请教关于金手指处理方式的问题

EDADQP · 发表于 2015-12-7 11:58

EDA365欢迎您登录！

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

请教大家一个问题，就是关于板卡上有金手指部分的内层铜皮如何处理的问题。一般常规是全部掏空，这种方式是否能满足任何情况下的应用需要。如果不掏空是出于什么考虑。谢谢！

菩提老树 · 发表于 2015-12-7 12:31

本帖最后由菩提老树于 2015-12-7 12:32 编辑

不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

EDADQP · 发表于 2015-12-7 15:20

菩提老树发表于 2015-12-7 12:31# H6 B; E2 D* ^; R/ q
不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

厚度问题是不能忽略的。这个要出问题那就太不应该了。就是这掏空不掏空是纠结的关键不掏空是否会带来什么不良问题不

菩提老树 · 发表于 2015-12-7 23:44

EDADQP 发表于 2015-12-7 15:20
1 e1 w- [% L A! w5 V" p' ^% w4 c厚度问题是不能忽略的。这个要出问题那就太不应该了。就是这掏空不掏空是纠结的关键不 ...

掏是肯定的，陶不掏空就要看实际的情况。不陶的话可能有问题，阻抗不连续就是其中之一

mengzhuhao · 发表于 2015-12-8 08:12

挖了就是为了阻抗匹配
大厂的板子都是这么做的吧

EDADQP · 发表于 2015-12-8 10:52

mengzhuhao 发表于 2015-12-8 08:12
" ^3 S2 g# y1 c挖了就是为了阻抗匹配' M( y y: d4 C( L
大厂的板子都是这么做的吧

郁闷的就是一个四层的插卡工厂给出的意见是要求第二层掏空保留第三层 . 目的就是控制阻抗。领导居然采用了。

mengzhuhao · 发表于 2015-12-8 18:22

EDADQP 发表于 2015-12-8 10:529 e6 o* R3 X% y# W W" R; w+ Z
郁闷的就是一个四层的插卡工厂给出的意见是要求第二层掏空保留第三层 . 目的就是控制阻抗。领导居 ...

如果只有一侧有信号线的话也可以理解为隔层参考

tanghao113 · 发表于 2015-12-9 09:59

本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-9 10:02 编辑

你可以从两点来看。
一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔层参考才能保持阻抗连续。
二是边沿速率不快，这时金手指就等效为一集总参数的电容，看这个电容是否超出规范要求。若超出，也要挖空参考层来减少电容效应。

从这两点来看，挖空的都是会比不挖空好的，至于挖多大，还跟厚度有关。具体实际情况需要HFSS或Q3D仿真。

EDADQP · 发表于 2015-12-9 10:10

tanghao113 发表于 2015-12-9 09:59
# y: ^* c! d$ b; Q你可以从两点来看。
# m- }: a0 t9 T* h# c一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔 ...

根据第一点情况产生一个问题，当速率快的时候金手指pin的部分如同粗线。这样会导致阻抗偏低。那类似这样情况的其它smd的插件是否也会由于pin比较宽从而影响阻抗的大小呢.

cousins · 发表于 2015-12-9 10:38

我所知道的以往的不掏空做法，是为了给旁路电容和去耦电容的较短的地路径，但是只适用于较低速率的金手指接口，此时EMI比SI要难处理。
高速率下都是优先净空保证阻抗连续。

EDADQP · 发表于 2015-12-9 11:20

谢谢大家的讲解

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

[仿真讨论] 请教关于金手指处理方式的问题

EDA365欢迎您登录！

点评

点评

点评

点评

点评

浏览过的版块

推荐内容 /1