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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
       在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。. J2 t5 V5 z$ I) G7 v2 D# u! `2 \
       我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
    % Z- n9 T% u( c" v1 S7 c

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    发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑
    & o- @# q: Z* x2 |; f' t) i
    . Y" g! S! p( q2 l. f( v7 PACLR肯定是受输出功率影响啊
    8 f* L5 ~6 E  M& d; h: ?+ l6 [8 S$ L$ f; S9 q% c

    4 d* t2 K7 j2 G( W! \+ k- @$ K7 |% c% ^# r9 W4 j! }* t

    7 w0 O) e0 U7 ~: G' L# @

    % A9 A+ T: p( E2 z
    1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
    0 p* m8 _9 v+ m4 I$ e; I& C1 [$ t5 A3 L; D, I5 f. P! p. a6 n: x" W
    $ |0 ?3 d) N; J4 e4 I3 R" B9 L3 @

    ) e5 n* F2 W+ }+ j/ n; ^+ J) K' y4 D  H, Y9 w* g
      w+ w% J( j! ?8 g9 h! V; {( J
    而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
    , B6 ]2 T" }2 g. D: Y  y1 c" A1 l7 @

    $ |' X* m4 u. Y* i8 c' z
    7 G2 ]# \$ \4 W. S7 |7 h
    而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨* t0 s" }$ g1 {8 U# j

    % W0 B/ j* Q( v' ^. {- ^+ ~! u) n* `8 p) R3 _$ i( S" Z

    0 R6 C: r  H& A
    ! R1 w9 L1 b" W5 W, f1 |* S
    而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
    所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
    测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
    2 [: ]1 j' t  q5 D2 n2 P0 b

    6 ^2 y: T+ W' u) F
    . S$ a4 Q; w" `- Z
    由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
    或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
    & [1 ~# `  P( M' R( Q9 [8 _
    8 ?6 B; N  b+ h* n# T
    & d! C$ f4 z7 L- A' p/ j4 E# q8 Y
    . [) R3 G$ l% P# q, l5 H4 _. s

    $ @7 c8 y1 K( z) b; \& u
    / i* I( s$ ]3 \2 d0 x8 Q3 Z- E3 m, m5 K! a+ {8 h9 a; o

    . _/ R' G, g5 u8 }# K) G9 l7 H: ^' a1 t/ }6 Z/ r' M2 _) p" q  v
    2.      
    另外  厂商多半会有PA的Load pull图
    + e1 s/ _9 k( a2 d; T& m5 ~9 X3 l

    ; q& w* {. S5 k  K* ]0 k8 h
    : L8 l5 m5 s& O. X& v; ?! `7 d

    * ]9 X4 ^8 H, f5 s) y3 y# p
    由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
    这是因为PA的线性度与效率  是反比的
    你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
    反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
    所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
    以兼顾ACLR跟耗电流

    8 ]6 z. x4 K2 [# s$ w
    4 Z% K  z( V, I; ~" N
    " U5 P6 [  c0 O7 ?
    3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
    因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
       当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
    / f2 y) l. x3 ]1 P& m( q0 c2 q6 M4 u- F
    3 j( c8 L/ s7 ~3 x, q& i

    + H7 k, a% N, a0 Q! y8 C% ]) o! v

    7 s2 S; Y3 M6 l' S% \# |
    而WCDMA的方块图如下
    9 I5 k" S0 `% t: l

    3 h9 l( ]4 y6 z8 A. Q2 u7 o- J' a
    . l: @4 [8 _1 f6 \  Q* W
    PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
    统称为PostLoss
    如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
    一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :
    . V1 D) K9 l1 \4 V: S; g1 x

    ; p; i' U- U! q

    + J, J. A" x7 t( A/ k6 [

    + S' t# }2 ~) ?

    1 Q3 ?/ u- _1 p' D
    如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
    当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化
    9 q1 q) ], |5 ^7 H; m: s7 Q* U, r: Q) k0 Y# l0 \# ]; g4 m
    5 H' s! s9 U) B
    * i" U# J( ?; x; J
    ; S0 n+ ~$ t8 t
    # F, w0 z( p) U9 N( F3 ]) V2 @

    + q4 v' g+ _4 u5 B2 J3 x" c, i& l3 ~; B. H4 R
    - H4 t( m2 X" O8 W. z' D) z5 ~
    4.      
    8 X% \2 @+ {$ J2 w4 z; _
    * Z/ P% b2 Z4 \3 @
    由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
    如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
    亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
    加上PA是最大的非线性贡献者
    如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
    一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
    都要求至少-40 dBc
    4 u5 S% B( H" J
      e! L  P: [9 J  D% G% i

    ! ?$ y6 s6 ?  \* o
    3 g, J4 M2 \+ h! V4 K
    亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
    (由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
    再次证明ACLR与输出功率有关)
    4 u% M' `, }% _

