32.768K晶体引起杂散

电子小白菜鸡

如题，当mcu使用外部32.768k晶体时会使射频输出信号出现杂散，分布在主频信号的两边，而禁用外部晶体即会变好。有什么方法可以解决？

guchenglihua

理论上说32.768的晶振信号频率低，幅度小和电流也小不至于影响到射频。你看看是不是因为程序中有中断影响到了射频的工作，而这个中断跟RTC有关

去问问萨达

KEDDDDDDDDD

xiaofeng1088

你的射频是多少频率的，一般32.768K，这算很低频率了，还能在主频两边？多查一下谐波吧

Dc2024032329a

主频两边都有？电路这是有混频器或者调制器吧？空间辐射和电源传导查一查

criterion

先查看  MCU的电源跟晶体    是否有透过落地电容共地

有的话  拔电容试试

一般而言  32.768k是很低频的讯号了

其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低

所以   分布在主频信号的两边的杂散   不是晶体谐波

而是交互调变

$ t$ y; `8 l: u. {! V
9 b. r: O, `, Y7 {2 N4 N
如果32.768kHz  透过共地  窜到落地电容   再流入MCU
跟RF主频  产生2阶交互调变
' P7 |$ P/ V# R1 H% g% b9 n(RF +- 32.768kHz)
& Q6 x; |) h* W' W  J' S) B就会出现你所说的
“杂散分布在主频信号的两边”

) k+ T( G4 z  i6 Q
* Q' c3 J! U; ?7 F+ f2 C要验证的手法也很简单   你把RF信号的功率调小
看杂散是否也跟着变小
6 Z& c7 {& I! ?/ R7 u如果是   那就八九不离十了
因为交互调变的功率   会跟RF信号功率   有连带关系

% ]  D! a) V$ ]3 c4 z
- h0 r9 x8 }& _
( o# `) g( O0 b' N此时可能有人会提出两个疑问

第一个疑问    电容不是隔直吗?
) W2 a% ~  v. b* A. V  F32.768kHz这么低频讯号   怎么可能流得过电容?

# a0 b3 |8 w6 ?1 q' |答案是: 当然流得过  只要电容值够大
0 D3 {4 A" v8 p! {' K来做个仿真  

) A7 {4 l7 X3 ^) Q$ ~9 R
# N( q' S, i( h( x


1 |- L- c) ~$ N/ b( K  T- e5 n* q
8 t( P0 Z9 n8 S) @! G# K
" _- {8 r) R/ W  v& t4 W. U该1uF电容   对于直流讯号   当然有隔直作用
但是   32.768kHz的讯号    终究不是直流讯号
只要电容值够大   其谐振频率够低   意味着低频范围的阻抗很低
对于极低频讯号   几乎无抑制能力   那当然就流得过


  V# ^) \2 {  X6 B第二个疑问   任何讯号  包含噪声
9 U5 ^8 u2 G! f  |8 g: g) \- N1 A肯定是高阻抗流向低阻抗
怎么可能会从GND逆游而上  流到电源走线?
( d* u' x, N4 W

答案是   如果GND的阻抗   比电源走线还高   那就有可能了

  R2 @2 s+ }6 C5 T& c; V6 @

4 F* s4 f$ @3 x$ t6 p, b
: g4 h  I! }4 [首先分析电源走线的阻抗   在走线放落地电容
等同加大了该走线的电容性   依照阻抗公式




8 t2 j! `2 n  m% q
电容性增大   其阻抗就降低
如果是uF等级的大电容   阻抗就降更多
) p1 w7 ?) d; E6 w! v

再者   电源走线   通常会有多颗落地电容并联
' A: x* y+ U  U而电容是越并越大


! S% m* D6 K3 f2 J) o1 n: Y2 a' n
+ R( c2 u; C, j# Y+ h% X1 X

如此又更进一步   大大降低了电源走线的阻抗

再来分析GND的阻抗  很多时候  碍于Layout空间限制
8 z- v7 j  e! B& y3 B: @很可能GND是极为零碎的  且面积也不大
* L" d! W6 H' {6 Q5 y4 c9 n同时又因为面积不大   所以无法打太多地孔
这些情况加种下   就会导致GND的阻抗  其实不如想象的低
甚至有可能比电源走线还高
如此一来  噪声从GND逆游而上   就有可能发生

因此  一开头才说   拔电容试试


$ E0 j$ c' F  N) q& O% i% T