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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-2-1 22:59 编辑
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1.关于RDL,看过书后还不是很明白。能否在介绍下。) c; X$ g* z2 J, G8 U3 i
RDL(redistribution layer),wirebond芯片的I/O pin一般是分布在芯片四周,为改变pin的位置,芯片在加工完成后,在芯片的表面再增加一层或多层布线以改变pin的位置,一般是做成flipchip形式。
. ]3 A; G* o4 i/ X( x5 Y芯片做RDL一般有两种考虑,一是性能,二是工艺成本。
% y* [: X) w* ]* k* O: E, P; L- I想了解RDL的工艺过程,请参考:http://www.chipbond.com.tw/eng_service_03_02.aspx, l" ]0 o* \) `- F9 C2 F
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2,是否一定需要定义电源和地环(这里是否是为了设置wirebond导向线)?ring设置里对间距有什么要求(书里有700um和500um)。还有就是第一个ring和第二个ring的间距要求。& u2 k4 Q, ]) P, D& f
Power/Ground Ring不是必须的,跟WB-guide-line也没必然联系。加P/G ring的设计,一般是处理器类的芯片,对PI有要求。" A& R4 v6 h3 P9 F4 k5 [, `9 x
Ring间距和宽度都是根据封装工艺和基板加工工艺能力来定的,目前间距50um,宽度100都没有问题。Ring做的宽对PI有益。
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5 _9 v4 L$ ~* b4 w/ A: z3,wirebond参数的设置。金线弧形的的设置,国内的封装厂有没有一些标准的弧形(刚入门这行,对工艺不熟悉),或者有没对wirebond工艺详细介绍的书。
" b9 |+ n; h4 y+ L, Z3 Zapd/sip软件里自带了K&S(最大的wirebond设备制造商)的标准弧形设置,你可以自己查看。
6 s. p* X5 M z7 x1 k; ?封装厂一般都不会看这些标准的,每个都有自己的标准,甚至每个工程师的标准都不同。# W: a {4 f1 i9 z5 ~" c4 B, B- y
除非一些射频或高速的信号对金线弧形有要求外,一般不要给封测厂提额外的要求,省钱省事。
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4.finger的移动有没更好的方法,先select在选中在右键move很麻烦。; C* n+ L) G& I: Y& K7 R
你可以在移动完一个finger后,右键advanced/set default...,这样软件会记住你的操作,下次再选择finger就可直接移动了。
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5.如果遇到bga有300个PIN,而信号只有80个。ballmap怎么排比较好?
' S9 E, j3 D3 j# r没特别要求的话,就近原则,finger扇出后直接via到ball,剩下的都电源和地,平均分布一下即可。
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; L. ]# w$ Q, C. o+ C$ a4 e( o6.finger的大小?(这还是wirebond工艺的不熟悉)一般我们用到的finger是多大的,最小是多少?最大是多少?( F( h Q5 E. r
finger最小有限制,最大没有限制。
5 z8 S5 F+ k6 X' U最小一般和金线直径和设备能力相关,现在做金线直径2倍宽度/4倍长度都已经很成熟了。实际设计中,最好参考封装厂的设计规则。2 u; Y% k2 j: ]/ R! P( Y
8 P4 R1 {- o# s$ c. c/ h# v7.finger在一个die里是否是用统一的大小。我可不可以把vss的finger做大一点?
9 o2 }# A l0 F8 a s6 C7 [没有必要统一大小。P/G有时候要打多根线在一个finger上,必须做大才有足够的空间打下多根线。
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