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H6801 芯片关键参数汇总 类别 参数细节
8 @7 H& d+ _' O7 E& H: i* S7 w 输入电压范围 2.7V ~ 25V（工作范围）；启动电压低至2.5V
9 j/ k4 i' `5 D. s 输出电压范围 可调输出，最高36V（需外部反馈电阻设置） 0 {& m* K! b- L- N" o. `2 T
工作模式 自动切换PWM/PFM/Burst模式，轻载效率优化
! c/ b8 S$ t! x. A 开关频率 固定390kHz，支持抖频技术（降低EMI）
) x5 T0 `. q7 [' ^1 e( W 转换效率 >95%（典型值，取决于外围设计） 2 |5 u2 F, ?. h1 B, w! U
待机功耗 EN拉低时，关机电流<2μA
1 L% z- X7 }: Z6 J$ O. J 保护功能 输入过压保护（OVP: 25.2V）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）
, o1 l9 j- {% v" d6 s) ^0 L 封装形式 ESSOP-10，底部散热片连接GND，优化散热 + V5 T' c) [9 F; `" p& {" z0 V
LDO供电 内置40V LDO，增强系统稳定性 引脚功能定义（ESSOP-10封装） 引脚号 名称 功能描述
% Q* R$ c% U4 Z, C J 1 VIN 电源输入，需就近接滤波电容 % T- N) z4 z+ B6 i4 n
2 EN 使能端：高电平（≥2V）工作；低电平（≤0.4V）关机
3 X' v s6 F' v( m( `' I 3 SS 软启动控制，外接电容设置启动时间（避免浪涌电流） , g- _" S& Z+ n# l7 c9 y
4 FB 反馈端，接电阻分压网络调节输出电压（公式：Vout = 0.8V × (1 + R1/R2)） # z) `: F4 X4 n# I1 {
5 COMP 补偿网络，连接RC电路稳定环路
$ g- X8 R+ I: x9 f9 G- I, c 6 GND 功率地，需低阻抗连接至散热铜箔
6 U9 q* `5 e! v4 H1 o 7-8 SW 开关节点，连接电感与肖特基二极管
% T" Z' x( |0 e0 ~ 9-10 NC 空脚 保护功能详细规格 $ O- [" M! G r9 ]
- 输入过压保护（OVP）
B7 S9 R! Y2 H0 o# b8 T( H. f ; b3 G* B! I6 N* e- o! q
- 触发阈值：25.2V ±5%7 m% Y, p4 f3 ^- E2 {2 D' V% ^
- 动作：停止升压，SW端关断，直至输入电压恢复至正常范围。0 t$ H/ |2 b1 r' [
- 过流保护（OCP）
: c2 m4 H, e- v* o: V1 `$ `
( f1 Z9 @# A0 j. b+ b7 q( a4 r2 c% Y+ ? - 峰值电流限制：通过外部电感及MOSFET参数设定（需计算电感饱和电流）。
& ], I1 p; A2 ^' S
- 过温保护（OTP）
9 m- z3 L2 N& G ' Q+ b" V8 Y v* h( G% C5 y
- 关断温度：150°C（典型值）
3 a' j( s9 I$ _4 e' p/ |$ | - 恢复温度：125°C（滞后设计，防止振荡）。* P/ J: R4 F+ B- O
设计注意事项
! b9 D- x0 j( T" s% ~9 ^( N - 电感选型# \; w' W1 T1 C N$ h
( |, V( x6 m/ B/ t
- 建议使用4.7~22μH饱和电流充足的电感，如铁硅铝磁芯材质，降低高频损耗。6 p, H, X( e6 g1 Y3 F
- 二极管选择
) C4 k& `% ]9 R+ W, a9 J
$ D. w/ f3 ?( _ - 必须采用40V以上肖特基二极管（如SS34），以减小反向恢复损耗。
4 i- o% j. T8 F9 D g" j% @8 ^
- EMI优化
5 [# y1 _+ s# J2 ] 6 j; q' a d7 @5 C+ H
- 利用抖频特性，布局时减小SW节点环路面积，必要时添加RC snubber电路。! l; F9 ~4 }; {+ q2 R5 E; V
- 散热设计
; I3 ]* }2 [2 w$ \9 h* H" x 5 a. a% G- S: y" z) q6 M' H
- PCB底部铺设GND铜箔并增加过孔，利用芯片散热片提升热性能。
2 u* \1 T2 L' f U
典型应用电路示例 12V输入 → 24V/2A输出
- g6 t' J# r% k) _ ^$ Z - 反馈电阻：R1=28.7kΩ, R2=1kΩ（Vout=0.8×(1+28.7/1)=24V）
; u$ h* Q# J$ V - 电感：10μH/5A（推荐Coilcraft MSS1048）- b( @7 T, P3 K
- 输出电容：47μF陶瓷电容（X7R）+ 100μF电解电容（低ESR）
- h. q ^. I' r/ l
应用场景扩展设计
$ s7 ^2 E" Z# |$ W* w4 a3 d7 T - 太阳能供电系统：搭配MPPT算法控制器，输入侧增加TVS管防止浪涌。0 A: X4 m: D* O8 ~
- LCD背光驱动：FB端叠加PWM信号实现调光（需隔离电容避免干扰反馈）。
/ t8 j2 D" a, |/ Q5 Q/ P" R( u. h - 音频功放电源：输出级并联高频滤波电容（0.1μF陶瓷电容）抑制开关噪声。& d( | P) r m& D! c' P
效率曲线参考 负载条件 效率（典型值）
- T2 r9 Q( _6 j& J1 u& s4 n 轻载（10mA） 82% (PFM模式)
/ z& F% J$ ~7 d9 n1 |5 j S: p# @ 中载（500mA） 93% (PWM模式)
" W; K8 i5 b% z1 p9 L& {4 c& v+ C- E 重载（2A） 96% 电路原理图
% ^) k( w; r& V- C n | 
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