徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu

图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。

( h% _2 N) g# n' M( N* `我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
1 T1 @, l5 @) B( B  B. B但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？

9 ?; B  |1 v- n) k) q问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。

( L/ |6 o; u1 m: S5 T: W
; n; e$ c) D) |  m7 n
" Z  {& a& }1 |* n% S: ^. m: [H = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
. P3 @8 X0 J; ^) G0 V1 [( aEr  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
Mur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
cond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
: D" T8 j- `, Y' CHu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
T                                     铜厚度，这个清楚
$ `/ |/ a5 t0 |' |# W& {9 NTanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

Xuxingfu

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
" j4 Z$ W0 J# R2 i7 L2.对的
3.频率很近，影响不大
4.可以
1 y0 g# p9 j8 l5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
& D' ?$ z. w* ]0 M1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
$ o% S" ?7 W$ b+ b& B2.对的
8 Q9 O$ `4 p/ T6 I3.频率很近，影响不大

谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？
/ O" {/ e$ `- Z7 F3 T9 C6 W

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

! }( ~* Y% h; B! `  M已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？

煮酒fu

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
% u2 }+ z) p. p& ]1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
: E- J$ k' n, F9 L; t2.对的
" s2 Z/ _  W' h+ M& i3 U3 Q2 M7 ]3.频率很近，影响不大

对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？