    $ X" Q' X$ _1 |; y& a5 R

    6 }4 }5 F# F) Z  t
    5.      
    LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
    进而使ACLR劣化。

      S# e  B. z* o0 x1 A

    $ c. I& r1 e; V8 U- P- R! v+ ^
    所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
    可降低其IMD3
    进一步改善ACLR。

    : t1 N! e+ p2 z# o
    $ y* {# |( y" Z$ }  ~1 l! p
    若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
    因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

      h4 d3 J% e& K( P3 R) d
    , F8 U  c5 i. d
    & ^  J. J2 ]+ k
    而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
    + z3 p4 V" w7 G5 ^+ _/ u

    0 I$ r  c6 @; e

    ' M' M& L  X; {4 D0 F7 N8 d2 r1 V5 B$ B
    当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。( ]& n  ?* T% F5 e- x4 {, ^
    而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

    8 \+ [! `' _. F* V( s

    ( Z0 }5 E2 C) X" \+ K+ b
    ; \+ I5 m" L/ ~0 P1 ?
    这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
    + O# Z. _# K/ c. g* i& m
    PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
    主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。3 Q! R# g* h' M4 V3 z* l* O
    换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
    其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
    * Q$ W' N- x* a/ x& I# n/ v

      J0 q% Y. S& x3 k! u3 @$ `5 r
    & o; H8 b: B5 Q* _$ ^( y( Z- I2 |+ E& V2 _' P+ U
    - ~# Q% V$ i& H8 d6 f& y* s
    4 f! M# N- G0 Q  a

    . T; Z2 t7 H' W9 N
    但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
    但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
    意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
    (若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
    ( t. u# D+ J, X

    4 F' a9 M( T$ \; z, V
    而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

    - W& A6 Q5 X$ M( l
    , i, H! J& k* k- ]2 {  b+ ?$ @
    若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
    那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
    当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
    但成本不低

    7 i" C7 n1 T7 s+ B
    9 _- w8 C5 R; D. H- ~! ?, h
    ' h$ g6 o7 k5 t$ Y: K5 P
    6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
    , s4 I4 P- Q# x
    % r. I1 u, g, g, [, o, ^$ D4 c
    ( R/ N4 o: U# ?
    这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
    即Cgd, 如下图 :

    3 D. O  W6 F) @- K% d3 |7 P6 R

    / {8 M+ [3 ^- X# C

    : ?4 q# K3 y+ P6 B9 S6 ^& |  c1 k: z1 k: c5 l# d7 k. D6 p

    ) K" t* r' H, p0 x4 p' i) N; T/ V- J, t4 q  R& E  P/ J! F$ I
    而当电压极低时,其Cgd会变大。

    $ d/ q  _0 m  m  x- g3 {
                            
    7 C( D+ F2 \, c0 R, E6 |, \8 v
    上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
    5 ]& d8 h6 J. C$ \4 c7 }* R2 p因此部分输入讯号,
    9 D- K( D0 W) ^' S7 R5 }) M会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
    7 n; k( \1 ~& c3 Q简单讲  低压会让PA线性度变差
    2 a2 q( [* z0 J' d因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小4 H# v& g# A' A5 f& _
    那么ACLR就会差6 U/ e0 P$ t1 R1 g$ C$ \  ~3 ~  Z' X$ H
    当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要/ s8 v+ q8 p9 p* S' b( e
    否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
    - C6 ~& F; S0 ?; k) C9 H2 c2 ]那PA输出端的ACLR   只会更差0 \: E2 \, n$ Q$ Z: D% r: Z5 d
    7 Q" p( z* ^4 A4 O9 D. g

    1 o8 ^1 v, m& s7 G$ x
    & e& A2 J3 x, f' ?; S3 R1 r+ d
    , N* ?5 l6 W& l7 F- u8 I# w2 A

    - ?# `8 b& y2 i( @) Q. ]& c) `. x6 ?& Q! ]
    + p+ ]( j. S  f
    $ @+ s+ F. n7 r7 _* s, I6 b+ c
    9 W, I; ^+ f+ v& ~3 K/ G

      D5 f; c  l% F8 ^" S, m' n, j5 S
    ( M9 \/ j8 D, I# F
    7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

    - m! u1 a& J3 @. E4 C" Q

    1 r( \, e+ g" i) g+ u
    而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
    (因为提升了PA的线性度). l8 Y/ p# V0 K1 ]& s+ K  i5 E
    ) H: y# A8 |# B; q& D+ M

    , x, x" U4 T3 Z/ N6 W  i
    # S: P! ^9 K% H0 ^5 \) w
    因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
    7 x, h0 r. l* F3 ?
    2 `# R6 J7 N( E. q9 k' K0 X& X( M! C( k/ T6 _& I
    / j% V: p# u+ ]3 o2 g  l* A7 ^

