tDS&tDH base 的选择问题

mosquito_long

tDS&tDH base 的选择跟一个指标ACXXXmV，例如AC175，AC150，AC135,
这些指标如何选择？
有问过做内存的厂商，他说一般取AC175,具体也不知道为什么
( G- t* ?3 ]8 \1 i) D/ T

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AC175的要求是最严格的，如果能过，那么就没有任何问题

cousins

依照带宽来选择，若你不跑颗粒的最高带宽不需要那么高的要求。参考规格书。

Tigra8369

以下所述，参考参考...
# m1 |' d: Z& B" x9 [根据经验，参考规格书。
9 P  x) {/ Q. g9 _这里所述之规格书是按照作动方式(向)而定。
9 m: W$ Y6 @* _2 H# ]- J+ Y例如Data-Bus/Write时，讯号由控制晶片传到DRAM端，此时按照DRAM的规格
) a) R5 v8 R6 j- {+ s  J并决定AC/DC levels。如此，计算接收情况是否符合规格(软体会计算tDS/tDH馀裕)。
反之亦然，在Read时，计算接收端(控制晶片)的接收情况，使用控制晶片接收时的规格
(tDS/tDH)。
只是，在一般状况下，厂商通常回覆按照Jedec规格，所以，Write/Read的tDS/tDH就变成一样了。
6 S7 ^* q3 }6 a" ]& l% o/ r所以，问清楚所使用的规格来设计与仿真，过与不过，皆有一定的准则判断。

seulove

这个和眼图测量有关