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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
       在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。) v+ V9 U# Y: U& @3 i
       我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
    8 N9 P  s3 Q8 R1 l& S; ]4 S+ q0 }: W

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    该用户从未签到

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    发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑
    ; \' m) L  W* G& u6 H
    , N0 b! H5 ~$ q7 d8 s4 q; D0 ]ACLR肯定是受输出功率影响啊
    7 w8 `: n5 a$ i# s, y  U
    & I( \: e* f( G5 \/ \$ x+ I! w% ]+ q, e+ J+ n6 V

    0 e- d- k; Y4 t7 C' x' ?$ n- j
    6 d, D' M, t" F) Q) g) \* n# [
    % C' K+ o; ?! L! i! O8 o( r6 W
    1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应% N3 ]8 v( Z  `* `2 _

    " {2 i- @) N9 B% G+ j
    7 A( u) l, q, E3 }6 `8 U
    - |! Q1 t/ S& e6 R( b5 i0 N, I9 `
    ! h# K, F$ z$ f4 @* F
    ) o* J2 @9 `* E& O
    而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :, b9 p$ x. c4 |8 f) Q$ d+ U

    ! I8 ]; b6 S* Y3 g

    9 j2 p: d7 J' g& Z
    5 t5 `# K; o6 W% j# Q
    而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
    : {  @# |4 r' s3 p& M8 R7 Z0 z, v

    7 t/ a. m! v+ J6 [2 }+ d

    6 Z- w. L+ Y/ ^% O4 B2 V7 T7 [
    : R8 [' L7 j1 y) L) j; e4 d' @+ `
    而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
    所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
    测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

    : H( n; N3 p  b, z5 S/ u' Y/ k

    / w9 ]+ j0 T+ r$ ?6 z" U
    1 ^: R* _* v) J7 G/ n9 w
    由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
    或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
    ) H4 q% n) H/ n) T
    2 E* c5 J  J1 ^0 M! d& V, M
    * c0 {0 i& ]0 C: z( B' M  t3 ~; U9 k5 g# y

    - x1 \7 M, G6 ]' o! q4 k3 R* y, v5 e: c1 _

    9 _, |, Q! o$ e, H1 p6 l
    & D: ~; N5 b+ |' [# D, ^
    ; A) f5 d! I- ?/ w( c' N; r
    2.      
    另外  厂商多半会有PA的Load pull图

    5 n  a$ \4 Y0 r3 e! P, a8 V
    % E7 H) Q; H4 j' d' i' W
    3 h8 j* `$ I( y& \2 U% c# b
      F8 J, Q; p& F/ e& D, i/ w
    由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
    这是因为PA的线性度与效率  是反比的
    你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
    反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
    所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
    以兼顾ACLR跟耗电流
    6 M+ d# S6 g' s1 Z, Y
    ! A7 t( `/ Z! f
    $ E& S2 {6 F# c, W
    3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
    因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
       当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)3 u. B2 v3 g1 z) x( o9 p

    & D2 V' o* S& u

    8 F9 v  R6 q9 B* C
    $ o) Z$ p) i" p* r" Y1 u
    而WCDMA的方块图如下

      o5 l/ N' b+ R0 o. @8 R% T
    ) Y+ G8 [) n% H. k0 J, b

    + B& s4 v. K8 H7 S% {3 N+ n
    PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
    统称为PostLoss
    如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
    一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

    8 f9 j/ n/ j% }* ^! m% l" @

    - \( Y4 F# m% c" H1 e+ u

    / N2 r3 k. ]5 O5 x. L
    3 h" n) v# S" S8 J: E9 p, _

    * D  J+ T, {6 h: }6 V
    如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
    当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化
    ; T" `0 Y+ N  e" U( q
    # s; z" L2 v$ v9 e/ L7 t5 p! b% j$ l# j; _

      W) t: k8 W/ }, u" J: [& v, C
    , S4 T) [& x4 `! F+ T0 X/ X: r8 j) W. Q2 q1 d5 r  R

    * T2 n' I; x9 @
    ( e! O9 {4 l) I5 h) b6 [. y1 c2 ]6 P5 z1 Z/ I5 p( {5 [
    4.      

