Designer自带DDR3 Example问题请教

snsArvin

& r- {" V5 f' M2 ^& m: `1 g8 G6 U3 J
大家好，小弟最近在学习Designer仿真时，遇到一些问题，甚是不解，请大家指点。
我学习的例子是ANSYS自带的，得益于cousins版主的推荐。
* C1 x0 ~* A: w8 o/ G5 _, E文件在类似这样的目录下D:\Program Files\AnsysEM\AnsysEM15.0\Win64\Examples\Designer\SI_Circuit\DDR3_Example.adsn
1.图中的红色部分代表什么？

我看了，这是个.sss后最的文件，不知道这是个什么文件？
/ [7 ^" {9 ]9 R& f4 ^3 r2.图中的DQ信号，属性里面为何有diff这样的说法？而且按照这些参数，计算出来阻抗并非50欧姆，如何理解？

& ~9 Q5 `% b8 |5 W, n* ~

cousins

1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是两对靠近的差分线。
例子中的通道模型并非你一定要用的，真正项目中用touchstone替代Nport通道就好。
注意检查touchstone的passivity和causality。
) a9 S, q0 ~7 e9 E- i

snsArvin

cousins 发表于 2015-3-12 16:29
0 o# P' f; A9 [  d2 j0 |* n) T1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
7 ^% v- N% W- J" w- b' A: H# E- O3 ^5 T2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是 ...

版主，您好。
1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
8 e" n$ s$ c4 N( K: A( |+ |2.图中是dq信号，不应该是差分才对呀
2 `' o/ y5 i) `( j# J8 N  I( `

cousins

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:31
3 v* e; u9 q" o版主，您好。
1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
2.图中是dq信号，不应该是差分才对 ...

/ B$ S5 W5 o2 r9 n/ x; `例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
2 j/ Z, k* T1 E# }" ]实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模型。

0 f3 d( T* ~: E/ [

snsArvin

cousins 发表于 2015-3-12 16:37
例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模 ...

这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？

cousins

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:44
- E& A' h8 @3 j这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？
) c1 o; n/ P. f4 f
...

不需要转换，你新建circuit时，component里就会有对应的元素生成。
$ H+ J( L9 `: _. z) E导入ibs时选择pin就可以读取pin中的package信息。
/ f/ \! C5 L) y) I: D0 T1 B+ ~' W" ?如果你有pkg model，可以编辑ibs定义package model读入rlc。
0 r) P  ?- R' v! i
" [4 s! a9 v3 r2 J- W7 Z/ @* ?1 S

buymoreba

请教package

buymoreba

& D% W0 {1 x8 B9 t' C
怎么在ibis中编辑pacage,这样designer可以直接导package的参数吗？
8 w. G# W+ g  i) ?+ {' ~% L6 W

+ b; t8 ]2 H/ ^$ G% X- F7 I



" I6 p* U3 I5 W2 z9 J) F

buymoreba

5 R6 u! z! r0 ]+ x/ W% j6 g怎么在ibis中编辑package

5 S/ f  U1 _0 r% c( E
7 F! d/ g* r, q8 _0 K. j/ B

372142758

学习了学习