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DC-DC的自举电路一个问题

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:57
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2015-4-22 14:42 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    我在用MP1484EN 这颗电源芯片的时候,看到下图这段话,说占空比大于65%需要加个自举电路增加效率,那位高手知道为什么,解释下。
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:57
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    [LV.1]初来乍到

    2#
     楼主| 发表于 2015-4-22 14:47 | 只看该作者
    刚才忘记附图片了,现在补上。

    QQ图片20150422143856.png (58.11 KB, 下载次数: 5)

    QQ图片20150422143856.png

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2015-4-22 15:24 | 只看该作者
    里面是两个NMOSFET,VG>>VS,导通电阻才会很小。8 v3 j: {8 B+ F3 A7 W, s8 ~
    D越大,表明VOUT越大,则VG与VS之间的电压变小,所以在大于某值的时候,加入电容,与二极管组成钳位电路(钳位在VOUT之上),这样可以保证VG>>VS

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    支持!: 5
    NB!~  发表于 2015-4-30 20:56

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2015-7-3 11:55 | 只看该作者
    我感觉楼主应该是理解自举电容的作用,只是不理解为什么在占空比大于65%的时候加个二极管就会提高哦效率。我们假设高低端mos中间的电压为VS那么自举电容的作用就是把上管的栅极电压抬高到VDD+VS,这样利于更好的驱动上管,当占空比大于65%的时候,在整个开关周期中年上管的导通时间比较长,所以上管的RDSon对效率的影响也就越大,那么如何进一步降低RDSon会是提高效率的关键,由于这个二极管的加入,使上管的栅极电容进一步提高到VDD+VS+VOUT(原理请参考LCD中VGL/VGH电压产生原理),进一步提高上管栅极驱动电压,使得RDSon进一步降低,已达到提升效率的目的,这是我的理解。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2015-7-13 23:34 | 只看该作者
    dddddddddddddddddddd
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