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电源完整性之阻抗问题

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1#
发表于 2015-7-13 16:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
5金币
请问各位大神,在做电源完整性是,别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
9 \  d7 O+ R- N; N我把文件导入了ansoft designer,想问一下,如何看它的电源阻抗?
5 M6 Y  @: v* P2 P是看两个port之间即Z21还是Z11。# Q- l$ u$ [" ^9 M5 S
谢谢各位!
7 P8 E) B) u& {9 }3 E
+ d) f8 G: r7 V% P, @. w& T+ p8 s

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PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。 两个或者两个以上端口,有两种处理方式: 1.电压源处加VRM,简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN 2.加归一化的端口,这是模拟系统不上电状态PDN

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2#
发表于 2015-7-13 16:10 | 只看该作者
PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
4 Q- }! ~1 R2 p/ v( i0 v: W两个或者两个以上端口,有两种处理方式:; u, b/ ^* j/ N9 Z7 V' l
1.电压源处加VRM,简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN* Q* Q2 N# p2 Z9 `  r
2.加归一化的端口,这是模拟系统不上电状态PDN: d8 r! Q7 ?; z

' r% K: q/ \. V/ P' J$ @* r

点评

我尝试了这两种方法: 1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地 2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0. 得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗?  详情 回复 发表于 2015-7-16 09:05

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3#
发表于 2015-7-13 16:42 | 只看该作者
Z11

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请问为什么是Z11,默认的PDN至少有两个端口,在对SNP格式的文件进行仿真时,对另外一个端口怎么处理? 谢谢!  详情 回复 发表于 2015-7-15 13:05

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4#
发表于 2015-7-13 23:42 | 只看该作者
从一个port看过去就可以啦,所以看Z11即可

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Z11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗,也就是自身的自阻抗。 在port1上加去耦电容是可以的,Z11会减小。这是没有问题的。 那我在另一个端口(如port2)加一个接地电容,但Z11却不变。 我觉得根据输入阻抗  详情 回复 发表于 2015-7-14 11:11

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5#
发表于 2015-7-14 08:39 | 只看该作者
回去看看理论吧

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能推荐一下资料吗? 这些对于你们来说确实简单了些!  详情 回复 发表于 2015-7-14 11:12

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6#
 楼主| 发表于 2015-7-14 11:11 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-7-13 23:420 m# B$ R6 i# P, ^0 b- g9 K0 v% c' F
从一个port看过去就可以啦,所以看Z11即可
+ p* ]9 _) H8 O
Z11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗,也就是自身的自阻抗。
) N" {! G8 e3 e, m在port1上加去耦电容是可以的,Z11会减小。这是没有问题的。4 C5 x  m" S2 k$ Q' @" X
那我在另一个端口(如port2)加一个接地电容,但Z11却不变。
+ O$ v4 N% R8 o我觉得根据输入阻抗计算公式,在第二种情况下,z11应该是有所变化的?
; A( M- l" o' m0 J能劳驾解释一下吗?但实际却不是。
, k% i! B4 S5 b; g

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7#
 楼主| 发表于 2015-7-14 11:12 | 只看该作者
qingdalj 发表于 2015-7-14 08:39- j* `. l- j, H/ _: ^
回去看看理论吧

" o; L: k5 u  N7 n7 R* ]( f% T. }能推荐一下资料吗?
$ Q& ~+ g  T& A+ o1 Q5 _这些对于你们来说确实简单了些!3 ]$ h1 i5 `, a0 s1 b- V

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written by Madhavan Swaminathan A.Ege Engin  详情 回复 发表于 2015-7-14 13:35

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8#
发表于 2015-7-14 13:35 | 只看该作者
ares0260 发表于 2015-7-14 11:12' b* N; h) r4 J8 V; R& v. k
能推荐一下资料吗?+ O% _% p9 p) W) [0 j2 r6 i
这些对于你们来说确实简单了些!

5 |9 E( Z. M. m6 m3 n  m9 @# v8 ]<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems  >
& _# f) S5 b% ^" Hwritten by Madhavan Swaminathan   A.Ege Engin; L8 ~8 N$ S# K6 c8 r7 p& t

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9#
 楼主| 发表于 2015-7-15 13:05 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-13 16:421 a" p7 s& C( p: q7 K7 ~  R5 p( a
Z11
; \. m- U! i* K  R$ Q; L

6 m6 }5 X4 A9 v2 ^  [0 K请问为什么是Z11,默认的PDN至少有两个端口,在对SNP格式的文件进行仿真时,对另外一个端口怎么处理?
% p9 p4 b5 D) }% c( N* s: l# L1 H- K4 r谢谢!
- n3 ?+ H$ X% J: r

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10#
 楼主| 发表于 2015-7-16 09:05 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-13 16:10
* o- O3 d1 z# R) k' R4 SPDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。5 O0 y) ^9 H& e4 ]0 S% K) A
两个或者两个以上端口,有两 ...

