 A9 D# z% n% Y0 d5 u
其实要论证一下是不是程序问题很简单。 将这个擦写速度提高,比如200ms什么。看问题是否大规模出现就可以了

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发表于 2016-4-3 15:50 来自手机 | 只看该作者
NAND FLASH写入次数是有限的,楼上的朋友分析的很对,下不下来资料,没看到具体的檫写次数限制,按照介绍的频率,一个月差不多2000多次。为了进一步验证是不是檫写次数导致,你可以把读写时间改短,然后持续檫写,看看最终可以有好多次的寿命

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2#
发表于 2016-3-12 09:53 | 只看该作者
这种问题应该可以自己解决:! y" j4 _/ H2 D
1,先找软件问题,如果软件没有问题,再找硬件3 e3 N% i" S1 k5 \! ?* l1 d
2,硬件方面可以从焊接和PCB板材问题考虑(PCB问题应该比较小)主要就是焊接的问题,可能Nand会出现虚焊什么的,

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3#
发表于 2016-3-13 12:07 | 只看该作者
软件没问题的话,查找硬件,焊接是否虚焊?电源是否正常?

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发表于 2016-3-13 23:31 | 只看该作者
有做过哪些测试?

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5#
发表于 2016-3-14 11:06 | 只看该作者
只是挂在那做采集和传输实验,没有做测试。2月初挂了20台在实验,每1分钟采集两次数据存储在flash中,每10分钟从flash中提取数据发送到服务器。到现在已经有3台出现问题。

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6#
发表于 2016-3-14 13:30 | 只看该作者
如排除了软件问题,问题很可能来自于电磁辐射,需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判断。期望能够合作

点评

如有意向接单,请联系版主。联系方式见帖子说明。  详情 回复 发表于 2016-3-15 08:57

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8#
发表于 2016-3-15 06:56 来自手机 | 只看该作者
如果是芯片自带闪存控制器,应该会有坏块控制及负载均衡,如果是自己用IO口模拟的那有可能把某个块写坏了

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9#
发表于 2016-3-15 06:57 来自手机 | 只看该作者
如果主芯片可以接EMMC建议用EMMC闪存

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10#
 楼主| 发表于 2016-3-15 08:57 | 只看该作者
carrotzjg 发表于 2016-3-14 13:30" c2 R# e5 A/ x. J% f
如排除了软件问题,问题很可能来自于电磁辐射,需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判 ...

' m# ^. J; y, F+ P0 L( {0 z( i5 e: c% l如有意向接单,请联系版主。联系方式见帖子说明。
7 W* v. B  z% q

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12#
发表于 2016-4-2 22:13 | 只看该作者
这种设计出问题是必然的,NAND FLASH写入次数是有限的,你这个规格书上说1000次左右“– Block zero is a valid block and will be valid for at least 1000  program-erase cycles”,如果频繁写入是不能用NAND FLASH的。

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13#
发表于 2016-4-2 23:02 | 只看该作者
对, NAND FLASH写入次数是有限的。 肯定这个原因。

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15#
发表于 2016-4-4 18:55 | 只看该作者
是不是FLASH寿命问题, 可以看懂下面的方法。在有问题的板子上FLASH换了一下吧。 ) ~9 c7 ^$ j) n% W1 a! Q; Q
出现一样的话, 有其他原因。
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