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BGA到焊盘这段走线 是不能挖空的
+ s! C6 t5 s' }$ c$ |因为为了方便出线 所以这段的线宽 会极细
6 s% b& ?- P F9 R9 p& @意味着阻抗已高于50奥姆
4 M, t" S% y" {* s6 j, R如果这段走线下层挖空 但线宽又无法拓宽(不然会无法出线)
6 Y6 I% p1 l' _# U3 Q1 S那么已高于50奥姆的阻抗 会变得更高 更远离于50奥姆 s4 k7 K7 |5 }+ P: A1 |: v/ |
你RF性能只会更差
6 `% D- [& Y0 \. ^
! ]9 Z9 X0 y! Q换言之 这段走线 只能牺牲阻抗来配合BGA出线
2 T5 M. a2 C0 E1 n+ M# N' A9 z因此多半都很短 也就是零件都紧挨着收发器
3 V. S8 m! P" r) D5 _% e3 s1 l$ K$ U; Z2 c3 g3 j6 b
% `/ F0 @6 z, X8 T# ]" O
再来 如果是其他区块的RF走线) @1 Q! x% c: L: d9 `
在维持50奥姆阻抗情况下 0 g2 f g4 A% X1 N0 j
挖空固然可以藉此拓展线宽 进而降低损耗' M* S& w8 H" Y5 e- K5 m% N+ n; X
但
" ~$ P B# @( V5 h7 U0 b7 e6 D+ n3 o' R寄生效应不一定降低5 O. Q# ? c- Z% J6 L \
原因是 寄生电容 不只跟距离有关 也跟表面积相关
/ F0 z$ _1 c2 K* M9 J0 f/ L
; Z' R$ s5 L2 S7 u2 O }
& i- F' I4 G, v" Q1 I3 ^. k( `你现在拓展线宽 等同表面积增加1 e1 H" s6 R f8 d# B( c% q% ?) g
好啦 距离增加(挖空) 但表面积也增加(拓展线宽)
! }4 w4 f _8 m那整体寄生电容 到底增加还减少?
$ q. o" i+ M. d0 q# Z所以我才说不一定 要计算才知道
6 |, f I* \! E8 V k, G* p6 d甚至有些PCB的迭购 计算后会发现
0 P8 y$ Q; b" s" c/ n在维持50奥姆阻抗情况下 挖空 + 拓展线宽
0 E. b0 e4 I$ y' d, ?7 T' u# ?$ n寄生电容反而还略增加咧
9 O) z! K4 l2 y4 u/ |& B$ [( _
* ~( z5 x9 Z0 c" e' R% z
# ?+ R3 l0 p" U而0402焊盘 因为宽度会远大于50奥姆线宽
8 U1 C2 J0 Q! B6 k% M: h换言之 其阻抗肯定远小于50奥姆
1 a! e, {' I: V2 t* N$ E; B5 b9 y因为焊盘大小不会变 所以如果挖空
2 L, _% K8 d/ S, j% s可以使其远小于50奥姆的阻抗提高 更接近于50奥姆, W0 v7 s+ L3 C" k
同时也可以降低寄生效应 (因为只有距离增加 表面积没增加) A1 u6 K& y0 b+ |* O
) {: t& r' e- F, Z所以 做个小结
) c) x* x6 q+ K, V7 b
4 t+ J, r* v5 V" l+ O) z1. BGA到焊盘这段走线 不能挖空
2 `/ a& J0 |1 T, }* O2. 其他部分走线 在维持50奥姆阻抗情况下 2 G) t; ]5 d9 O4 V2 h
挖空可以降低损耗 但寄生电容未必增加或减少 ) W0 t3 ]4 d& \/ Z) U+ P
3. 0402焊盘 挖空可以让阻抗更接近50奥姆 同时降低寄生效应
2 z+ O l& s' o0 b& y: V Z |
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