徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu

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# `: Z4 k- }: _8 l9 O* w; z图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。
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# n2 [) u0 ?5 p/ {我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
+ o: G: o7 O. g% Y- Z$ v) K2 X问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？

问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。
2 h. V3 c6 L7 e; C$ ^
- S+ q" B# P( Y. R
5 ?( R/ Z" u% g. S
H = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
Er  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
! F( T9 M& i3 J1 RMur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
cond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
& F( t% S# l1 B9 P2 F% lHu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
T                                     铜厚度，这个清楚
TanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

Xuxingfu

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大
4.可以
$ h- G" E, z) Q/ G  m5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
9 x) s5 `# H9 c1 u+ s1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

; \9 O, p' l+ R2 b7 }4 t. C) F谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？
5 U# {8 |3 C2 `  V

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
0 |  N' w( |: D" L$ [4 J2.对的
3.频率很近，影响不大

7 c+ t: Z( G: u+ t: K已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？
" g9 G0 X) u0 d" H9 D4 l. h! J4 O' w

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
) _) t0 i7 v# i* k" {/ n$ ?2.对的
1 C- l/ ^( t* I( l: n. `& {3.频率很近，影响不大

对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？