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楼主 |
发表于 2015-10-27 00:10
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超級狗 发表于 2015-10-26 17:53
4 j, q2 x; E9 [- A4 }* N哈!哈!墮落(Fallen)版大感覺有點上火了。+ B) d ^" y2 h
- ^, N' n9 D4 C8 v! G, O3 u+ h
樓主︰
6 j, h+ P" R4 s( f7 O- 如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(如 SOT-23 之類的)其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右,差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓(Surge Voltage)超過這個值,有可能會將 MOS 管打壞掉。----Have no doubt
- 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地,方能將突波電壓(Surge Voltage)導引至地、減輕其衝擊。事實上,接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊,對暫態(Transient)訊號而言,電源和地是等同的電位,請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律(Kirchhoff Circuit Laws)。Kirchhoff ? KVL or KCL? I probably missed something when I was learning the lectures.
- Gate 和 Source 間的 Zener Diode,應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓(Surge Voltage),尤其是 MOS 管後面有電感性負載(Inductive Load)的時候; w0 W8 ?$ h" G
& B5 h7 w: _" Q9 h, { 2 w) c$ R+ U5 z3 ~/ x' w. b5 x
" n% I- a' }# b+ Z僅為個人淺見,若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了!Good advice is beyond all price. This conversation's how I got the bullet hole in my head. / c* r! T/ f# U, q3 V2 I
Thanks so much. 0 B# E: a Q; a1 I
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