找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
12
返回列表 发新帖
楼主: ann_wz
打印 上一主题 下一主题

低温测试过不了

[复制链接]

该用户从未签到

16#
发表于 2015-2-16 23:48 | 只看该作者
楼主啥也没说,来吐槽的吧

该用户从未签到

17#
发表于 2015-2-26 16:58 | 只看该作者
ann_wz 发表于 2015-2-8 18:53
4 w( Y" B" |( G版主,应该不会跟pcb的布线布局有关系把,比如时钟线的长度过长,然后一些等长线,比如lvds,dvi, ddr这 ...
; A6 f6 v- O# e: B" @6 B4 a  a
曾经碰到过低温不过的时候,调整DDR的时序参数(tRAS,tCAS,tRC,tRP...)就过了,可能是常温时调试的参数较偏,在低温时这些参数已发生变化。
# h% {0 l& e/ @9 r; v' K  \7 t% e

该用户从未签到

19#
发表于 2015-3-22 22:54 | 只看该作者
一般都是晶振和电容,电容要符合产品设计的低温电容,芯片等级,

该用户从未签到

20#
发表于 2015-3-23 12:48 | 只看该作者
一般都是物料的问题,遇到过处理器在低温下某个模块工作不正常,但是内核正常的,而且是批次性的,所以选择物料的时候,就要考虑产品的工作温度范围。电容,特别是电解电容,低温下电解液会冻,容量减小。尽量选好的电容。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-8-22 09:33 , Processed in 0.093750 second(s), 18 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表