    " X" H0 ?1 U" d6 G% p; Z- Y% s7 l2 O" S1 B2 a  t0 Q: n- l& @

    % r, W+ v( F# o7 r2 _. W- X! }6 o# Y% R
    * r! B! f4 A4 ~2 ]6 ^# @
    8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
    其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

    9 Q0 s, N; j0 v/ t8 Y5 C
    # O8 _5 b* ]3 s6 B0 D/ j( }/ J' C
    ) C( |. k! Q4 x$ X) b2 C7 [0 Z& B2 a
    由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
    座落在主频两侧

    ' U* l: N) H) u! o! n
    . Y8 P" P+ }* s5 |

    ' E, o" Y; Z$ t. Y4 z( [/ V1 x
    虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
    理论上不会影响正负5MHz的ACLR
    但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
    其带宽都很宽   大概10MHz
    因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
    (WCDMA主频频宽为5 MHz)
    换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
    故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR

    9 k2 w0 k# b( g4 g$ Z$ f

    ; r5 g, l- s2 s; v- W% t( g+ j
    ( b- q. s$ r. o3 T7 r' g0 E) y
    因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
    故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    如下图 :
    ! S6 e* S$ c( R8 x. q  T

    0 [' S. g" W1 W& C0 m0 F

    * t0 l3 a# J- t2 ?: _
    我们作以下6个实验

    7 }5 W" I: L; R
    6 q( i& W0 L0 b8 \( O

    " J2 S! d/ n# _. ~7 H8 d
    7 b4 s0 r  V3 `; I) L
    0 Z% z+ p& K" e6 Q& ?; ~

    : Y& m# z# h7 |* k. A! L$ l2 o, s" B; T
      d/ O# f! f0 Q2 V. p( t
    就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
    我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
    其1MHz的InsertionLoss都变大  
    这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
    对于Switching Noise  确实有抑制作用
    而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
    由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大
    ( L0 v, t0 H4 S' v
    8 r9 B4 m6 w# h/ W  J) G- N) @2 \* j
    $ v- I! R& j! J- C9 U) F+ L) X

    : u2 I2 j9 V( ?6 y0 h4 M) G9 I( c; ?- B+ Z8 e5 {

    $ [' t6 Q7 X/ t/ _2 E9 z' g" W& _2 c2 |
    3 t- o* A. s+ J$ ~+ u( d- e
    ) L& h  `6 b6 e# N  f3 i  A
    9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
    绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
    是低阻抗路径   若共地
    则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
    直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
    换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用/ P6 d8 }* X! f- u
    5 _5 Z9 r1 Z% m. j8 d- V5 V' M: e
    . e0 W0 Y& s& C0 z

    3 t( ]; b. j* O, H, l
    ! J# H/ b: S! i0 a
    而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
    使PA线性度下降  ACLR劣化
    " Z- O+ K6 P" q* c1 G0 P! ^

    . q- q! ]& V9 [/ H0 h$ g! C6 D3 q) F: K2 D8 F! Q# d

    1 V& n3 m0 Q0 C  n
    $ E' x8 A0 L) |2 h/ h
    ' B- g% {* }  C6 d

    . x$ V# o  ?( j8 A4 K; H4 Y
    因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
    0 `0 U6 {8 p: |, j, x: k6 A6 w
    1.     PA输出功率
    2.     PA Load-pull
    3.     PA Post Loss
    4.     PA的输入阻抗
    5.     PA输入端的SAW Filter
    6.     Vcc的IR Drop
    7.     校正
    8.     DC-DC converter Switching Noise
    * `- s  T( W1 s7 {

    ! \0 |( L3 U! x& }+ c  D) V5 I: I
    " x3 S- f0 `" Z: I# ^8 x- q
    其他详细原理   可参照  9 U; G1 W* }: G( N% e4 C
    EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... ; W) K3 q/ V) V% r* r8 g! H# X
    EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
    2 [$ H$ K( s9 r7 J5 d& `EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
    " g$ s9 b! h. W2 K射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析
    3 P5 [& y- n' v1 p! Q7 A7 f) M0 l9 g4 u) x: {
      在此就不赘述
    3 H( S7 t- f6 M* M

    0 e7 J2 \+ E# ^# z& k* B4 ?# q6 Y, G) s1 O1 w2 V* Q& u

    % L, Q& m6 e# k% O% s4 P. M

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
    支持!: 5
    虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
    criterion 发表于 2015-3-8 16:32' r" I8 H$ d( O2 W1 @
    ACLR肯定是受输出功率影响啊
    5 o# L3 r) y8 y7 e1 |0 j
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!9 d9 S. u- s) w& Z0 u

    点评

    另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑 ( t2 O  O! o; r$ x5 u
    [url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]
      y+ F6 I6 _* ?# F& r( @
    8 i( X6 ^& o9 [' U1 F
    ( b" p/ g8 x1 q4 r
    $ Q8 g, m+ R+ f1 ?

    , i7 X# A& p9 A
    5 m" Q) r& _4 h% [

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