请教关于金手指处理方式的问题

EDADQP

请教大家一个问题，就是关于板卡上有金手指部分的内层铜皮如何处理的问题。一般常规是全部掏空，这种方式 是否能满足任何 情况下的 应用需要。如果不掏空 是出于什么考虑。谢谢！

菩提老树

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不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

EDADQP

菩提老树 发表于 2015-12-7 12:31
不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不掏空是否会带来什么不良问题不

菩提老树

EDADQP 发表于 2015-12-7 15:20
厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不 ...

1 R! r) C4 p* k. g  p* b掏是肯定的，陶不掏空就要看实际的情况。不陶的话可能有问题，阻抗不连续就是其中之一

mengzhuhao

挖了就是为了阻抗匹配
大厂的板子都是这么做的吧

EDADQP

mengzhuhao 发表于 2015-12-8 08:12
挖了就是为了阻抗匹配
大厂的板子都是这么做的吧

郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居然采用了。

mengzhuhao

EDADQP 发表于 2015-12-8 10:52
郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居 ...

如果只有一侧有信号线的话 也可以理解为隔层参考

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tanghao113

( ^/ }3 K7 e4 h, d
你可以从两点来看。
一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔层参考才能保持阻抗连续。
3 x% y  V0 ?; v$ {7 P* T二是边沿速率不快，这时金手指就等效为一集总参数的电容，看这个电容是否超出规范要求。若超出，也要挖空参考层来减少电容效应。

; W4 f  Z1 {2 v从这两点来看，挖空的都是会比不挖空好的，至于挖多大，还跟厚度有关。具体实际情况需要HFSS或Q3D仿真。

EDADQP

tanghao113 发表于 2015-12-9 09:59
2 O# _1 s' ^5 g你可以从两点来看。
) u3 C& @7 L& s. V, r一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔 ...

5 f" \) x# M3 Q# s" f9 y根据第一点情况 产生一个问题， 当速率快的时候 金手指pin的部分 如同粗线。这样会导致阻抗偏低。那类似 这样情况的其它smd的插件 是否也会由于pin比较宽从而影响阻抗的大小呢.
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cousins

我所知道的以往的不掏空做法，是为了给旁路电容和去耦电容的较短的地路径，但是只适用于较低速率的金手指接口，此时EMI比SI要难处理。
高速率下都是优先净空保证阻抗连续。

EDADQP

谢谢大家的讲解