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[仿真讨论] HFSS PORT 终极解决方案(二)

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发表于 2016-1-28 16:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑 # T, Q1 i. q7 U
6 X7 t9 z1 s4 q" L2 P8 b8 }
$ O: O8 V7 d2 j; v& m: {
本文大纲
7 y% Y5 j/ }9 S8 ?( k! p
本文章分三部分:2 d% |( K6 i% b% S' s, W8 l0 L% Y
(一)wave port与lumped port的理解$ r- F& u1 p- w: z8 i: H% K
(二)两种port的仿真操作用法+ g- E0 B0 `+ A# [5 |. N3 |/ H6 ?9 ?
(三)S参数归一化的问题
/ B9 ^' k( b8 C4 \* ^3 P说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器
* a0 A' A4 s6 O% G+ N2 e- O! y, x! r# X: _5 @" ?5 D$ Z
简单介绍下HFSS:
' d6 I, [8 p4 EANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:
+ L% Y/ B/ S# h3 @$ ]5 q① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题
- ]- U5 }7 E$ e0 S! p& v② 端口特征阻抗和传输常数
6 i8 k9 |. J" w9 X! j$ _4 U③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数% O( V1 \  z. m3 N+ |' l
④ 结构的本征模或谐振解。
. N# e) p  W: H而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16.8 j9 @/ ]: p1 p. d6 c& F7 {2 X( A! B
ANSYS workbench' h0 ]9 ?- v: V% y4 M  L% p8 y9 Q

( E0 S- ]' i& r6 Z2 g7 p" D2 n2两种port的仿真操作用法6 ^, }& f' d# d; F- g/ b" v
1.微带线下wave port
0 U) G& C6 Q- G7 B如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。5 {9 `$ `9 U& H/ y
/ @7 {+ k  l- e7 j! n# {
图5& ~( W6 p" k- c1 n- V
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。+ F  `. w0 {% n/ q+ ?  U
' g! m, ~/ x- _; X9 \
图66 Z+ F& o5 _/ z3 U3 x# x3 L+ d: m
2.微带线下lumped port; G6 R3 P( J) y4 i: c$ P
如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错
- E3 O4 a2 z, N4 e 6 j3 G2 D/ I' j0 O1 p" I
图7
7 [& f% E7 a% ^9 j然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示
# K' _* W8 z, z& A
+ q; r( E' h. i( A* v! I' b( R: A图8
/ r$ f. f  J' r/ g$ b3.带状线下wave port! J+ }: Z% a6 J9 v" d) p" o
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。
6 W% h& ~/ D* Y 7 U- j( {8 e2 K( u! R; f, u2 K
图9: T6 h% K( k6 `% i! G0 }
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。
3 |' ^( E( \% v1 v+ L1 N" F( m
9 k+ u: e3 _% A图103 q. \7 G) o  C* J/ ]  x  g6 k
4.带状线下lumped port
2 f3 A# z3 \. K8 i& X, W7 o* E带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“PeRFect E”设为理想电边界。- x+ T, [2 s" u" o$ w9 g; o
* c6 }3 g+ X* S( U
图11
2 o) w9 G& f1 c' m( H接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。) x; W# @" p/ a
% H) O+ e* z9 y) l5 F! z. x
图12
) C% l# u: M* W6 [6 C1 E选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13/ f5 D1 I8 D6 A# j6 L( m' s" R

: z) k$ q# G: ^4 x图13
7 i4 E8 v, N2 I6 K% g0 h+ t未完待续.....

2 ^5 u) v4 N/ _- Z% ?. I8 ?
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