$ Z: Z- O- @$ P: {6 F- F我尝试了这两种方法:
6 `8 k5 Y7 J& Z/ q, w% _  C3 Y1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地; I2 g5 Q" C6 J7 i7 F; {1 w) E
2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.5 E" G" E/ i+ \+ e0 }, J! f% l
得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗?
7 h# K4 X0 Y' \$ t% n  D& P4 P* t2 d- V( x2 r

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归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0. 0ohms怎么归一? 归一是要用Z/Zref的... 结果是不会完全一样的,在1MHz以上的结果是基本一致的。 有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条  详情 回复 发表于 2015-7-16 09:31

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11#
发表于 2015-7-16 09:31 | 只看该作者
ares0260 发表于 2015-7-16 09:05. C# x& \5 C  D
我尝试了这两种方法:! F3 }2 F7 P! F: T) x) ~8 N
1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地7 ~! W4 H: q1 G* N. L# T5 G
2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM ...
5 c& E* f/ i; E# w8 \7 c' H
归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0.
6 E! w5 P: J( h' v" S( h2 F5 Q- A0ohms怎么归一?  
$ Z6 g! X3 B3 H$ e  @
7 t% \) z# [0 `. l归一是要用Z/Zref的...
0 h1 _) T4 |: Y1 f0 E, [* o结果是不会完全一样的,在1MHz以上的结果是基本一致的。
4 Z, e+ v, b2 k" a有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线,值很小。
) O% Z  R: Q7 i* W5 Q7 }无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值,这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。
2 V$ B, F* s6 G3 F) d记住以对数(log scale)的方式查看Z11。
: l# [/ y( J7 d3 _1 L

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Hi Conusins, 请教您一个问题。 枣做电源完整性的时候,会生成一个SNP文件。 放到ansoft designer中去,做它的时域瞬态响应分析。 因为以前没有接触过PI,真的不知该如何下手。 望您能指点一二。 一般情况下  详情 回复 发表于 2015-7-22 16:08

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12#
 楼主| 发表于 2015-7-22 16:08 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-16 09:31
' X$ X* Y! f+ M归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0./ X8 o; y& |/ c0 O8 g
0ohms怎么归一?  

/ h6 F8 Y. L, W2 u) j7 aHi Conusins,$ s  @+ J; `8 }5 c$ j
请教您一个问题。
% B; A5 W2 M' P; C7 {7 i5 I枣做电源完整性的时候,会生成一个SNP文件。' z/ e5 z4 U0 ?3 j
放到ansoft designer中去,做它的时域瞬态响应分析。% ?5 n1 T. u9 F! m
因为以前没有接触过PI,真的不知该如何下手。. }- r. E& u# J0 ~5 }% z" I4 u& g
望您能指点一二。
% j; F% w: d4 @5 m* ~* T. @一般情况下,会给它一个阶跃信号(0 to 1.2v)测得芯片输入端的电压即可。0 C% P4 w. t  W4 n/ k' C0 C# T; U
但是参考的图中却没有看到对应的芯片(dut),这样对吗?4 r# J5 ^- N# b% |

时域分析.PNG (22.76 KB, 下载次数: 9)

时域分析.PNG

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13#
发表于 2015-7-22 17:23 | 只看该作者
你要给的不是阶跃信号,是带交流分量的直流,交流分量为纹波。* L9 l7 g; D3 ?2 n8 B
这个架构是对的,如果要仿真芯片接受的信号,就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话,你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。
# D9 f" F  s9 f  D; o3 ]) b0 D2 U
1 K; G& q+ O! I# N

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能劳驾你给一个电路模型参考一下吗?或者一个小例子。 拜谢!!!  详情 回复 发表于 2015-7-23 11:35

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14#
 楼主| 发表于 2015-7-23 11:35 | 只看该作者
本帖最后由 ares0260 于 2015-7-23 11:45 编辑
& q+ t6 x& V3 @) T: ^+ d
cousins 发表于 2015-7-22 17:23
/ P4 U9 y& Y. e4 Q你要给的不是阶跃信号,是带交流分量的直流,交流分量为纹波。# F  y- \3 z. h* A! `
这个架构是对的,如果要仿真芯片接受的信号 ...
如何体现纹波的频率呢?/ z; o4 H$ @+ Z+ e
能劳驾你给一个电路模型参考一下吗?或者一个小例子。
; r5 Q  ^0 P! ?0 X) \( u拜谢!!!7 Y& [8 y* s8 \# p# [
下图是从别人哪里看到的结果,纹波应该是0.04V,可是我总是做不出来。% v( {. X' ~; E5 n( [
可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了,你帮忙看看。: t3 ?5 u1 ]5 n
非常感谢!!!( u/ O" m$ A; C% s+ o' Y

% q7 _* r& @- Q4 B! E: O6 D3 i  }7 U
  l( _/ p0 Y7 F7 U# W2 s/ I. j( ^+ I+ ]; t4 u- y/ ]7 v: f

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TEST.rar

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电路模型

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15#
发表于 2015-7-23 11:44 | 只看该作者
提取平面的s参数即可。

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提取对应的S参数,也做了阻抗平面分析了。 但是要做对应的电源瞬态响应的分析。 所以不知道怎么建立这个电路模型!  详情 回复 发表于 2015-7-23 11:51
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