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[仿真讨论] HFSS PORT 终极解决方案(二)

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发表于 2016-1-28 16:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑 : b8 S' U! g5 M
' a  C4 Q9 }5 R3 t- N- d" h
1 A, p* @3 Z. V  F
本文大纲
) T9 e2 y' H% `: |
本文章分三部分:
* Y* n" V+ `5 `' R$ j
(一)wave port与lumped port的理解
% F8 Y$ Q' q" A. U, |* O3 z- T# v(二)两种port的仿真操作用法
9 x$ r6 v2 o" F; K2 H, m(三)S参数归一化的问题
9 g- ^9 k1 ~1 C8 t说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器8 a" r5 e, a; C  O- [* x7 x

- u/ a, y: }& i, ]简单介绍下HFSS:. v/ z& L5 R. D# D+ w8 K3 f( ~
ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:7 J2 o4 v" j' u' c8 P7 n; s. p
① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题$ e$ ]: b, [4 B
② 端口特征阻抗和传输常数+ o) V: q1 ~+ `+ Z
③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数. R3 n. D7 G6 X6 r$ ^- J
④ 结构的本征模或谐振解。9 d* b6 x* e/ m$ ]' l
而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16." c9 V, ]$ ~9 t* q& K) G
ANSYS workbench
1 E6 a  m- T5 q! j& I1 o
, y* ?8 J* D  [( t2两种port的仿真操作用法! E1 J9 Q) @7 d2 v7 t7 t- y
1.微带线下wave port
" h# F" M. D* D* y9 z2 q4 ]0 I如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。3 H; f' B: S8 ?# e4 t% U2 k' [

4 t8 o5 m  `- }* a& [图5
/ h2 I: h- X5 ]. o0 [然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。. }; G2 W5 p5 M" g! Q6 e- ^

3 S" I% P2 u6 _& H" Q图62 z& Z- Z9 P+ o) Z: W4 _$ y
2.微带线下lumped port
6 }- h. t7 {2 d( ]+ r7 _! U如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错
7 ^7 h: T: `9 p7 H8 ^) i
& g6 b& V# b: V, k) i图7$ e) t8 c" [# c3 x
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示
3 l7 [, e' _, V( \% M2 I' a % s( H! k, c+ [! ?: P& e; f  r
图8
: [8 o( {4 R) ]5 c4 V6 i3.带状线下wave port$ v. y( w# V) \* i. q
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。3 h' ^8 @/ C, j

: p3 p& ?9 U. d8 W9 e; l图90 p8 f; m& S1 P* {: n
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。  J  T& }5 ~2 T0 [0 }
. K! `5 c4 r! v/ K
图10
* E* N" W( N8 |7 w& h9 t) D4.带状线下lumped port
! G0 G" r9 ?7 L: b* z- J2 y带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“PeRFect E”设为理想电边界。$ {0 {$ |4 J$ p' S- a) y

3 v0 }- L3 D- P* v# d' F, {2 K# P4 O% o图113 a7 ]. t  A# \) d
接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。
" U; B' o8 W& A# l: l
5 p! f8 O! ?# {# M图12' m+ e; q  n% S+ m
选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13
# V+ d% Y, r0 Y+ P - J! b7 o' N  Q3 J3 g( e( F2 w7 m
图13
7 ?, \- L2 A* t! j# M  r未完待续.....
1 F, W2 E: `" E0 J3 n* {  a" s
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