[求助] 连接器参数估算

l888888h

各位，
对于连接器，厂商提供不了相应的模型
仿真时一般是用什么来代替这个连接器，直接用 C 吗，大小是如何估算的？

cousins

测试获取touchstone。
, ]6 Z) m0 }$ \) a6 k重点关注测试点S参数去嵌入。

菩提老树

确实很多厂商是不提供这个参数的，有的厂商也没有能力提供，这个时候，如果您有相关的测试设备，您也可以自行测量得到S参数。

若华110

cousins 发表于 2015-8-26 08:08
测试获取touchstone。
0 ?, M3 v: e4 k重点关注测试点S参数去嵌入。

麻烦详细解释下或演示下
- d2 _1 K' ^: H) J% {$ H5 R! M4 D

True

若华110 发表于 2015-8-26 09:19
" t/ F- a- ~; y( v* S麻烦详细解释下或演示下

做测试板，去嵌就得到了。需要付出一定的成本。一般这些事情是器件供应商该做的，但往往一般的分司，没有这个能力，或是不愿花钱去做这些。
$ ^$ s3 e& X7 M  l0 l. j

qingdalj

做测试板是个好方法，不过估计很多公司都不会这么搞，实在不行的话仿真一下吧，这样没啥成本

cousins

没有连接器模型的前提下，（大部分的公司都不提供igs或者其他格式的3D模型）只可以做测试板。
然后对板上传输线以及SMA连接器去嵌，除此以外，应该没有更好的办法来做touchstone了。

% L8 R3 x* M/ H2 s7 d2 h8 ~6 T9 }

l888888h

(1) 如果仿真的话，是用HFSS还是用Q3D?
/ s# V0 v/ R/ G(2) 可不可以就用一个电容来代替？

若华110

l888888h 发表于 2015-8-27 17:49
(1) 如果仿真的话，是用HFSS还是用Q3D?
2 Q$ O1 i6 E: c" m. J, P) A(2) 可不可以就用一个电容来代替？

一定不能只用简单的C代替，实测TDR和S参数发现其变化非常复杂