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[仿真讨论] Via 对高速信号阻抗影响

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1#
发表于 2015-9-1 09:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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关于Via对DDR3信号的影响;(1) 过孔等效长度影响     (时延)
: q3 u8 Q' n2 v$ G(2) 寄生电容,电感影响(阻抗不匹配)
3 |- O# q& ~8 f, J. ^1 ~$ `, q5 q+ c( {3 O, M& e
以上两点,在设计时,要优先考虑哪点。. Y9 I5 v- G6 G$ S
7 L2 U, o" ^# w3 [  \
* N, W' e; T& U; |$ J

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2#
发表于 2015-9-1 09:59 | 只看该作者
这两点都不用担心。速率不是很高。

点评

现在嵌入式的 2133也是常见了。。。。。  详情 回复 发表于 2015-9-6 08:48

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3#
发表于 2015-9-1 11:18 | 只看该作者
第二点稍微考虑一下就好,没有那么严重。

点评

感觉是否阻抗匹配及串拢(3W)处理好,等长按设计要求处理下。都OK。  详情 回复 发表于 2015-9-6 08:50

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4#
发表于 2015-9-1 11:27 | 只看该作者
如果单从SI来考虑的话时延要求比较高,毕竟DDR3对时序要求很高,但是如true和cousins所说,DDR3没有那么严重,如果做到所有的同组线同时变化(打孔和换成),也可以多打个via。多考虑下EMC方面的措施。组可能方面的话,DDR3要求没有特别的严格。一般都能满足要求。
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    [LV.3]偶尔看看II

    5#
    发表于 2015-9-2 08:54 | 只看该作者
    各位版主回答很精辟呀

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2015-9-5 08:53 | 只看该作者
    我只说一点,DDR3对时序要求很高,DDR4也是,这也是DDR4速率一直上不去的一个原因

    该用户从未签到

    7#
     楼主| 发表于 2015-9-6 08:48 | 只看该作者
    True 发表于 2015-9-1 09:59
    ! |9 V: }2 u% ~  ~这两点都不用担心。速率不是很高。

    ' M7 d/ @) |* n+ h; y5 E# D现在嵌入式的 2133也是常见了。。。。。

    该用户从未签到

    8#
     楼主| 发表于 2015-9-6 08:50 | 只看该作者
    cousins 发表于 2015-9-1 11:18% h5 t& T7 S* J* Z+ d; G
    第二点稍微考虑一下就好,没有那么严重。

      }5 t( T& k3 |$ n感觉是否阻抗匹配及串拢(3W)处理好,等长按设计要求处理下。都OK。
    ! g. t) S$ k7 d$ B, n0 J* m" D
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