    6 m# T  h- z$ M+ P; `8 @  E
    % s3 B' y$ E1 q  u! l! v9 x
    由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
    如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
    亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
    加上PA是最大的非线性贡献者
    如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
    一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
    都要求至少-40 dBc# e9 b9 x6 v& x0 M; v

    4 E, i) K/ U. p( }) |
    1 A2 D3 a9 D1 d. a+ C

    - ]( m) Q1 W& y
    亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
    (由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
    再次证明ACLR与输出功率有关)
    * o+ v$ T" P1 V. Q% x/ K. _
    3 u1 w  V9 z( ?- t7 \3 o

    2 n* y- N' m8 G" J
    5.      
    LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
    进而使ACLR劣化。
    , x0 h, R' |# h7 e8 X$ R" _

    ; |$ @! a/ t) C
    所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
    可降低其IMD3
    进一步改善ACLR。
    ; F% |5 a& D  b, ~7 g, s
    / l8 v" N2 |; z" }  U6 g) t1 B; N
    若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
    因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

    ! q. Y6 A1 D, {% C9 P7 J- t

    2 z  u' Q8 n$ S+ U6 W

    " u' I3 J+ e- G' m( H3 ^3 g7 [
    而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
    ) K% y/ x" T2 l' ?2 N
    # ?# s7 S: J" E- t' x9 k% O

    1 I$ I& u0 {4 Y# Z, ~( M  C6 y0 I* x  K
    当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。. f: S: M6 w$ _) @
    而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
    2 G/ y2 Q5 F% ~& j1 t
    # [6 G, @4 i6 N! Q
      u* E7 s, f- Z0 Y' w% x
    这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,4 G% D3 g1 Z# q8 n- V  L- {
    PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
    主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
    2 U3 I/ p. v1 j# i
    换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
    其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

    ' O# f3 @+ l% ~6 m9 w5 n
    0 x* G( `% E1 F# @- f0 T
    ' O' C6 U6 A0 u6 I+ c
    - L( V+ @' n5 J3 {# [! E# _% P' r+ p& G* L- k

    7 \8 ]& R. Z) @7 i: x
    & A, N- E3 Y% P: x  ]! [' C; z
    但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
    但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
    意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
    (若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

    / {0 h4 m& ?, W" [& D3 v

    5 ]3 {; z& ^& i% u# N+ w# D
    而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
    0 Y) d$ I8 d' F7 w6 `

    / T) v6 n8 t$ k6 u7 J5 H
    若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
    那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
    当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
    但成本不低
    , ~8 C0 v: X& \$ }( n4 j( `% [1 N
    2 Z2 d+ x& g) V) n) @
    2 t9 m- q6 |) o
    6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

    : S- o- {" q" a
    7 W$ J3 p- y1 E) ^( x/ I  K/ v+ o5 e
    * I) X1 o- n# K+ v2 X. i" F
    这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
    即Cgd, 如下图 :

    2 c% L# }& J5 S4 @, D2 ?7 A

    : {2 \: G) K" J# w% J2 x
    5 M6 M- V; O, v3 ?( u  }

    7 I  H; i$ v+ W" _" B* N; ^6 t. e2 d6 d7 _" ]

    ' c7 e" G* s5 _7 W" F7 l+ t  b0 C7 X
    而当电压极低时,其Cgd会变大。
    5 D+ ]: I  D+ i
                            

    ' a  D. }9 }2 y7 A$ Z0 j' L3 r
    上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
    5 S" ~2 s- k3 W* Y3 @) k- R因此部分输入讯号," e$ p+ E# ]  W7 [! O8 \. a, ?
    会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
    , ]! ^6 ^% A1 v: z7 v4 H简单讲  低压会让PA线性度变差8 r4 i0 C& B" e" T. a
    因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小
      J/ w- L5 O0 K. ?: V; r: S那么ACLR就会差
    - X7 ?2 R" x6 a: c当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
    . G4 N3 M. J. n# ~! b; I否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差! j( b/ V6 S& g! v9 t! f1 I+ u, M
    那PA输出端的ACLR   只会更差
    * V1 d* v& C. f& p8 e) p8 l) y0 `! D- v0 l4 g6 m/ A  t

    % U8 Q) J+ K' Z: J8 {" B5 i9 B' o% S
    ! W$ z; u5 |+ _
    * G0 Z7 Y$ g7 X( }

    ! Y1 u6 O9 ?# N3 w  m
    ; H' N# u! m5 B  i5 m
    ! D7 j6 a! {4 {4 b8 f/ f7 P3 a+ [0 ~) e2 J+ e

    9 N- b; X$ E2 U5 V; o0 ~) H7 Y
    ! T8 U$ u4 P: ^# t* n6 s  R* j6 Z
    7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
    : H, A  h( P  U( d) x

    0 q- L* l% m+ Y( \4 @
    而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
    (因为提升了PA的线性度)) [" d7 R1 V/ p
    8 |$ [1 i5 t0 R$ F

    2 `9 |: N" g) P3 K; o0 D  U

    . E' z( _" o2 ]: @
    因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
    9 d- Q1 U) d/ W+ x, J. W: w1 `8 G! u- i0 O2 Z  }" Z
    ) ^+ j; d( E# Q

    ! _" ~' N& H* T

    2 K. }1 H* h8 N. q8 u7 {, I/ Q
    ; ?2 V% Y; X+ m6 W/ k- w* G% e1 C& F. V0 w1 q% R) a+ J6 l

    5 l" @8 S: m# ~- V- z) g$ u, a8 e) q* d  Y7 [
    8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
    其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
    # s4 ?# K( X( g3 y# C& j9 A6 F

    $ s& l; }7 @3 _7 M+ }

    8 w  p6 p: n" R) o
    由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
    座落在主频两侧
    - B  B6 C3 G% ^

    ' ^( e! b2 ]. C& M8 j
    + V# g  n2 g! |( H; \& n
    虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
    理论上不会影响正负5MHz的ACLR
    但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
    其带宽都很宽   大概10MHz
    因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
    (WCDMA主频频宽为5 MHz)
    换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
    故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
      c) b* @( [. r- N2 d

      E" x4 ?' Q, K9 P, {
    9 }& ]& N* v" R% ?
    因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
    故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    如下图 :
    ! R% C% [' r" G
    # g; V3 O* O+ [0 ^5 O$ i( w

    4 g( u) a3 {4 ?2 _1 ]2 \0 M
    我们作以下6个实验

    ( u% [* `- t& [
    " E  @) A& J5 U6 Z! Q
    ; ]) h7 T( s- s( U6 ?% ^* P9 r9 i

    * P5 C0 f2 V, x/ B$ ~) s, i) l# m
    4 @, |5 ^, X) Y5 q) C+ e2 V
    * K- D! ^3 l2 E

    . j! F; D; z) X% ]
    ; I  E0 r7 t: T( I/ O( U/ w% z* d) f7 x
    就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
    我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
    其1MHz的InsertionLoss都变大  
    这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
    对于Switching Noise  确实有抑制作用
    而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
    由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大
    . u6 h$ c+ q1 N9 K8 j) y
    8 C# F9 @6 w8 p' ?- U2 E  Y2 q
    : r4 c& n; ?. m+ v  m7 d/ {

    ; [3 O- B. x1 l7 t" R" B
    ; ^( x* y+ \  E* B& }" v5 ?

    + L+ V3 ^- @: |9 N
    ; v$ n+ s+ p* u) X# E
    1 F0 ~& b/ v6 }7 {: Z% x
    ( n3 _4 Q; |- U4 b
    9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
    绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
    是低阻抗路径   若共地
    则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
    直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
    换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
    6 ?2 ^4 l: [. ?3 G/ i. \
    / v) s- Z2 w3 F/ u3 C- h  T* H# g
    8 k0 \2 ?7 z* v- l: s& v) m
    ) J3 h1 D6 N8 L  `# F6 @9 o
    / R/ h! h, |/ H. {- D1 E+ V6 T
    而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
    使PA线性度下降  ACLR劣化

    7 o) K, V" q* B( k4 e% z
    ; `; L4 Q* n9 O1 ^6 \4 y2 I4 X9 N% F$ \7 _1 k
    - M( i- K' d6 d* J3 l6 j7 Y
    1 d' ?6 J6 P+ k7 W

    : F4 b. q  ^. |5 l8 i+ _) d8 Y6 t5 C% W- ^
    因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向

    . H9 B) X2 s) Y
    1.     PA输出功率
    2.     PA Load-pull
    3.     PA Post Loss
    4.     PA的输入阻抗
    5.     PA输入端的SAW Filter
    6.     Vcc的IR Drop
    7.     校正
    8.     DC-DC converter Switching Noise

    ' n7 f! I( Y8 z
    / n. H. ]+ |9 n
    0 g) A- R3 @" x$ R: `) h, @& B
    , b. X7 C  @4 J5 ?6 P
    2 L( m0 P$ x% V+ N  `7 m9 X. n" a* ^% N
    4 q8 U- L( E1 h; b) C

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
    支持!: 5
    虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
    criterion 发表于 2015-3-8 16:325 ^' }; s5 x) P+ j
    ACLR肯定是受输出功率影响啊
    7 a+ t% f7 w: D* w2 N6 v" D7 o/ \0 ?
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!
    ! \+ J9 h. p" ^6 ^

    点评

    另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑 - q# |- a7 D9 ]- v+ J( P. [3 e2 d- f
    [url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]

    5 [& ^6 f6 f: |& h  ]# _$ K4 n/ o& ^# U* M
    ' H0 D. o: \  x

    9 E  x+ R5 k7 a8 j4 J
    - y  B) K( ?" x4 ~7 @7 \2 X% U) k5 d1 |3 G2 i8 K0 G# m9 M: x4 R

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